![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ учеб. пособие
.pdf
|
|
|
- |
50 - |
|
|
атомов |
на |
см3. |
Величина удельного сопротивления ’i-S.OОм-ск |
|||
2 ) р * п +- |
сильно легированные |
области полупроводника |
||||
с концентрацией |
атомов |
примеси |
| /Лаг — а 1= |
10 іѲ<аи з и |
||
величиной удельного сопротивления 0,001 Ом, |
с*л . |
|||||
3 ) |
I - область с собственным типом проводимости |
|||||
/\/ - О , |
Лfg= .0 |
. При |
Т =300°К |
для германия |
удельное |
сопротивление 470Оң-сң, а .для кремния 2,5 -Ю"1Ом см.. Структура типа П+- р - 1 ~ р * с резкими переходами была впервые предложена Ридом в 1Э58 г. Обозначение
структуры соответствует последовательному расположению
областей с различным типом проводимости в диоде, как изображено на рис.3 5 ,а . Распределение примесей в полу проводнике , соответствующее -этой структуре,представлено графиком I Nu - А/djM'
К диоду должно-быть приложено т=кое обратное на пряжение смещения, при котором напряженность электри
ческого поля оказывается достаточной .для того}чтобы все
пространство |
полупроводника между областями |
П+ и р + |
освободилось |
от подвижных носителей зарядов. |
Наибольшее |
значение напряженности поля оказывается в узком слое S
около П+ области. В этом слое возникает лавинный про
бой и происходит генерирование носителей зарядов.Гене рированные носители дрейфуют через.обедненную область I
с |
постоянной скоростью іГНас к ,/Р+ -области, |
так как |
в |
||
области ./'напряженность |
электрического |
поля превышает |
|||
£ |
^ Я / с м . |
|
. |
‘ . |
|
|
Структура р - П -П |
со ступенчатыми |
переходами |
-ти- |
* Данные-относятся к германию при Т =300°К
|
- |
51 |
|
4-1 |
|
P+ n |
n+ |
— w ®| |
L |
|
|
Na-Hd |
“ |
Ha-Vd |
|
ОП
n*\P\ L
О |
4 |
|
|
Рис.35Распределение концентрации примесей |
|
|
к напряженности поля £ : |
|
а-етруктура типа n+-p -i-p f ;б-структура типа |
|
p + - n - n h. |
пичная структура современного кремниевого ЛСД* На рис. 35,6 изображены распределение концентрации легирующих примесей J/V^—Ng\(i<) и профиль статического -электричес кого поля при приложении обратного напряжения смещения
F(X). Максимальное значение напряженности поля совпа дает с плоскостью р*-П -перехода. При увеличении поля,
ног та |
F |
|
è F , возникает лавинный лообой. |
Область |
||
пробоя |
примыкает непосредственно к |
плоскости |
Е = Е^оке, |
|||
проникая |
в |
/7-область на расстояние |
- $ |
, составляющее |
||
около |
£ /з |
.'Таким образом,в данной |
структуре |
также име |
||
ет место |
слой умножения, где происходит генерация .-элек |
|||||
тронов |
я |
дырок. Дырки переходят в область р + , а элек |
||||
троны совершают^ дрейф в области сильного |
воля черев |
|
|
- 5 2 - |
|
слой |
с |
практически постоянной скоростью |
• |
|
Структура р +-р~п~п*~ со ступенчатыми переходами |
||
содержит |
две области полупроводника, отличающиеся |
ти |
помпроводимости. Изменение -концентрации атомов' примеси
.в областях р и h |
происходит |
линейно |
вдоль координаты |
J( ,как изображено |
на рис. 3 |
6 ,а. При |
приложении к дио- |
A f e - A f c
|
|
|
NBTNÜ — |
■ |
а _ |
|
■Р+ |
О |
д ... |
|
OY— |
п |
|
||
|
|
IT |
\п' |
|
|
|
ентрации пркмеге.; '-напряженности поля" .<Е' :
""&-'стру;кту ра типагрЧ-р-п-П ; б-етруктура
:,типа-'р +-~і— п +.
■^-ду обратно-Го-:к2 пряаенйя смещений ■максимальное 'значение нНапряженности'.электрическо го ■поля- -^^кж^ЫБнетсй в ^•пзюско'сти л X—О , в которой- ионы-, примеси изменяют/свой . Зчаваа. 'Hpif некоторой' величине --напряжения,приложенного
-- -к-'дшдуунаиряжеішоств- поля в максимуме может стать рйь^
н1ю®-*-і:(О) - Возникнет лавинный пробой-,сопровождаю-'
- 53 -
щийся быстрым умножением числа носителей заряда. Так каквероятность ударной ионизации является резко возрас ташей функцией напряженности электрического поля, то область.где происходит возникновение носителей заряда
ограничена сравнительно узким слоем /(слой умножения). Образовавшиеся в слое умножения электроны и ,цирки
дрейфуют под действием сильного электрического поля к
границам переходов |
через пролетные пространства і р . [ п |
обедненного слоя, |
причем дырки движутся -черезр -область |
Е электроны черев |
л-область. Вследствие -того, что |
напряженность электрического-поля е пролетных простран
ствах |
превышает значение-10^ £ /Сд. , необходимое для насы |
|
щения |
скорости, то скорость ЛЕиженкя-носителей вдоль Lp |
|
и |
практически |
постоянна и не. зависит ст поля. |
■Структура - p t |
- I - п + с .резкими переходами. Особен |
ностью Стол структуры,изображенной схематически на рис. 55, б ('.является то. что . і - область .представляющая слой'полупроводника, с равными концентрациями свободных -электронов и дырок, заключена -между сильно легированны
ми р* /г" —областями с- очень маяш удельным сопротивле
нием. |
|
|
При подведении к диоду |
с такой структурой напря |
|
жения |
обратной полярности |
" к дг-юблаоти] ( -область |
быстро |
обедняется: лишается |
п о то к ах носителей заряда, |
■оставаясь не. тральной. Поэтому - электрическое соле между сильно легированными областями оказывается равномерным по всей , (-области, как показано на рисунке. Таким об
разом, если приложенное' поде £"> і г ^ т о улдрная |
иониза |
ция и лавинный, пробой .развеваютсяравномерно по |
всей |
|
- 54 - |
L -области, то есть е |
р ^ - і - п * -структуре не сущест |
вует локализованных в |
пространстве слоя умножения и |
пролетных участков.
Й8 приведенного краткого описания видно, что .для
всех структур ЛИД, кроме р * ~ і —пг структуры, общим
является наличие тонкого слоя умножения, где происхо дит генерирование носителей зарядов, и пролетного про странства, где носители заряда .совершает .движение с
постоянной скоростью |
п |
Ѵнас = |
Iü Ѵ -'С- |
3. ДЖШШЕСКЖ ре ш ы работы лпд
ч
Статическая зольтзмперная характеристика ЛПД не
имеет участков с отрицательным сопротивлением (рис.37;.
|
тА |
|
||
Рис.37. сольтампэрная харак |
3 -40 -20 |
105 "Н |
||
теристика ЛПД. |
|
|
||
Г1” " |
1 |
и,а |
||
|
||||
|
|
1 |
|
1
1
L
Необходимое .для генерирования колебаний Q54 отрицатель ное сопротивление может быть обеспечено только з резу льтате использования динамических свойств псостс-анстңеН' ного заряда подвижных носителей—дырок и електоонов.
Впервые з 1958 г. Рид теоретически исследовал ft*~p-l-^-структуру и показал,ачто в ней возможно воз буждение колебаний, так как она обладает отрицательным
динамическим сопротивлением,обусловленным сдвигом фаз
между напряжением и током б цепи диода, возникавшим в
процессах лавинного умножения носителей заряда и дви жения юс в пролетном пространстве. Предсказанный Ридом тип колебаний получил сокращенное название ZM PATT
(Impact Awland Transit Tt/rW) - колебаний, то есть лавинно
пролетных колебаний. Зто же название присвоено и диодам
Позднее, в 1953 г.,А.С.Тагер открыл возможность
получения СВЧ-волебакий в диффузионных .диодах,имевших
р -П -структуру с плавным переходом. Теоретически
было показано, что такие структуры также обладает отри
цательным. динамическим сопротивлением ЦАРATT -типа. |
||
В 195? г. |
была экспериментально обнаружена способ |
|
ность ЛПД генерировать СВЧ-колебаная с аномально высо |
||
ким к.п .д. £8] |
. 3 результате |
исследований,проведенных |
на ЭВМ с целью объяснить очень |
высокую эффективность |
|
преобразования |
энергии, был открыт новый-тип колебаній, |
которые ЛПД могут генерировать с высокой эффективно - стыл. Для этого типа колебаний характерно наличие "бегущего слоя умножения" и "состояния захваченной плазмы". .Ценный тип колебаний получил название TRAPfiTT
■ ЩnappedPiestna A\a(antl Trahans)- колебаний.
Названным типам колебаний соответствуют совершен-.
но различные динамические Режимы работы; « А
- Лавинно-пролетный режим для TpjPfiTT -колео'аний; - .Лячинный режим с бегущим слоем умножения (лавш -
• ный режим с захватом носителей) для TRAPА Л -колебаний.
Лавинно-прилетный режим I HPATT .-колебания Возможность генерирования СВЧ-колэбаний диодами п лавин
но-пролетном режиме базируется на двух особенностях, присущих движению носителей тока в полупроводнике при
сильных электрических полях.
1. В тонком слое лавинного умножения при наличии
переменного электрического поля', между полем и током ла
вины существует сдвиг по фазе •• cP , примерно, равный ^ ,
причем ток отстает от напряжения-, как было показано на
рис.34. |
|
|
|
2 . При движении носителей заряда |
в электрическом |
||
поле с напряженностью с |
іО*1 ^/с/л |
их скорость не |
|
зависит от поля и примерно определяется как |
~ і(У ^ . |
||
Из второго свойства-следует, что |
время |
движения |
носителей заряда в ЖІД однозначно определяется размером
пролетного пространства |
диода. Следоввт - ѵ * " подобрав |
||||||||
соответствующую длину, промежутка |
L , |
можно получить |
|||||||
произвольное значение угла пролета для |
заданной часто- |
||||||||
“ |
f |
\ |
: |
V |
Щ |
ѣ |
' |
|
|
где |
L |
|
измеряется в сантиметрах. |
|
|
|
|||
Дополнительный сдвиг .по |
фаземежду током и напряжением |
||||||||
іА / |
обусловленный |
временем, движения |
носителей в .ппо- |
||||||
летном пространстве, |
при определенной |
величине, »^дол |
|||||||
жен быть вблизи^”(см.рис.40; |
, |
Общий' сдвиг (газ между |
|||||||
током- щ..напряжением. во •внешний, дещг диода' в |
этом случае |
||||||||
|
|
|
$£'=Ѵ<§.0 следоБателы-іо', |
диод обладает |
отрицатель- |
||||
но |
Так |
как _угол_прол'ета .в пространстве |
.дрейфа достаточ |
||||||
$елик (в„р stл .,то |
толщина обедненного' слоя |
монет быть |
|||||||
взята |
относительно'большой, что*по заоляет 'работать- с |
высокими напряжениями смещения и получать от ЛПД в не прерывном режиме мощности, порядка нескольких ватт.
■- - 57, —
ным сопротивлением и способен генерировать колебания. Рассмотрим более по,пробно процесс генерирования колебаний в лавинно-пролетном режиме на примере диода
Рида, изображенного на рис.38 . Как видно из рисунка,': область лавинного разряда локализована в очень узком слое умножения'-.$■&L. К диоду приложено постоянное об ратное шйцэяжение смещения—^ ; его величина опреде ляет положение рабочей точки диода на вольтамперной / характеристике, которое должно быть таким,•как показа-
Рис.38. Схема генерато- |
Рис.ЙЭПоложение рабочей |
|||
ра |
на диоде Рида..' |
точки на характеристике |
||
, Л. |
|
|
\ЛПД,соответствующее ре- . |
|
|
|
|
жиму пролетный’ колебаний. |
|
Цопуст»зм,что диод работает в установившемся.режи-’ |
||||
as ä s |
нему приложено переменное напряжение высокой |
|||
частоты |
U = Um sin C üt |
с постоянной амплитудой |
UD |
|
( ск.рис.39 J |
. В отрицательные'полупершдц переменно |
|||
го напряжения напряженность электрического поля з |
слое |
|||
умножения |
Е>Ещр л происходит лавинный пробой. |
|
-5S -
Врезультате ионизации к концу полуперисда высокочас
тотного напряжений ток лавины достигает максимума и от стает по фазе от напряжения на ^ ,как показано на рис.40 . В слое умножения накапливается пространсшвен-
Рис.40.■Изменения' напряжения и тока,соответствую щие установившемуся режиму пролетных коле
баний.
ный заряд положительных носителей-дырок.Влияние заряда
■носителей на поле в диоде пока не будем учитывать.Ртот заряд инжектируется плотным сгустком в пролетное прост ранство, где движется с постоянной скоростью
Б течение интервала времени |
t np~ |
|
»пока |
|
|
|
н есіо перенос зарядов в пролетном |
пространстве,во |
внеш |
||||
ней цепи протекает постоянный наведенный |
ток |
= |
ЬгНсс^ |
|||
где |
- заряд носителя £дырки}; / / — число носителе." в |
|||||
груше.. |
Форма тока во внешней |
цепи |
диода |
близка |
к |
пря- |
- 59 -
моугольной, как видно из рис.40 . Максимальный ток про текает через пролетное пространство диода в те палупериоды, когда переменное электрическое поле оказывается тормозящим для носителей заряда. Б результате тормозе- ' ніш энергия носителей, полученная ими от источника по стоянного напряжения,преобразуется в энергию СВЧ-коле-
баний. ж ■ - Для устойчивой генерации отрицательная проводимость
диода должна уменьшаться при увеличении. ВЧ-напряжения. Необходимая обратная связь в ЛПД осуществляется через влияние пространственного заряда носителей на величину, напряженности электрического поля в слое умножения,ко торое до сих пор не учитывалось.При инжекции дырок из области лавины в пространство дрейфа напряженность по ля в слое умножения снижается. Появление объемного по ложительного заряда дырок в электростатическом поле диода приводит к тому, что напряженность поля справа от него увеличивается, а слева , в слое умнозения^умень-
шается. Уменьшенное пространственным зарядом поле может достигнуть значения £ < £ л ^ раныпе, чем переменное на
пряжение станет равным нулю. Следовательно, величина фазового запаздывания тока в елое умножения уменьшается, что приводит к снижению отрицательной проводимости.
■Выходная модность и эффективность ЛПД
Врежнме лавинно-пролетных колебаний выходная мощ ность и эффективность даода в сильной степени зависят от величины угла пролета носителей, тока в пространстве
дрейфа в * .Определение оптимального аначения |
^_И|с точ |
ки зрении получения максимальной ваходвоЗ мощности ж