Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Лодиз, Р. Рост монокристаллов

.pdf
Скачиваний:
43
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
35.03 Mб
Скачать

ЛИТЕРАТУРА

347

97. Bundy F. P., в книге Modern Very High Pressure Techniques, Butterworth, London, 1962 (есть перевод: Современная техника сверхвысоких давле­ ний, изд-во «Мир», 1964).

98.Hall Н. Т., Rev. Sci. Instr., 31, 125 (1960).

99.Bundy F. P., et al., Nature, 176, 51 (1955).

100.Pease R. S., Acta Cryst., 5, 356 (1952).

101. Herold A., Marzluf В., Perio P., Compt. Rend., 246, 1866 (1957).

102.Wentorf R. #., Jr., Journ. Chem. Phys., 26, 956 (1957).

103.Wentorf R. H., Jr., Journ. Chem. Phys., 34, 809 (1961).

104.

Coes

L . , Jr., Science,

118, 131 (1953).

105.

Boyd

F. R., England

J. L . , Journ. Geophys. Res., 65, 749 (1960).

106.Keat P. P., Science, 120, 328 (1954).

107.Chao E. С. Т., et al., Journ. Geophys. Res., 67, 419 (1962).

108.

Dachille

F., Roy

R.,

Zs.

Krist., I l l , 459 (1959); Journ. Am.

Ceram.

Soc,

 

42, 78 (1959).

 

 

 

 

 

 

 

 

109.

Bridgman

P. W., The Physics of High Pressure, London, 1949

(есть

пере­

 

вод: П. Бриджмен, Физика высоких давлений, М.—Л., 1951).

 

 

110.

Натапп

S. £>., Physico-Chemical Effects of

Pressure, New York, 1957.

 

111.

Bradley

R. S.,

High

Pressure Physics

and

Chemistry, Vol. 1

and 2,

Aca-

 

demic Press, New

York,

1963.

 

 

 

 

112.

Harrison

D. E.,

Journ. Appl. Phys., 36.

1680

(1965).

 

 

113.Keezer R. C„ Wood C, Moody J. W„ Crystal Growth, ed. H. S. Peiser, Pergamon, New York, 1957, p. 119.

114*. Китайгородский

А.

И.,

Мнюх

Ю. В., Асадов

Ю,

Г., Механизм

и кине­

тики кристаллизации, Минск, 1964, стр. 360.

 

 

 

115*. Мнюх Ю. В.,

Мусаев

Н.

И.,

Китайгородский

А. И.,

ДАН СССР,

174 (2),

345(1967).

116.Асадов Ю. Г., Кристаллография, 12 (4) (1967).

117*. ГГетропавлов

Н.

//.,

Мнюх

 

Ю.

В.,

Кристаллография,

16 (3),

643 (1971).

118*. Мусаев

 

Н.

И.,

Мнюх

Ю.

В.,

Кристаллография,

15 (3) 555

(1970).

 

119*. Цинзерлинг

 

Е. В., Искусственное двойникование кварца, Изд-во АН

 

СССР,

1961.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

120.

New

York Times, May

29, 1971,

p.

1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К г л а в е

5

 

 

 

 

 

 

 

1.

Bridgman

P. W., Proc. Am. Acad. Arts

Sci.,

60, 303

(1925).

 

 

 

2.

Stockbarger

D. C,

Rev.

Sci. Instr., 7, 133 (1936).

 

 

 

 

 

 

3.

Stockbarger

D. C,

Disc. Farad. Soc,

5,

294,

299

(1949).

 

 

 

 

4.

Tammann

G., Metallography,

New

York, 1925, p.

26.

 

 

 

 

5.

Обреимов

И. В., Шубников

 

А. В , Zs. Phys., 25, 31

(1924).

 

 

 

6.

Buckley

 

И.

Е.,

Crystal

Growth,

Wiley, New York, 1951 (есть перевод:

 

Бакли

Г.,

Рост

кристаллов,

 

ИЛ,

1954).

 

 

 

 

 

 

 

 

7.

Smakula

 

A.,

Einkristalle,

Berlin, 1962, pp. 214, 238.

 

 

 

 

 

8.

Gilman

J. /.,

в

книге

The Art

and

Sciene

of Growing

Crystals, New

York,

 

1963, pp. 214, 314, 343, 365,

381, 410

(есть

перевод: Теория

и практика вы­

 

ращивания кристаллов, М., 1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9.

Tanenbaum

М.,

в

книге Solid

State Physics, vol. 6,

Part

A,

New

York,

 

1959,

p.

86.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10.

Lawson

W.

D.,

Nielsen

S., в книге Preparation of Single Crystals, Butter-

 

worths, London, 1958, p. 14 (есть перевод: в сб. «Процессы роста и выра­

 

щивание монокристаллов», ИЛ, 1963, стр. 11).

 

 

 

 

 

 

11.

Rhodes

R.

G.,

Imperfections

and

Active Centers

in Semiconductors,

New

 

York,

1964,

p.

125.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12.

Aust

К. Т.,

Chalmers

В.,

Can. Journ. Phys., 36, 977

(1958).

 

 

 

13.

Chalmers

В.,

Proc. Roy.

Soc,

 

A175,

100

(1940).

 

 

 

 

 

 

348

 

 

 

Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

 

14.

Fleischer

R.

L . ,

Davis

R. S., Trans. AIME, 215, 665 (1959).

15.

Guggenheim

H., Journ. Appl. Phys., 32, 1337 (1961); 34,

2482 (1963).

16.

Werntck

J. H.,

Benson

K., Dorsi D.,

Journ. Metals, 9, 996

(1957).

17.

Lovell L . C,

Wernick

J. #., Journ.

Appl. Phys., 30, 234

(1959).

18.Nix F. C, Rev. Sci. Instr., 9, 426 (1938).

19.Siegel S., Phys. Rev., 57, 537 (1940).

20. Wernick J. #., Davis H. A l , Journ. Appl. Phys., 27, 149 (1956).

21.Rowland P. R., Trans. Farad. Soc, 47, 193 (1951).

22.Капица П., Proc Roy. Soc., A119, 358 (1928).

23.

Andrade

E.

N.

daC,

Roscoe

R., Proc. Phys. Soc, 49, 152 (1937).

24.

Lawson

W.

D.,

Journ.

Appl. Phys., 22,

1444

(1951); 23,

495 (1952).

25.

Edmund

J.

Т.,

Brown

R. F.,

Cunnell

F. A.,

Services

Electron. Res. Lab.

 

Tech. Journ.,

6,

123 (1957).

 

 

 

 

26.Guggenheim H., Journ. Phys. Chem., 64, 938 (1960).

27.McAfee К. В., Journ. Chem. Phys., 28, 218 (1958).

28. Guggenheim H. J., Kane J. V., Appl. Phys. Letters, 4, 172 (1964).

29.Fong F. K-, Journ. Chem. Phys., 41, 2291 (1964).

30.Fong F. K-, Journ. Chem. Phys., 41, 245 (1964).

31.Czochralski J., Zs. Phys. Chem., 92, 219 (1917).

32.Teal G. K., Little J. В., Phys. Rev., 78, 647 (1950).

33. Nassau K., Van Uitert L . G., Journ. Appl. Phys., 31, 1508 (1960).

34.Nassau K., Broyer A. M., Journ. Am. Ceram. Soc, 45, 474 (1962); Journ. Appl. Phys., 33, 3064 (1962).

35.

Johnson L . F., Nassau K., Proc. IRE, 49, 1704 (1961).

36.

Kyropoulos S., Zs. f. Anorg. Chem., 154, 308 (1926).

37.Kyropoulos S., Zs. f. Phys., 63, 849 (1930).

38.Simpson P. G., Induction Heating, New York, 1960.

39.

Brown

H.

G., Hoyler

C. N.,

Bierwith

R. A., Theory

and

Applications of

 

Radio Frequency Heating, Princeton, N . J., 1947.

 

 

 

40.

Rubin

J. /.,

Van Uitert L . G.,

Journ. Appl. Phys., 37, 2920

(1966).

41.

Rubin

J. J.,

Van Uitert

L . G., Mater. Res. Bull., 1, 211

(1966).

42.

Carruthers

J. R., Nassau K.,

Journ. Appl. Phys.,

39,

5205

(1968).

43.

Slichter W.

P., Burton

J. А.,

в книге

Transistor

Technology, vol. I , Prin­

 

ceton,

N . J.,

1958, p. 107.

 

 

 

 

 

44.Reed Т. В., в книге Crystal Growth, New York, 1967, p. 39.

45.Bitlig E., Proc. Roy. Soc, A229, 346 (1955).

46.

Wilcox

W. R.,

Fullmer L . D.,

Journ. Appl.

Phys., 36, 2201 (1965).

47.

Dash

W. С , в

книге Growth

and Perfection

of Crystals, New York, 1958,

p.31.

48.Edwards W. D., Can. Journ. Phys., 38, 439 (1960).

49.Cochran W. G., Proc. Cambr. Phil. Soc, 30, 365 (1934).

50.Goss A. J., Adlington R. E., Marconi Rev., 22, 18 (1959).

51.

Muller A., Wilhelm A l , Zs. Naturforsch., 19a,

254 (1964).

52.

Hurle

D. T. J., Phil. Mag., 13, 305 (1966).

 

 

53.

Cole

G. S., Winegard

W. C, Can. Met. Quart.,

1, 29

(1962).

54.

Ballman

A. A., Journ.

Am. Ceram. Soc, 48, 112 (1965).

55.

Utech

H.

P., Flemings

M. C, Journ. Appl. Phys.,

37, 2021 (1966).

56.Theuerer H. C, Trans. AIME, 206, 1316 (1956).

57.Thurmond C. D., в книге Proc. of the Conference on Properties of Elemental and Compound Semiconductors, New York, 1959, p. 121.

58.Trumbore F. A., Bell. System Tech. Journ., 39, 205 (1960).

59.Leverton W. F., Journ. Appl. Phys., 29, 1241 (1958).

60.

Schafer

H.,

Hornle

R., Zs. f. Anorg. Allgem. Chem., 263,

261 (1950).

61.

Dash W. C,

Journ. Appl. Phys., 31, 736, 2275 (1960).

 

62.

Nassau

K.,

Loiacono

G. A l , Journ. Phys. Chem. Solids, 24,

1503 (1963).

63.Nassau K., Journ. Phys. Chem. Solids, 24, 1511 (1963).

64.Johnson L . F., et al., Phys. Rev., 126, 1406 (1962).

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

 

349

65.

Van

Uitert

L . G.,

Rubin J. J.,

Bonner

W. A., Journ. Am. Ceram. Soc,

46,

 

512

(1963).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

66.

Van

Uitert

L . G.,

Preziosi

S.,

Journ.

Appl. Phys., 33, 2908 (1962).

 

 

67.

Preziosi

S.,

Soden

R.

R.,

Van

Uitert

L . G., Journ. Appl. Phys., 33,

1893

 

(1962).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

68. Ballman

A. A., Journ. Am. Ceram. Soc, 48, 112 (1965).

 

 

69. Nassau

K.,

Levenstein

H.

J.,

Loiacono

G. M., Journ. Phys. Chem.

Solids,

 

27, 983

(1966).

 

 

 

 

 

 

 

 

70.

Lerner

P., Legras

C,

Dumas

J. P., Journ. Cryst. Growth., 3 (4), 231

(1968).

71.Van Uitert L . G., Rubin J. J., Bonner W. A., IEEE Journ. Quantum Elec­ tronics, QE4, 622 (1968).

72.

Monforte

F. R.,

Swanekamp

F. W.,

Van

Uitert L . G.,

Journ. Appl. Phys.,

 

32. 959

(1961).

 

 

 

 

 

 

 

 

73.

Cnarvat

F. R.,

Nestor

О. H.,

Smith

J.

C, Semiannual

Techn. Rep.,

Con­

 

tract

No. 4132 (00), ARPAN 306-62,

Union Carbide, Linde

Division,

Speed­

 

way

Laboratories, Indianapolis, 1965.

 

 

 

 

 

74.

Paladino

A. E.,

Roiter

B. D.,

Journ. Am. Ceram. Soc,

47,

465 (1964); 49,

51 (1966).

75.Linares R. C., Solid State. Commun, 2, 229 (1964).

76.

Bardsley

W., Cockayne

В., в книге Crystal Growth, New York, 1967,

p. 109.

77.

Gremmelmaier

R.,

Zs. f. Naturforsch.,

11a,

511

(1956).

 

78.

Metz

E.

P.

A., Miller

R.

C,

Mazelsky

J.,

Journ.

Appl. Phys., 33,

2016

 

(1962).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

79.

Mullin

J. В., et

al., Journ. Cryst. Growth., 3—4, 281 (1968).

 

80.

Reed

Т. В.,

Pollard

E. R., Journ. Cryst. Growth, 2, 243

(1968).

 

81.

Pfann

W.

G.,

Zone

Melting,

2nd

ed.,

New York, 1966 (есть перевод:

 

Пфанн В., Зонная

плавка,

изд-во «Мир»,

1970).

 

 

82.

Keck

Р. #.,

Golay

М. J. Е.,

Phys. Rev., 89,

1297

(1953).

 

83.

Emeis

R., Z. Naturforsch, 9a, 67 (1954).

 

 

 

 

 

84.

Heywang

W., Ziegler

G., Zs. f. Naturforsch., 9a,

561

(1954).

 

85.Heywang W., Zs. f. Naturforsch., 11a, 238 (1956).

86.Introduction to Electron Beam Technology, New York, 1962.

87.Class W., Nestor H. R., Murray G. Т., в книге Crystal Growth, New York, 1967, p. 75.

88.

Verneuil

A., Compt. Rend., 135, 791

(1902); 151,

1063

(1911).

 

89.

Merker

L . ,

FIAT Rept. No. 1001 (1947).

 

 

 

 

 

90. Попов

С. К.,

в сб. «Рост кристаллов», т. 2, М., 1959, стр. 140.

 

91.

Bauer

W. И.,

Field W. G., в

книге

The Art and

Science of Growing

Crys­

 

tals, New

York, 1963,

p.

398

(есть

перевод: Теория

и

практика выращи­

 

вания кристаллов, М., 1968).

 

 

 

 

 

 

 

92.

Keck Р. Н., et al., Rev. Sci. Instr., 25, 298 (1954).

 

 

 

 

93. Dickinson

S.

K., Field

W. G.,

1956,

в книге The

Art and Science of Grow­

 

ing Crystals,

New York, 1963 (есть перевод:

Теория

и

практика

выра­

щивания кристаллов, М., 1968).

 

 

 

 

 

 

 

94.

Reed Т. В.,

Journ. Appl. Phys., 32, 821, 2534 (1961).

 

 

 

 

95.

Zilitinkovich

S. J., Telegr. i Telef. b. Provod., 9 (6), 51

(1928).

 

96.

Cobine

J.

D.,

Wilbur

D. A.,

Journ.

Appl. Phys., 22,

835

(1951).

 

97.

De LaRue

R.

E., Halden

F. A., Rev. Sci. Instr.,

31, 35

(1960).

 

98.Thermal Imaging Techniques, New York, 1964.

99.Wagner R. S., в книге Metallurgy of Elemental and Compound Semicon­ ductors, New York, 1961.

100. Boiling G.

F.,

Tiller W.

A.,

Journ. Appl.

Phys., 32, 2587

(1961); в

книге

Metallurgy

of

Elemental

and

Compound

Semiconductors,

New York,

1961.

101.7'емкий. Д. E., Кристаллография, 7, 3 (1962).

102.Bennett A. I . , Longini R. L . , Phys., Rev., 116, 53 (1959).

103.Holmes P. J., в книге Metallurgy of Elemental and Compound Semicon­ ductors, New York, 1961.

350

Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

104.John Н. F., Faust J. W., в книге Metallurgy of Elemental and Compound Semiconductors, New York, 1961.

105.

Seidensticker

R.

G.,

Hamilton

D.

R.,

Journ. Phys. Chem. Solids,

24,

1585

 

(1963).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

106.

Schadler

W.

H.,

в книге

The Art

and

Science of Growing Crystals, Wiley,

 

N . Y.,

1963,

p. 344

(есть

перевод: Теория

и

практика

выращивания

кри­

 

сталлов,

М.,

1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

107.

Goss

А.

/., в книге The Art and

Science of Growing Crystals, New York,

 

1963,

p.

314

(имеется перевод:

Теория

и

практика

выращивания

кри­

 

сталлов,

М.,

1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

108.

Berry

С., West

W.,

Moser

F.,

в

книге The

Art and

Science of

Growing

 

Crystals,

Wiley,

N.

Y.,

1963,

p.

226 (есть перевод: Теория и практика

 

выращивания кристаллов, М., 1968).

 

 

 

 

 

 

109.

Stansfield

£>., Phil. Mag.,

1,

934

(1956).

 

 

 

 

 

ПО.

Elam

С.

F., Proc. Roy. Soc,

112, 289 (1926).

 

 

 

 

111.Pearson R. F., Brit. Journ. Appl. Phys., 4, 342 (1953).

112.Bowles J. S., Trans. AIME, 189, 44 (1951).

113.Champier G., Compt. Rend., 243, 657 (1956).

114.

Nash

H.

C, Smith

C.

Journ. Phys. Chem. Solids, 9,

113

(1959).

115.

Степанов

И. В., Феофилов

П. П., в

сб. «Рост

кристаллов», т. 1, М., 1957,

 

стр.

229.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

116.

Hoyem A.

G., Tyndatl

Е. Р. Т., Phys. Rev.,

33,

81 (1929).

 

117.

Jona

F.,

Scherrer

P., Helv. Phys. Acta,

25,

35

(1952).

 

 

118.

Pfann

W. G., Olsen

К. M.,

Phys. Rev.,

89,

322

(1953).

 

 

119.

Bennett

D.

C,

Sawyer

В.,

Bell. System

Tech. Journ.,

35,

637 (1956).

120.

Richards

J.

L., Journ.

Appl. Phys., 31, 600

(1960).

 

 

121.Carlson R. G., Journ. Electrochem. Soc, 106, 49 (1959).

122.Schadler H. W., Trans. AIME, 218, 649 (1960).

123.

Geach

G.

A.,

Jones

F. O.,

Journ.

Less Common Metals, 1, 56 (1959).

 

124.

Попов

С.

К.,

Изв.

АН

СССР,

сер. физич.,

10

(5—6),

505

(1946).

 

125.

Alexander

А. Е., Journ. Chem. Educ,

23,

418

(1946).

 

 

 

 

126.

Verneuit A., Nature, 32, 177 (1904); Ann. Chim. Phys., 3, 20 (1904).

 

127.

Икорникова

H.

Ю.,

 

Попова

А.

А.,

ДАН

СССР,

106 (3), 460 (1956).

128.

Farben

I . G., FIAT, Rev. Ger. Sci.

Rept. No. 655

(1945).

 

 

 

 

129.

Bauer

W.

H.,

Gordon

I . ,

Moore

С.

H.,

Journ. Am. Ceram.

Soc,

33,

140

 

(1950).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

130.

Gillette

R.

H.,

Rev. Sci. Instr.,

21,

294

(1950).

 

 

 

 

 

 

131.

Zerfoss

S.

L . R.,

Johnson

 

L . R.,

lmber

O.,

Phvs. Rev., 75, 320 (1949).

 

132.

Alexander

A. E., Journ. Chem. Educ,

26,

254

(1949).

 

 

 

 

133.

Merker

L . , Trans. AIME,

202,

645 (1955).

 

 

 

 

 

 

 

134.

Halden

F. A.,

Sedlacek

R.,

Rev. Sci. Instr., 34,

622

(1963).

 

 

 

 

135.

Lefever

R.

Л.,

R«v. Sci. Instr.,

33,

769, 1470

(1962).

 

 

 

 

136.

Halden

F.

А.,

в книге Thermal Imaging Techniques, New

York,

1964,

p.

193.

137.

Poplawsky

P.

P-, в

книге

Thermal

Imaging

Techniques,

New

York,

1964,

p. 269.

138.Witt A., Gatos H., Journ. Electrochem. Soc, 4, 511 (1969).

139.Fischer A. G., Journ. Electrochem. Soc, 117, 41C (1970).

140. Storey R. N., Laudise R. A., Journ. Cryst. Growth, 6, 261 (1970).

141.Материалы 1-го совещания по получению полупроводниковых монокри­ сталлов способом Степанова и перспективам их применения в приборо­ строении, Л., 1968.

142.Степанов А. В., в сб. «Проблемы современной кристаллографии», изд-во «Наука», 1973.

143.

La Belle

Н. Е.,

Mlavsky

А.

/.,

Nature,

216,

574

(1967).

 

144.

Chalmers

В., La

Belle

Н.

Е.,

Mlavsky

А.

/.,

в книге

Crystal Growth, eds.

 

R. A. Laudise,

J.

B. Mullin, B. N. Mutaftschiev, Amsterdam, 1971, p. 84.

145*. Леммлейн

Г.

Г.,

Секториальное строение

кристалла,

М., 1948,

 

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

 

 

 

351

 

 

 

 

 

 

К г л а в е

6

 

 

 

 

1.

Brenner

S. S.,

в

книге

The Art

and

Science

of

Growing

Crystals,

ed.

 

J. J. Gilman, New York, 1963, p. 30 (есть перевод: Теория и практика вы­

 

ращивания кристаллов, М., 1968).

 

 

 

 

 

 

2.

Bradley

R. S.,

в

книге

 

The Art

and

Science

of

Growing

Crystals,

ed.

 

J. J. Gilman, New York,

1963, p. 55.

 

 

 

 

 

 

3.

Reynolds

D. С,

в

книге

The Art

and

Science

of

Growing

Crystals,

ed.

 

J. J. Gilman, New York,

1963, p. 62.

 

 

 

 

 

 

4.

Glang R., Wajda

E. S.,

в

книге The Art and Science of Growing Crystals,

 

ed. J. J. Gilman, New York, 1963, p. 80.

 

 

 

 

 

5.

O'Connor

J. R.,

в

книге

The Art

and

Science

of

Growing

Crystals,

ed.

J. J. Gilman, New York, 1963, p. 93.

6.Mason B. J., в книге The Art and Science of Growing Crystals, ed. J. J. Gil­ man, New York, 1963, p. 119.

7. Antell G. R., в книге Compound Semiconductors, Vol. I , eds. R. K. Willar-

son, H . L. Goering, New

York, 1962, p. 288.

8. Metallurgy of Elemental

and Compound Semiconductors, Vol. 12, ed. O. Gru-

bel, New York, 1961.

 

9.Vapor Deposition, eds. C. F. Powell, J. H. Oxley, J. M . Blocker, New York, 1966.

10.Schafer H., Chemical Tansport Reactions, New York, 1964.

11.Single Crystal Films, eds. M . H . Francombe, H . Sato, New York, 1964.

12.

Ellis

W.

С ,

в книге Techniques of Metals Research,

ed.

R. F.

Bunshah,

 

Vol. I , Part 2, New York, 1968.

 

 

 

 

 

 

13.

Silicon Carbide — A

High Temperature

Semiconductor,

eds. J. R.

O'Connor,

 

J. Smiltens, New York, 1960.

 

 

 

 

 

 

14.

Reed

Т. В.,

LaFleur

W. J., Appl. Phys. Letters, 5, 191

(1964).

 

15.

Sears

G. W., Acta Met., 3, 367

(1955).

 

 

 

 

 

16.

Price

P. В.,

Phil. Mag., 5, 473

(1960);

Journ.

Appl. Phys.,

32, 1746 (1961),

17.

Coleman

R.

V., Sears

G. W., Acta Met. 5, 131

(1957).

 

 

 

18.Piper W. W., Polich S. J., Journ. Appl. Phys., 32, 1278 (1961).

19.Lely J. A., Ber. Deut. Keram. Ges., 32, 229 (1955).

20. Hamilton

D. R., в книге Silicon Carbide — A

High

Temperature

Semicon­

 

ductor, eds. J. R. O'Connor, J. Smiltens, New

York,

1960, p.

67.

 

21.

Marcus

R. В., Journ. Appl. Phys. (в печати).

 

 

 

 

22.

Holland

L., Vacuum Deposition of Thin Films,

London, 1963,

p. 671.

23.

Theuerer

H.

C,

Hauser

J. J., Journ. Appl. Phys., 35,

554 (1964).

 

24.

Theuerer

H. C,

Hauser

J. J., Trans. AIME,

233, 588 (1965).

 

 

25. Schwartz

N., в

книге Transactions of the 10th National Vacuum

Sympo­

 

sium, New York, 1963, p. 325.

 

 

 

 

 

 

26.

Sinclair

W. R.,

Peters

F. G., Stillinger

D.

W.,

Koonce

S. E.,

Journ.

Electro-

 

chem. Soc,

112,

1096

(1955).

 

 

 

 

 

 

27.

Williams

J.

C,

Sinclair

W. R., Koonce

S.

£.,

Journ.

Am. Сегчт .

Soc, 46,

161(1963).

28.Berry R. W'., Bell Lab. Record, 41, 46 (1963).

29. Brewer L . , в книге

The Chemistry and Metallurgy of Miscellaneous Mate­

rials, ed. L. I . Quill,

New York, 1950.

30.Kelley К. K., U. S. Bur. Mines Bull., 383 (1935).

31.Coughtin J. P., U. S. Bur. Mines Bull., 542 (1954).

32.Glassner, Alvin, The Thermochemical Properties of Oxides, Chlorides and

 

Fluorides

to

2500 K,

Argonne National Laboratory Rept. 5750, 1957.

 

33.

Sagal

M.

W., неопубликованный

отчет,

Bell Telephone laboratories,

1966.

34.

Oxley

J.

H.,

Blocker

J. M.,

Journ.

Electrochem. Soc, 108, 460 (1961).

35.

Lustman

В.,

Kerze F., The

Metallurgy of

Zirconium, New York, 1955.

 

36.

Scholz

H., Kluckow

R., в

книге

Crystal

Growth, ed. H. S. Peiser,

New

 

York,

1967,

p. 475.

 

 

 

 

 

352

 

 

 

 

 

Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

 

 

 

 

 

37. van

Arkel

А.

Е.,

de

Boer

J.

H.,

Zs. f. Anorg. Allgem. Chem.,

148, 345

 

(1925).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

38.

van

Arkel

A. E., Metallwirtschait, 13, 405

(1934).

 

 

 

 

 

 

39.

Campbell

I . £., Jaffee

R. I . , Blocker

J. M., Garland

J.,

Gonser

W. В.,

Trans.

 

Journ. Electrochem. Soc, 93, 271 (1948).

 

 

 

 

 

 

 

40.

Schafer

H., Jacob

H., Etzel

K., Zs. f. Anorg. Allgem. Chem.,

286,

42

(1956).

41.

Чижиков

Д. M., Гринько

А. М., Журн. неорг. химии,

4 (5), 979

(1959).

42.

Rolsten

R. F.,

Iodide Metals and Metal Iodides, New York, 1961.

 

43.

Czyzak

S. J.,

Craig D. J., McCain

С. E.,

Reynolds

D. C,

Journ. Appl. Phys.,

 

23, 932

(1952).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

44.

Greene

L . C,

Reynolds D. C,

Czyzak

S. J., Baker W.

M.,

Journ. Chem.

 

Phys., 29, 1375 (1958).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

45.

Samelson

H.,

Brophy

V. A., Journ. Electrochem. Soc,

108, 150 (1961).

46.

Kaldis

E.,

Widmer

R.,

Journ. Phys. Chem. Solids, 26,

1697

(1965).

 

47.

Kaldis

E., Journ. Phys. Chem. Solids, 26, 1701 (1965).

 

 

 

 

 

48.

Brenner

S. S.,

Journ. Appl. Phys.,

27, 1484 (1956); Acta

Met., 4,

62

(1956).

49.Theuerer H. C, Journ. Electrochem. Soc, 108, 649 (1961).

50.Mark A., Journ. Electrochem. Soc, 108, 880 (1961).

51. Moest R. R.,

Shupp

B. R., Journ. Electrochem. Soc, 109, 1061 (1962).

52. Webb W. W., Forgeng

W. D., Journ. Appl. Phys., 28, 1449 (1957).

53. Schaffer P. S.,

Journ. Am. Ceram. Soc, 48, 508 (1965).

54.Schaffer P. S., Vapor Phase Growth of Ruby Monocrystals, Semiannual Technical Report, Contract No. NONR-4574 (00) -1 ARPA Order № 306, Office of Naval Research, Physical Services Division, Karlington, February 1966, Lexington Laboratories, Cambridge, Mass.

55.

DeVries

R. C, Sears

G. W., Journ. Chem. Phys.,

31,

1256

(1959).

56.

Kerrigan

 

J. V., Journ. Appl. Phys., 34, 3408 (1963).

 

 

 

 

 

 

57. Edwards

 

P. L . , Happel

R. J., Jr., Journ. Appl. Phys.,

 

33,

943

(1962).

58.

Tung S.

K-, Caffrey

R.

E., Trans. Met. Soc. AIME,

233,

572

(1965).

59.

Steinmaier

W., Bloem

J., Journ. Electrochem. Soc,

111,

206

(1964).

60.

Frosch

C. J., Journ. Electrochem. Soc,

111, 180 (1964).

 

 

 

 

 

61.

Thurmond

C. D., Frosch

C. /., Journ.

Electrochem. Soc,

111,

184 (1964).

62.Holonyak N. Jr., Jillson D. C, Bevacqua S. F., в книге Metallurgy of Ele­ mental and Compound Semiconductors, ed. J. B. Schroder, Vol. 15, New York, 1962, p. 49.

63.Holonyak N., Jr., Trans. AIME, 230, 276 (1964).

64.Nitsche R., в книге Crystal Growth, ed. H . S. Peiser, New York, 1967, p. 215.

65.Thorpe's Dictionary of Applied Chemistry, eds. J. F. Thorpe, M . A. Whiteley,

Vol. I I ,

New York, 4th ed.,

1961, p. 357.

66. Marinace

J. C, IB M Journ.

Res. Develop., 4, 248 (1960).

67.Wajda E. S., Glang R., в книге Metallurgy of Elemental and Compound Semiconductors, Vol. 12, ed. R. O. Grubel, New York, 1961, p. 229.

68.Maunail J. C, Baker W. E., Compton D. M. J., в книге Metallurgy of Ele­ mental and Compound Semiconductors, Vol. 12, ed. R. O. Grubel, New York, 1961, p. 271.

69.Compound Semiconductors, Vol. I , eds. R. К,- Willardson, H . L. Goering, New York, 1962.

70.Riebling E. F., Webb W. W., Science, 126, 309 (1957).

71.Webb W. W., Journ. Appl. Phys., 36, 214 (1965).

72.

Kagdis

W. A., Journ. Electrochem. Soc, 109, 71C

(1962).

 

 

 

73.

Joyce

B. A.,

Bradley R. A., Journ. Electrochem. Soc,

110, 1235 (1963).

74.

Sangster

R.

C,

Maverick

E. F.,

Croutch M.

L . , Journ. Electrochem.

Soc,

 

104, 317

(1957).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

75.

Allegretti

J.

£.,

Schombert

D. J.,

Schaarschmidt

E.,

Waldman

J.,

в книге

 

Metallurgy

of

Elemental

and

Compound

Semiconductors,

Vol.

12,

ed.

R.O. Gruble, New York, 1961, p. 255.

76.Litton F. В., Anderson H. C, Journ. Electrochem. Soc, 101, 287 (1954).

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

 

збз

 

 

 

 

 

 

 

77.

McCarty L . V., Journ. Electrochem. Soc,

106, 1036 (1959).

 

 

78.

Herrick

C. S., Krieble J.

0., Journ. Electrochem. Soc, 107,

111

(1960).

79.

Monchamp

R. R.t McAleer

W. J., Pollak

P. /., Journ. Electrochem. Soc, 111,

 

879 (1964).

 

 

 

 

 

 

80.

Miller

K. J., Orieco

M. J., Journ. Electrochem. Soc, 110, 1252

(1963).

81.

Steinmaier

W., Phillips Res. Rept, 18, 75

(1963).

 

 

82.

Kendall

J. Т., в книге Silicon Carbide — A High Temperature

Semiconductor,

 

eds. J.

R. O'Connor,

J. Smiltens, New York, 1960, p. 67.

 

 

83.Jeffes J. H. £., Journ. Cryst. Growth, 3—4, 13 (1968).

84.Nitsche R., Fort. Mineral., 44, 231 (1967).

85.Nicoll F. H., Journ. Electrochem. Soc, 110, 1165 (1963).

86. Hoss

P.

A.,

Murray

L . A.,

Riviera

J.

J., Journ.

Electrochem.

Soc, 118

 

(1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

87. Mee J. £.,

Archer

L . ,

Meade

R. H.,

Hamilton

T. N.,

Journ. Appl. Phys., 10,

289

(1967).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

88. Mee

J. E.,

IEEE Trans, on Magnetics, 3-MAG,

190 (1967).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

г л а в е

7

 

 

 

 

 

 

1.

Van Hook A., Crystallization — Theory and Practice,

 

New York,

1961, p. 209.

2.

Buckley

 

H. E., Crystal Growth, New York,

1951, p.

43

(имеется

перевод:

 

Г. Бакли,

Рост кристаллов, ИЛ, 1954).

 

 

 

 

 

 

3.

Holden

A.,

Singer

P.,

Crystals

and

Crystal

Growing, New York,

1960.

4.

Holden

A.,

Thompson

 

R. H.,

Growing Crystals with

a

Rotary Crystallizer,

 

New York,

1964.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5.

Petrov

Т.,

Treivus

E.,

Kasatkin

A.,

Growing Crystals

from Solution, New

 

York, 1969

(см. Т. E.

Петров,

E. Б.

Tрейву с, А.

Б. Касаткин,

Выращи­

 

вание кристаллов из растворов, Л., 1967).

 

 

 

 

 

 

6.Void R. D., Void М. /., в книге Techniques of Organic Chemistry, Vol. 1, Part I , ed. A. Weissberger, New York, 1949, ch. 7.

7.Linke W. F., Solubilities of Inorganic and Metal Organic Compounds

(Revision of Seidell's Solubilities), Vol. 2, Princeton, N. J., 1965.

8.Stephen H., Stephen Т., Solubilities of Inorganic Compounds, 5 Vols., New York, 1963.

9.

Gibbs

W. E.,

Clayton W., Nature, 113, 492 (1924).

10.

Walker

A. C,

Kohman G. Т., Trans. Am. Inst. Elec. Eng., 67, 565 (1948).

11.Walker A. C, Bell. Labs. Record, 25, 357 (1947).

12.Holden A. N., Disc. Faraday Soc, 5, 312 (1949).

13. Yamamoto Т., Bull. Inst. Phys. Chem. Res. (Tokyo), 17, 1278 (1938).

14.Wagner R. S., в книге Whisker Technology, ed. A. P. Levite, New York, 1969.

15.Kohman G. Т., Bell. Lab. Record, 28, 13 (1950).

16.Vonnegut K., Jr., Cat's Cradle, New York, 1963.

17. Kotb E. D., The Physics of Selenium and Tellurium, New York, 1969,

155p.

18.Liesegang R. E., Zs. Physik. Chem. (Leipzig), 88, 1 (1914).

19.

Bradford

S. С,

в книге Colloid Chemistry, ed. J. Alexander, New York,

 

1926, p. 790.

 

20.

Holmes

H. N., в книге Colloid Chemistry, ed. J. Alexander, New York,

 

1926, p. 796.

 

21.

Ostwald

W., Zs. Phys. Chem., 27, 365 (1897).

22.

Rayleigh

(Lord),

Phil. Mag . 38, 738 (1919).

23.Henisch H. K., Dennis J., Hanoka J. I . , Journ. Phys. Chem. Solids, 26, 493 (1965).

24.Henisch H. K., Hanoka J. I . , Dennis J., Journ. Electrochem. Soc, 112, 627 (1965).

12 Зак, 718

354

 

 

 

Р. лодиз. РОСТ

МОНОКРИСТАЛЛОВ

 

 

 

 

25.

Eshelby

J. D., Journ. Appl. Phys., 24, 176 (1953).

 

 

 

 

 

 

26.

O'Connor

J. J., DIPietro

M. A.,

Armington

A.

F.,

Rubin

В.,

Nature,

212,

 

68 (1966).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

27.

Dennis

J.,

Henisch H.

K.,

Journ.

Electrochem.

Soc, 114,

263

(1967).

28.

Wakim

F.

G., Henisch

H.

K., Atwater H.,

Journ.

Phys. Chem., 42,

2619

 

(1965) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

29.

Perloff

D.

S., Wold А., в книге

Crystal

Growth,

ed. H. S. Peiser,

New

 

York,

1967, p. 361.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30.

Harrison J.

A., Rangarajon

S. K-, Trisk

H.

R.,

Journ.

Electrochem.

Soc,

 

113, 1120

(1966).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

31.

Damojanovic

A., Plating, 52, 1017

(1965).

 

 

 

 

 

 

 

 

32.

Price

P. В.,

Vermilyea

D. A., Webb M.

В.,

Acta

Met.,

6,

524

(1958).

33.Ballman A., Laudise R. А., в книге The Art and Science of Growing Crys­ tals, ed. J. J. Gilman, New York, 1963, p. 231.

34.

Laudise

R.

А., в

книге Progress in Inorganic Chemistry,

Vol. I l l , ed.

 

F. A. Cotton, New

York,

1962, p. 1.

 

35.

Laudise

R,

A.,

Nielsen

J. W., в книге Solid State Physics,

Vol. 12, eds.

 

F. Seitz,

D. Turnbull, New York, 1961.

 

36.

de Senarmont

H.,

Ann. Chim. Phys., 32, 129 (1851).

 

37.Spezia G., Acad. Sci. Torino Atti, 40, 254 (1905).

38.Bridgman P. W'., The Physics of High Pressure, London, 1949 (имеется

 

перевод: П.

Бриджмен,

Физика

высоких

давлений, М.-Л., 1951).

39.

Morey

G. W., Niggli

P.,

Journ.

Am. Chem.

Soc, 35, 1086 (1913).

40.

King

J. C,

Wood D.

L . , Dodd D. M., Phys.

Rev. Letters, 4, 500 (1960).

41.Laudise R. A., Kolb E. D., Endeavour, 28 (105), 114 (1969).

42.Kennedy G. C, Am. Journ. Sci., 248, 540 (1950).

43. Monchamp R. R., Puttbach R. C, Nielsen J. W., Journ. Cryst. Growth,

2, 178 (1968).

44.Roy R., Tultle O. F., Phys. Chem. Earth, 1, 138 (1956).

45.Barns R. L . , Laudise R. A., Shields R. M., Journ. Phys. Chem., 67, 835 (1963).

46.

Marshall

D. J.,

Laudise

R. А., в

книге

Crystal

Growth,

ed. H . S. Peiser,

 

New York, 1966, p. 557.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

47.

Laudise

R. A., Journ. Am. Chem. Soc, 81, 562 (1959).

 

 

 

 

 

 

48.

Laudise

R. A.,

Sullivan

R. A., Chem. Eng. Progr., 55, 55 (1959).

 

 

 

49.

Laudise

R.

А.,

в книге

The

Art

and

Science

of

Growing

Crystals,

ed.

 

J. J. Gilman, New York,

1963, p. 252, 261.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50.

Kolb

E.

D.,

Laudise

R.

A., Journ. Am. Ceram.

Soc, 49, 302 (1966).

 

 

51.

Laudise

R. A.,

Balman

A. A., Journ. Phys. Chem., 64,

688

(1960).

 

 

52.

Kolb

E.

D., Wood D. L . , Spencer

E. G.,

Laudise

R. A.,

Journ. Appl. Phys.,

 

38, 1027

(1967b).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

53.

Ballman

A.

A.,

Laudise

R.

A., Rudd

D. W.,

Appl. Phys.

Letters,

8,

53

 

(1966) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

54.

Nielsen

J. W., Foster

F. G.,

Am. Mineralogist,

45,

299

(1960).

 

 

 

55.

Laudise

R. A.,

Ballman

A. A., Journ. Am. Chem. Soc,

80, 2655 (1958).

 

56.

Kolb

E.

D.,

Wood

D.

L . , Laudise R.

A.,

Journ.

Appl.

Phys.,

39,

1362

 

(1968).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

57.

Laudise

R.

A.,

Kolb

E.

D.,

DeNeufville

J.

P.,

Am. Mineralogist

50,

382

 

(1965).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

58.Monchamp R. R., Puttbach R. C, Hydrothermal Growth of Large Ruby Crystals, ASD Project No. 8-132, AF Contract 33 (657) 10508, September 1964.

59.

Laudise R.

A., Kolb E. D.,

Journ.

Am. Ceram. Soc, 45, 51 (1962).

60.

Monchamp

R. R., Puttbach

R. C,

Nielsen J. W., Hydrothermal

growth of

 

Zinc Oxide

Crystals, Final Report for Contracts AF33 (657)-8795 and

 

AF33(615)-2228 Technical Report

AFML-TR-67-144, Air Force

Materials

 

Laboratory,

Wright-Patterson Air Base, Ohio, June 1967, pp. 119, 143.

ЛИТЕРАТУРА

355

61. Laudise R. A., Kolb E. D., Am. Mineralogist, 48, 642 (1963).

62.Laudise R. A., Kolb E. D., Caporaso A. J., Journ. Am. Ceram. Soc, 47, 9 (1964).

63. Kolb E.

D., Coriell A. S., Laudise R. A., Hutson A. R., Mater. Res. Bull.,

2, 1099

(1967).

64.White E. A. D., в книге Techniques of Inorganic Chemistry, eds. H. B. Jonassen, A. Weissberger, New York, 1965, p. 31.

65.

Laudise

R. A.,

Linares

R.

C,

Dearborn

E. F.,

Journ. Appl. Phys. Suppl.,

 

33, 1362 (1962).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

66.

Hautefeuille

P.,

Perrey

A., Compt. Rend., 108, 1800 (1888).

 

67.

Remeika

J. P., Journ. Am. Chem. Soc,

76, 940 (1954).

 

68.

Wilson

 

C. L . , в книге

Comprehensive

Analytical Chemistry,

eds. C. L. Wil ­

 

son, D. W. Wilson, New York,

1959, p. 27.

 

 

69.

Paschkis

V.,

Persson

J.,

Industrial

Electric

Furnaces and

Applications,

 

Vol. 1, New York,

1960, p. 295.

 

 

 

 

 

70.

Levin

E. M.,

Robbins

C. R.,

McMurdie

H. F.,

Phase Diagrams for Cera­

 

mists,

Columbus,

Ohio,

1964.

 

 

 

 

 

 

71.

Ballman

A. A.,

Laudise

R. A., Journ. Am. Ceram. Soc, 48, 130 (1965).

72.

Bertaut

 

F.,

Forrat

F., Compt. Rend.,

242, 382 (1956).

 

73.

Geller

S,

Gileo

M. A.,

Acta Cryst.,

10, 239 (1957).

 

74.Nielsen J. W., Dearborn E. F., Journ. Phys. Chem. Solids, 5, 202 (1958).

75.Van Hook H. J., Journ. Am. Ceram. Soc, 44, 208 (1961); Single Crystal

Growth

of Garnet

Type Oxides, Parts 1 and 2, AF(19) (604)5511,

prepar­

ed for

Electronics

Research Directorate, U. S. Air Force, Bedford,

Mass.,

January 1961.

 

 

76.Nielsen J. W., Journ. Appl. Phys., 31, 51S (1960).

77.Linares R. C, Journ. Am. Ceram. Soc, 45, 307 (1962).

78.

Grodkiewicz

W.

//.,

Dearborn

E. F.,

Van Uitert

L . G., в

книге Crystal

 

Growth, ed. H . S. Peiser, New York, 1967, p. 441.

 

 

79.

Wood

D. L . , Remeika

J. P., Journ. Appl. Phys., 37, 1232

(1966).

80.

Laudise

R.

А.,

в книге The

Art and

Science of

Growing Crystals, ed.

J. J. Gilman, New York, 1963, p. 259.

81.Mertz W. /., Phys. Rev., 76, 1221 (1949).

82.

Rase D.

E.,

Roy R., Journ.

Am. Ceram. Soc,

38, 102

(1955).

83.

Nielsen

J.

W., Linares R.

C., Koonce S.

Journ.

Am. Ceram. Soc, 45,

 

12 (1962).

 

 

 

 

84. Karan C., Skinner B. J., Journ. Chem. Phys., 21, 2225 (1953).

85.Karan C., Journ. Chem. Phys., 22, 957 (1954).

86.De Vries R. C., Journ. Am. Ceram. Soc, 42, 457 (1961).

87. De Vries R. C, Sears G. W., Journ. Chem. Phys., 34, 618 (1961).

88.Von Hippel A., Tech. Rept. 178, Laboratory for Insulation Research, M . I . Т., March 1963, p. 44.

89. Lefever R. A., Torpy J. W., Chase А. В., Journ. Appl. Phys., 32, 962 (1961).

90.Cross L . E., Nicholson B. L , Phil. Mag., 46, 453 (1955).

91.Austerman S. В., Доклад на Международной конференции по ВеО, Сид­ ней, Австралия, 1963, статья № 54.

92.Kelly J. W., Доклад на Международной конференции по ВеО, Сидней, Австралия, 1963, статья № 56.

93.

Gambino

R.

J., Leonhard

F. J.,

Journ.

Am. Ceram. Soc,

44,

221

 

(1961) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

94.

Lefever

R.

/1., Chase А.

В.,

Sodon

L . E.,

Am. Mineralogist,

47,

1450

 

(1962) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

95.

Jona F., Shiiane

G., Pepinsky

R., Phys. Rev., 97, 1584 (1955).

 

 

96.

Wickham

D. G., Journ. Appl. Phys., 33, 3597

(1962).

 

 

97.

Grodkiewicz

W. H., Nitli

D. J.,

Journ. Am. Ceram. Soc, 49, 576

(1966).

98.

Remeika

J.

P., Journ. Am. Chem. Soc,

78, 4269 (1956).

 

 

12*

356

 

 

Р- лодиз. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

 

 

99.

Crystal Growth, ed. Н. S. Peiser, New York, 1967, p. 505.

 

100.

Витинг

Л.

A l , Вестник Московского

Университета,

серия

I I (химия),

 

20 (4), 54 (1965).

 

 

 

101.

Miller С. Е.,

Journ. Appl. Phys, 29, 233

(1958).

 

 

1б2.

Reynolds

G.

F., Guggenheim H., Journ.

Phys. Chem,

65, 1655

(1958).

103.Linares R. C, Journ. Appl. Phys, 35, 433 (1964).

104.

Kestigian

M., Journ. Am. Ceram. Soc,

50,

165 (1967).

 

 

Щ.

Wolff

G„

Keck

P.

H.,

Broder J.

£>.,

Phys. Rev, 94,

753

(1954).

106.

Wolff

G,

Herbert

R.

Л , Broder

J.

£>.,

Semiconductors

arid Phosphors,

 

New

York,

1958,

p.

463.

 

 

 

 

 

 

107.Miller J. F., в книге Compound Semiconductors, Vol. 1, eds. R. K. Willardson, H . L. Goering, New York, 1962, p. 200.

108. Thomas D. G, Gershehzon

M.,

Trumbore

F.

A.,

Phys.

Rev,

133,

A269

 

(1964).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

109.

Nelson

H.,

 

RCA Rev, 24, 603 (1963).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

110.

Lorenz

M.

 

R.,

Pilkuhn

 

M., Journ. Appl. Phys,

37,

4094

(1966).

 

 

 

 

111.

Trumbore

F. A., Kowatchik

M.,

White

H.

G,

Journ. Appl. Phys,

38,

1987

 

(1967).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

112.

Logan

R.

 

A.,

White

H.

G,

Trumbore

F.

A.,

Appl. Phys.

Letters,

10,

206

 

(1967).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

113.

Linares

R.

 

C,

Journ. Cryst. Growth

3—4,

443

(1968).

 

 

 

 

 

 

114.

Smakula A.,

Einkristalle,

Berlin,

1962,

p.

154.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

115.

Pfann

W. G,

Trans. AIME, 203,

961

(1955).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

116.

Pfann

W.

 

G,

Zone Melting, New York, 1966, p.

254

(имеется

 

перевод!

 

В. Пфанн,

 

Зонная плавка, изд-во «Мир», 1970).

 

 

 

 

 

 

 

 

117.

Mlavsky

А.

/,

Weinstein

A l , Journ. Appl. Phys,

34, 2885 (1963).

 

 

118.

Griffiths

 

 

L .

В.,

Mlavsky

A.

/.,

Journ.

 

Electrochem.

Soc,

 

111,

805

 

(1964) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

119.

Broder

J.

 

D.,

Wolff

G. A.,

Journ. Electrochem. Soc,

110,

1150

(1963).

 

120.

Plaskett

T.

S,

Blum

 

S.

E.,

Foster

L . A l ,

Journ.

Electrochem.

Soc,

 

114,

 

1303 (1967).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

121.

Wagner

R. S,

Ellis

W. C„ Trans. AIME,

233,

1053

(1965).

 

 

 

 

 

122.

Wagner

R.

S,

Doherty

C. / , Journ. Electrochem.

Soc, 113, 1300 (1967).

123.

Barns

R.

L ,

Ellis

W.

C, Journ. Appl. Phys, 36,

2296

(1965).

 

 

 

 

124.

Wolfe

C.

 

A l ,

Nuese

 

C.

J.,

Holonyak

N.,

 

Journ.

 

Appl.

Phys,

 

36,

3790

 

(1965) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

125*. Гордеееа

H.

В., Шубников

А. В., Кристаллография, 12, 2, 131

(1967).

126*. Бажал

И.

 

Г., Кристаллография, 14, 1106 (1969).

 

 

 

 

 

 

 

 

127*. Бажал

И.

 

Г.,

Куриленко

О. Д., Палаш

Е.

 

Н.,

Теоретические основы

хи­

 

мической

технологии,

3, 931

(1969).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

128*. Бажал

И.

 

Г., Исследование механизма рекристаллизации в диперсных

 

системах, автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора

 

технических наук, Институт коллоидной химии и химии воды, АН УССР,

 

Киев,

1972.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

129*. Тимофеева

 

В.

А.,

Дохновский

И. Б.,

Кристаллография,

16, 616

 

(1971).

ISO*. Beckris

/,

 

Razymney

О. A l , Fundamental Aspects

of

ElectrocrystalHzatlon,

 

New York, 1967, p. 155.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

131*. Горбунова

 

К. A l , Рост кристаллов,

т. 1, М ,

 

1957,

стр. 48.

 

 

 

 

 

132*. Полукаров

 

Ю. А1, Феклисов

Г. Л , Электрохимия, 3, 323 (1967).

 

 

133*. Горбунова

 

К-

А1, в книге Физико-химические проблемы

кристаллизации,

 

Алма-Ата, 1969, стр. 41.

 

 

 

 

 

 

 

3. В.,

 

 

 

 

 

 

 

134*. Полукаров

 

Ю. А1, Гамбург

Н. Д.,

Семенова

 

в книге Физико-хими­

 

ческие проблемы кристаллизации, Алма-Ата, 1969, стр. 147.

 

 

 

 

135*. Ткачик

3.

 

Л ,

Горбунова

К. А1, Севастьянов

Э. С.,

Электрохимия,

5,

351

 

(1969).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

136*. Ткачик

3.

Л ,

Горбунова

 

К-

А1,

Севастьянов

Э.

С,

Электрохимия

5,

 

1125 (1969).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ