Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
15
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
5.12 Mб
Скачать

 

 

 

-

50 -

 

 

атомов

на

см3.

Величина удельного сопротивления ’i-S.OОм-ск

2 ) р * п +-

сильно легированные

области полупроводника

с концентрацией

атомов

примеси

| /Лаг — а 1=

10 іѲ<аи з и

величиной удельного сопротивления 0,001 Ом,

с*л .

3 )

I - область с собственным типом проводимости

/\/ - О ,

Лfg= .0

. При

Т =300°К

для германия

удельное

сопротивление 470Оң-сң, а .для кремния 2,5 -Ю"1Ом см.. Структура типа П+- р - 1 ~ р * с резкими переходами была впервые предложена Ридом в 1Э58 г. Обозначение

структуры соответствует последовательному расположению

областей с различным типом проводимости в диоде, как изображено на рис.3 5 ,а . Распределение примесей в полу­ проводнике , соответствующее -этой структуре,представлено графиком I Nu - А/djM'

К диоду должно-быть приложено т=кое обратное на­ пряжение смещения, при котором напряженность электри­

ческого поля оказывается достаточной .для того}чтобы все

пространство

полупроводника между областями

П+ и р +

освободилось

от подвижных носителей зарядов.

Наибольшее

значение напряженности поля оказывается в узком слое S

около П+ области. В этом слое возникает лавинный про­

бой и происходит генерирование носителей зарядов.Гене­ рированные носители дрейфуют через.обедненную область I

с

постоянной скоростью іГНас к ,/Р+ -области,

так как

в

области ./'напряженность

электрического

поля превышает

£

^ Я / с м .

 

.

‘ .

 

 

Структура р - П

со ступенчатыми

переходами

-ти-

* Данные-относятся к германию при Т =300°К

 

-

51

 

4-1

 

P+ n

n+

w ®|

L

 

 

Na-Hd

Ha-Vd

 

ОП

n*\P\ L

О

4

 

Рис.35Распределение концентрации примесей

 

к напряженности поля £ :

 

а-етруктура типа n+-p -i-p f ;б-структура типа

 

p + - n - n h.

пичная структура современного кремниевого ЛСД* На рис. 35,6 изображены распределение концентрации легирующих примесей J/V^—Ng\(i<) и профиль статического -электричес­ кого поля при приложении обратного напряжения смещения

F(X). Максимальное значение напряженности поля совпа­ дает с плоскостью р*-П -перехода. При увеличении поля,

ног та

F

 

è F , возникает лавинный лообой.

Область

пробоя

примыкает непосредственно к

плоскости

Е = Е^оке,

проникая

в

/7-область на расстояние

- $

, составляющее

около

£ /з

.'Таким образом,в данной

структуре

также име­

ет место

слой умножения, где происходит генерация .-элек­

тронов

я

дырок. Дырки переходят в область р + , а элек­

троны совершают^ дрейф в области сильного

воля черев

 

 

- 5 2 -

 

слой

с

практически постоянной скоростью

 

Структура р +-р~п~п*~ со ступенчатыми переходами

содержит

две области полупроводника, отличающиеся

ти­

помпроводимости. Изменение -концентрации атомов' примеси

.в областях р и h

происходит

линейно

вдоль координаты

J( ,как изображено

на рис. 3

6 ,а. При

приложении к дио-

A f e - A f c

 

 

 

NBTNÜ

а _

 

■Р+

О

д ...

 

OY

п

 

 

 

IT

\п'

 

 

 

ентрации пркмеге.; '-напряженности поля" .<Е' :

""&-'стру;кту ра типагрЧ-р-п-П ; б-етруктура

:,типа-'р +-~і— п +.

■^-ду обратно-Го-:к2 пряаенйя смещений ■максимальное 'значение нНапряженности'.электрическо го ■поля- -^^кж^ЫБнетсй в ^•пзюско'сти л X—О , в которой- ионы-, примеси изменяют/свой . Зчаваа. 'Hpif некоторой' величине --напряжения,приложенного

-- -к-'дшдуунаиряжеішоств- поля в максимуме может стать рйь^

н1ю®-*-і:) - Возникнет лавинный пробой-,сопровождаю-'

- 53 -

щийся быстрым умножением числа носителей заряда. Так каквероятность ударной ионизации является резко возрас ташей функцией напряженности электрического поля, то область.где происходит возникновение носителей заряда

ограничена сравнительно узким слоем /(слой умножения). Образовавшиеся в слое умножения электроны и ,цирки

дрейфуют под действием сильного электрического поля к

границам переходов

через пролетные пространства і р . [ п

обедненного слоя,

причем дырки движутся -черезр -область

Е электроны черев

л-область. Вследствие -того, что

напряженность электрического-поля е пролетных простран­

ствах

превышает значение-10^ £ /Сд. , необходимое для насы­

щения

скорости, то скорость ЛЕиженкя-носителей вдоль Lp

и

практически

постоянна и не. зависит ст поля.

■Структура - p t

- I - п + с .резкими переходами. Особен­

ностью Стол структуры,изображенной схематически на рис. 55, б ('.является то. что . і - область .представляющая слой'полупроводника, с равными концентрациями свободных -электронов и дырок, заключена -между сильно легированны­

ми р* /г" —областями с- очень маяш удельным сопротивле­

нием.

 

 

При подведении к диоду

с такой структурой напря­

жения

обратной полярности

" к дг-юблаоти] ( -область

быстро

обедняется: лишается

п о то к ах носителей заряда,

■оставаясь не. тральной. Поэтому - электрическое соле между сильно легированными областями оказывается равномерным по всей , (-области, как показано на рисунке. Таким об­

разом, если приложенное' поде £"> і г ^ т о улдрная

иониза­

ция и лавинный, пробой .развеваютсяравномерно по

всей

 

- 54 -

L -области, то есть е

р ^ - і - п * -структуре не сущест­

вует локализованных в

пространстве слоя умножения и

пролетных участков.

Й8 приведенного краткого описания видно, что .для

всех структур ЛИД, кроме р * ~ і —пг структуры, общим

является наличие тонкого слоя умножения, где происхо­ дит генерирование носителей зарядов, и пролетного про­ странства, где носители заряда .совершает .движение с

постоянной скоростью

п

Ѵнас =

Iü Ѵ -'С-

3. ДЖШШЕСКЖ ре ш ы работы лпд

ч

Статическая зольтзмперная характеристика ЛПД не

имеет участков с отрицательным сопротивлением (рис.37;.

 

тА

 

Рис.37. сольтампэрная харак­

3 -40 -20

105

теристика ЛПД.

 

 

Г1” "

1

и,а

 

 

 

1

 

1

1

L

Необходимое .для генерирования колебаний Q54 отрицатель­ ное сопротивление может быть обеспечено только з резу­ льтате использования динамических свойств псостс-анстңеН' ного заряда подвижных носителей—дырок и електоонов.

Впервые з 1958 г. Рид теоретически исследовал ft*~p-l-^-структуру и показал,ачто в ней возможно воз­ буждение колебаний, так как она обладает отрицательным

динамическим сопротивлением,обусловленным сдвигом фаз

между напряжением и током б цепи диода, возникавшим в

процессах лавинного умножения носителей заряда и дви­ жения юс в пролетном пространстве. Предсказанный Ридом тип колебаний получил сокращенное название ZM PATT

(Impact Awland Transit Tt/rW) - колебаний, то есть лавинно­

пролетных колебаний. Зто же название присвоено и диодам

Позднее, в 1953 г.,А.С.Тагер открыл возможность

получения СВЧ-волебакий в диффузионных .диодах,имевших

р -структуру с плавным переходом. Теоретически

было показано, что такие структуры также обладает отри­

цательным. динамическим сопротивлением ЦАРATT -типа.

В 195? г.

была экспериментально обнаружена способ­

ность ЛПД генерировать СВЧ-колебаная с аномально высо­

ким к.п .д. £8]

. 3 результате

исследований,проведенных

на ЭВМ с целью объяснить очень

высокую эффективность

преобразования

энергии, был открыт новый-тип колебаній,

которые ЛПД могут генерировать с высокой эффективно - стыл. Для этого типа колебаний характерно наличие "бегущего слоя умножения" и "состояния захваченной плазмы". .Ценный тип колебаний получил название TRAPfiTT

■ ЩnappedPiestna A\a(antl Trahans)- колебаний.

Названным типам колебаний соответствуют совершен-.

но различные динамические Режимы работы; « А

- Лавинно-пролетный режим для TpjPfiTT -колео'аний; - .Лячинный режим с бегущим слоем умножения (лавш -

• ный режим с захватом носителей) для TRAPА Л -колебаний.

Лавинно-прилетный режим I HPATT .-колебания Возможность генерирования СВЧ-колэбаний диодами п лавин­

но-пролетном режиме базируется на двух особенностях, присущих движению носителей тока в полупроводнике при

сильных электрических полях.

1. В тонком слое лавинного умножения при наличии

переменного электрического поля', между полем и током ла­

вины существует сдвиг по фазе •• cP , примерно, равный ^ ,

причем ток отстает от напряжения-, как было показано на

рис.34.

 

 

 

2 . При движении носителей заряда

в электрическом

поле с напряженностью с

іО*1 ^/с/л

их скорость не

зависит от поля и примерно определяется как

~ і(У ^ .

Из второго свойства-следует, что

время

движения

носителей заряда в ЖІД однозначно определяется размером

пролетного пространства

диода. Следоввт - ѵ * " подобрав

соответствующую длину, промежутка

L ,

можно получить

произвольное значение угла пролета для

заданной часто-

f

\

:

V

Щ

ѣ

'

 

 

где

L

 

измеряется в сантиметрах.

 

 

 

Дополнительный сдвиг .по

фаземежду током и напряжением

іА /

обусловленный

временем, движения

носителей в .ппо-

летном пространстве,

при определенной

величине, »^дол­

жен быть вблизи^”(см.рис.40;

,

Общий' сдвиг (газ между

током- щ..напряжением. во •внешний, дещг диода' в

этом случае

 

 

 

$£'=Ѵ<§.0 следоБателы-іо',

диод обладает

отрицатель-

но

Так

как _угол_прол'ета .в пространстве

.дрейфа достаточ­

$елик (в„р stл .,то

толщина обедненного' слоя

монет быть

взята

относительно'большой, что*по заоляет 'работать- с

высокими напряжениями смещения и получать от ЛПД в не­ прерывном режиме мощности, порядка нескольких ватт.

- - 57, —

ным сопротивлением и способен генерировать колебания. Рассмотрим более по,пробно процесс генерирования колебаний в лавинно-пролетном режиме на примере диода

Рида, изображенного на рис.38 . Как видно из рисунка,': область лавинного разряда локализована в очень узком слое умножения'-.$■&L. К диоду приложено постоянное об­ ратное шйцэяжение смещения—^ ; его величина опреде­ ляет положение рабочей точки диода на вольтамперной / характеристике, которое должно быть таким,•как показа-

Рис.38. Схема генерато-

Рис.ЙЭПоложение рабочей

ра

на диоде Рида..'

точки на характеристике

, Л.

 

 

\ЛПД,соответствующее ре- .

 

 

 

жиму пролетный’ колебаний.

Цопуст»зм,что диод работает в установившемся.режи-’

as ä s

нему приложено переменное напряжение высокой

частоты

U = Um sin C üt

с постоянной амплитудой

UD

( ск.рис.39 J

. В отрицательные'полупершдц переменно­

го напряжения напряженность электрического поля з

слое

умножения

Е>Ещр л происходит лавинный пробой.

 

-5S -

Врезультате ионизации к концу полуперисда высокочас­

тотного напряжений ток лавины достигает максимума и от­ стает по фазе от напряжения на ^ ,как показано на рис.40 . В слое умножения накапливается пространсшвен-

Рис.40.■Изменения' напряжения и тока,соответствую­ щие установившемуся режиму пролетных коле­

баний.

ный заряд положительных носителей-дырок.Влияние заряда

■носителей на поле в диоде пока не будем учитывать.Ртот заряд инжектируется плотным сгустком в пролетное прост­ ранство, где движется с постоянной скоростью

Б течение интервала времени

t np~

 

»пока

 

 

н есіо перенос зарядов в пролетном

пространстве,во

внеш­

ней цепи протекает постоянный наведенный

ток

=

ЬгНсс^

где

- заряд носителя £дырки}; / / — число носителе." в

груше..

Форма тока во внешней

цепи

диода

близка

к

пря-

- 59 -

моугольной, как видно из рис.40 . Максимальный ток про­ текает через пролетное пространство диода в те палупериоды, когда переменное электрическое поле оказывается тормозящим для носителей заряда. Б результате тормозе- ' ніш энергия носителей, полученная ими от источника по­ стоянного напряжения,преобразуется в энергию СВЧ-коле-

баний. ж ■ - Для устойчивой генерации отрицательная проводимость

диода должна уменьшаться при увеличении. ВЧ-напряжения. Необходимая обратная связь в ЛПД осуществляется через влияние пространственного заряда носителей на величину, напряженности электрического поля в слое умножения,ко­ торое до сих пор не учитывалось.При инжекции дырок из области лавины в пространство дрейфа напряженность по­ ля в слое умножения снижается. Появление объемного по­ ложительного заряда дырок в электростатическом поле диода приводит к тому, что напряженность поля справа от него увеличивается, а слева , в слое умнозения^умень-

шается. Уменьшенное пространственным зарядом поле может достигнуть значения £ < £ л ^ раныпе, чем переменное на­

пряжение станет равным нулю. Следовательно, величина фазового запаздывания тока в елое умножения уменьшается, что приводит к снижению отрицательной проводимости.

Выходная модность и эффективность ЛПД

Врежнме лавинно-пролетных колебаний выходная мощ­ ность и эффективность даода в сильной степени зависят от величины угла пролета носителей, тока в пространстве

дрейфа в * .Определение оптимального аначения

^_И|с точ­

ки зрении получения максимальной ваходвоЗ мощности ж

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ