Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Видершайн, М. Н. Производственный контроль параметров элементов цифровой автоматики

.pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
21.10.2023
Размер:
9.24 Mб
Скачать

Т а б л и ц а

1

 

 

 

Классификация узлов по функциональному признаку

Наименование

Наименование группы

Наименование (виды)

класса

 

Генераторы

 

Генераторы сигналов

сину­

Генераторы LC

 

 

соидальной формы

 

Генераторы RC

 

 

 

 

Кварцевые

 

 

 

 

Ударного возбуждения

 

 

Генераторы сигналов

пило­

Линейно-падающего напря­

 

 

образной формы

 

жения

 

 

 

 

Линейно-нарастающего на­

 

 

 

 

пряжения

 

 

 

 

Линейно-падающего тока

 

 

 

 

Линейно-нарастающего тока

 

 

Генераторы импульсных сиг­

Блокинг-генераторы автоко­

 

 

налов

 

лебательные

 

 

 

 

Блокинг-генераторы ждущие

Мультивибраторы автоколе­ бательные Мультивибраторы ждущие

Усилители (по признакам сигнала)

Усилители

Усилители (по назначению)

Высокой частоты Промежуточной частоты Низкой частоты Видеоусилители Импульсные

Постоянного тока Мощности Воспроизведения Записи Операционные

 

Преобразователи частоты и

Умножители частоты

 

фазы

Делители частоты

 

 

Преобразователи частоты

 

 

Фазовращатели

 

Преобразователи формы сиг­

Ограничители

Преобразователи

нала

Обострители

 

 

Расширители

 

Модуляторы

Амплитудные

 

 

Частотные

 

 

Фазовые

 

 

Импульсные

10

 

 

 

Продолжение табл. 1

Наименование

Наименование группы

Наименование (виды)

класса

 

Дискриминаторы

Амплитудные

 

 

 

Временные

 

 

 

Импульсные

 

 

 

Отношений

 

 

 

Пиковые

 

 

 

Частотные

Преобразователи

 

 

Фазовые

 

Схемы сравнения (компара­

Амплитудные

 

торы)

 

Импульсов по длительности

 

 

 

Импульсов по частоте повто­

 

 

 

рения

 

Логические схемы

Схемы совпадения «И»

 

 

 

Схемы объединения «ИЛИ»

 

 

 

Схемы отрицания «НЕ»

 

 

 

Многофункциональные (ком­

 

 

 

бинированные) схемы

Логические и за­

Триггеры

 

Статические

поминающие

 

 

Динамические

устройства

 

 

 

 

Магнитные

запоминающие

Ферритовые

 

устройства

 

Пленочные

 

 

 

На магнитных лентах, бара­

 

 

 

банах, дисках

 

Выпрямители

 

Однофазные

 

 

 

Многофазные

Вторичные источ­

Стабилизаторы

Параметрические

ники питания

 

 

Компенсационные

 

Статические

преобразовате­

Однотактные

 

ли напряжения

Двухтактные

 

Линии задержки

Электромагнитные (LC)

 

 

 

Магнитострикционные

 

 

 

Пьезоэлектрические

 

 

 

Электронные линии

Пассивные ФУ

Фильтры и контуры

Верхних частот

 

Нижних частот Полосовые Заградительные Сглаживающие Колебательные контуры

И

М и к р о м о д у л и — функциональные узлы, выполненные

сприменением микроминиатюрных дискретных радиоэлементов. Различают несколько типовых конструкций микромодулей, из них наибольшее распространение получили плоские и этажерочные. Плоский микромодуль представляет собой функциональный узел, выполненный из микроэлементов, установленных на одной или двух сторонах печатной платы. Выводы элементов соединяют

спечатным монтажом с помощью токопроводящих клеев или пайки обычными припоями. Высота всех плоских микромодулей и длина одной стороны микромодуля выбираются постоянной. Длина дру­

гой стороны изменяется с шагом 4 мм.

Плоские микромодули для защиты от внешних воздействий герметизируются и закрываются металлическим колпачком. Су­ ществует разновидность микромодулей плоской конструкции, так называемые таблеточные микромодули, в которых микро­ элементы укладываются в специальные углубления в жесткой несущей плате.

Основной особенностью этажерочных микромодулей является размещение микроэлементов на специальных микроплатах, соеди­ няемых с определенным шагом в «этажерку». Конструкция и раз­ меры микроплат для модулей этажерочной конструкции унифици­ рованы. Микроплаты изготавливаются из различных сортов керамики.

Типовая микроплата имеет толщину 0,35 ± 0,05 мм и форму квадрата со стороной, равной 9,6 мм. Соединение микроплат в микромодуль производится с помощью проводников, впаивае­ мых в специальные металлизированные пазы, находящиеся на каждой стороне микроплаты по 3 шт. Для ориентации в процессе сборки, а также в процессе изготовления микроэлементов в одном из углов микроплат имеется ключ — прямоугольный вырез раз­ мером 1,0x0,5 мм.

В ряде стран выпускаются микроплаты с несколько отличными от приведенных выше размерами [141. Квадратные микроплаты с размером стороны 7,6 мм применяются в США и Японии, в ЧССР используется размер стороны 10 мм, в ГДР микроплаты имеют прямоугольное сечение с размером 10X 15 мм, в ФРГ применяются шестигранные микроплаты.

При использовании в микроэлементах одной радиодетали на плате достигается плотность заполнения 5— 10 эл/см3, при не­ скольких Деталях (так называемые полиэлементные микроплаты) плотность заполнения увеличивается до 10— 20 эл/см3.

При выборе конструкции микромодуля было отдано предпочте­ ние квадратной форме, так как это отвечало в большей мере тре­ бованиям автоматизации производства и обеспечивало размещение на них наиболее широко применяемых радиодеталей.

Стандартность конструкции микромодулей дает возможность обеспечить автоматизированное массовое производство и высокую плотность заполнения объема в аппаратуре.

12

И н т е г р а л ь н ы е м и к р о с х е м ы , и л и п р о с т о м и к р о с х е м ы — это функциональные узлы, в которых все элементы или только их часть выполняются методами пленочной, полупроводниковой или другой технологии на поверхности или в объеме твердых оснований (диэлектрических, полупроводнико­ вых или других). Такие основания носят названия подложки микросхем. Различают полупроводниковую, пленочную, гибрид­ ную интегральные микросхемы. В пленочной интегральной микро­ схеме все элементы выполняются в виде пленок, нанесенных на поверхность подложки, в полупроводниковой интегральной ми­ кросхеме все элементы выполняются на поверхности или в объеме подложки из полупроводникового материала. Гибридной инте­ гральной микросхемой называется интегральная микросхема, в которой наряду с элементами, неразъемно связанными на по­ верхности или в объеме подложки используются навесные микро­ миниатюрные элементы (транзисторы, диоды и т. д.). В зависимости от метода изготовления неразъемно связанных элементов могут применяться термины гибридная пленочная микросхема, гибрид­ ная полупроводниковая микросхема и т. д.

Совмещенной интегральной микросхемой называется микро­ схема, все элементы которой выполнены на поверхности и в объеме подложки из полупроводникового материала методами изготовле­ ния полупроводниковых и пленочных микросхем.

В микросхемах, как правило, отсутствуют отдельные дис­ кретные элементы, которые заменяются целыми схемами, выполненными с применением единого технологического про­ цесса.

Полупроводниковые и пленочные микросхемы резко отли­ чаются друг от друга технологией изготовления и физическим принципом действия. Если в первом случае схемы создаются путем использования ряда р—п переходов в объеме полупровод­ никового материала с соответствующим их соединением между собой, то пленочные микросхемы создаются путем осаждения тон­ ких пленок на поверхности подложки. Как в том, так и в другом случае используются плоские подложки, поэтому технологию изготовления таких микросхем называют планарной.

Интегральные микросхемы позволяют добиться наибольшей возможной в настоящее время плотности монтажа: для пленочных микросхем эквивалентных 50— 100 эл/см3, для полупроводниковых микросхем— 50— 1000 эл/см3. Микросхемы могут быть вы­ полнены в корпусном или безкорпусном исполнении, при этом их конструкция должна предусматривать возможность плотной ком­ поновки на объединительных печатных платах. В настоящее время наиболее распространены два основных вида корпусов микросхем: круглый и плоский [10]. Круглый аналогичен корпусу обычного транзистора. Плоская конструкция корпуса микросхемы яв­ ляется более перспективной.

13

2. Основные Параметры и требований, предъявляемые к устройствам цифровой автоматики

Основные параметры элементов цифровой автоматики определяют их технологические и эксплуатационные свойства. К ним в первую очередь относятся электрические параметры и параметры, отра­ жающие конструктивные, технологические и эксплуатационные показатели. Элементы цифровой автоматики работают, как пра­ вило, в импульсном режиме. Основные параметры сигналов раз­ личной формы показаны на рис. 1— 3. На рис. 1 и 2 приведены сигналы прямоугольной и треугольной формы, на рис. 3 — по­ тенциальные сигналы.

Импульсными сигналами прямоугольной, треугольной или другой формы называются сигналы, длительность которых опре­ деляется особенностями схемы и заранее определена во вре­ мени.

В отличие от импульсных сигналов длительность потенциаль­ ных сигналов определяется последовательностью входных им­ пульсов и может меняться при изменении времени между двумя следующими друг за другом входными импульсами.

Примером устройства, на выходе которого вырабатываются потенциальные сигналы, является статический триггер.

В зависимости от типа транзисторов (р—п—р или п— р— п) на коллекторы транзисторов триггера подается соответственно отрицательный или положительный полюс источника питания и заземляется противоположный. На рис. 3, а показан потенциаль­ ный сигнал с заземленным положительным полюсом, а на рис. 3, б — с заземленным отрицательным полюсом.

Для обеспечения унификации в определении основных пара­ метров потенциального сигнала вне зависимости от его полярности они определяются как показано на рис. 3.

Рис. 1. Импульс прямоугольной формы

14

Рис. 2. Сигнал треугольной формы

tnp

to6p i

г

it

О

t

а)

Рис. 3- Параметры потенциального сигнала

Импульсы прямоугольной формы (рис. 1) определяются сле­ дующими параметрами:

U00 — начальным уровнем импульса, т. е. установившимся значением потенциала, соответствующим статическому состоянию элемента;

Um— амплитудой Сигнала, т. е. напряжением между уровнем 0-0 и уровнем, определяемым точкой пересечения плоской вершины импульса с его фронтом;

U„ с р— средней амплитудой сигнала;

max — максимальной амплитудой сигнала, т. е. напряже­ нием между уровнем 0-0 и уровнем Ummах, проходящим через вершину выброса фронта;

Ummln — минимальной амплитудой сигнала, т. е. напряже­ нием между уровнем 0-0 и уровнем Ummln, определяемым точкой В

(см. рис. 1); £/д — спадом вершины выходного импульса. Он определяется

как разность потенциалов между точкой пересечения плоской вер­ шины импульса с его фронтом (точка А) и точкой пересечения плоской вершины импульса с его спадом (точка В);

Uбф — выбросом фронта импульса. Он измеряется от уровня, определяемого точкой пересечения плоской вершины импульса с его фронтом (точка А) до уровня i/OTmax;

U6c — выбросом спада импульса. Он измеряется от началь­ ного уровня 0-0 до уровня Ox-Oj.

При идеальной форме прямоугольного импульса некоторые напряжения равны между собой

У т~ Umcp ~ U т max == U тmini

тн — длительность импульса; Тф — длительность фронта импульса — время уменьшения сиг­

нала по абсолютной величине; тс — длительность спада импульса — время увеличения сиг­

нала по абсолютной величине.

Импульсы пилообразной формы определяются следующими параметрами (рис. 2):

— амплитудой сигнала;

ти — длительностью импульса;

tnр — временем прямого хода пилообразного импульса; to6p — временем обратного хода пилообразного импульса.

Потенциальные сигналы (рис. 3) имеют следующие параметры: U3— высокий уровень — большее алгебраическое значение

потенциального сигнала;

Un•— низкий уровень — меньшее алгебраическое значение потенциального сигнала;

^вкл — время включения — время уменьшения сигнала по абсолютной величине;

^выкл — время выключения — время увеличения сигнала по абсолютной величине;

Aiep — время переключения — наибольшее значение из tBhKn

и*вкЛ;

длительность фронта;

tc — длительность спада;

— время задержки фронта; t3C— время задержки спада; Um— амплитуда импульсов.

Основные электрические параметры, определяющие качество отдельных типов функциональных узлов цифровой автоматики, которые необходимо измерять и контролировать при их испыта­ ниях, приведены в табл. 2.

Технические требования. В технической документации на эле­ менты цифровой автоматики устанавливают, помимо электриче­ ских параметров, требования к конструкции, устойчивости при механических и климатических воздействиях, надежности, дол­ говечности и сроку службы.

Конструкция элементов цифровой автоматики выполняется в соответствии с утвержденной технической документацией. Исход­ ные материалы и печатные платы должны соответствовать требо­ ваниям ТУ, нормалей и ГОСТов на них.

Комплектующие элементы применяются в условиях и режи­ мах, установленных технической документацией.

Для повышения надежности изделий комплектующие элементы рекомендуется применять в облегченных режимах. Функциональ­ ные элементы и печатные платы выпускаются унифицированных размеров. Их конструкция должна обеспечивать возможность ме­ ханизации и автоматизации процесса изготовления и техно­ логического контроля. На платах размещаются контрольные точки, причем допускается совмещение их с выходными кон­ тактами.

Платы, печатные проводники, места пайки элементов и невлаго­ стойкие элементы защищаются от воздействия влаги. Конструк­ ция, расположение и крепление выводов на плате должны обеспе­ чивать удобное и надежное механические и электрические соеди­ нение с другими функциональными элементами схемы. Выводы конструируются таким образом, чтобы обеспечивалась возмож­ ность их перепайки, а также выдерживание без механических повреждений и нарушений электрического контакта растягива­ ющих усилий, направленных по оси вывода, изгибающих усилий и изгиба.

Устойчивая работа электрической схемы устройства обеспе­ чивается при применении комплектующих элементов и радиодеталей без их специального отбора. Элементы данного типа, работающие в схеме, взаимозаменяемы без электрической под­ стройки. Допустимые отклонения параметров элементов питающих напряжений от их номинальных значений устанавливаются, исходя из возможности взаимозаменяемости элементов ..охемьь , В технической документации на изделие указываете** величина

!? М. Н. Видершайн

Л

'

. }7

Т а б л и ц а 2

Электрические параметры функциональных узлов, измеряемые и контролируемые при испытаниях

Вид функциональ­ ного узла

Автоколебатель­ ный мультивибра' тор

Ждущий мульти-

вибратор

Измеряемые параметры

Выходные импульсы

амплитуда

частота

длительность импульса

длительность фронта им­ пульса

длительность спада импуль­ са

коэффициент скола плоской вершины импульса

Выходное сопротивление

Выходные импульсы

длительность импульса

длительность фронта им­ пульса

длительность спада импуль­ са

коэффициент скола плоской вершины импульса

Минимальная амплитуда запускающих импульсов

Помехоустойчивость

Сопротивление

входное

выходное

Задаваемые и контролируемые параметры

Напряжение

питания

смещения

Ток потребления

цепи питания

цепи смещения

Нагрузка

активная

емкостная

эквивалентная

Полярность выходных им пульсов

Напряжение

питания

смещения

Ток потребления

цепи питания цепи смещения

Нагрузка

активная

емкостная

эквивалентная

Величина разделительной емкости

Входные импульсы

частота

длительность фронта импуль­ са

длительность спада импульса полярность импульсов длительность импульса максимальная амплитуда гарантируемая амплитуда

Полярность выходных им­ пульсов

18

 

 

Продолжение табл. 2

Вид функциональ­

Измеряемые параметры

Задаваемые и

 

 

ного узла

контролируемые параметры

Генератор пилооб-

Выходные импульсы

Напряжение

 

 

 

 

разного напряже-

амплитуда

питания

 

 

 

 

ния

длительность прямого хода

смещения

 

 

 

 

 

длительность обратного хода

фиксации

 

 

 

 

 

длительность импульса

Ток потребления

 

 

 

коэффициент нелинейности

цепи питания

 

 

 

 

прямого хода

цепи смещения

 

 

 

Выходные импульсы

цепи фиксации

 

 

 

минимальная амплитуда

Нагрузка

 

 

 

 

 

максимальная амплитуда

активная

 

 

 

 

 

минимальная частота

емкостная

 

 

 

 

 

максимальная частота

эквивалентная

 

 

 

Сопротивление

Величина

 

разделительной

 

входное

емкости

 

 

 

 

 

выходное

Входные импульсы

 

 

 

 

длительность импульса

им­

 

 

длительность

фронта

 

 

пульса

 

 

 

 

 

 

длительность спада импульса

 

 

полярность импульсов

 

 

 

гарантируемая амплитуда

Схема совпадения

Выходные импульсы

Напряжение

 

 

 

 

 

длительность фронта импитания

 

 

 

 

 

пульса

смещения

 

 

 

 

 

длительность спада импуль-

Ток потребления

 

 

 

са

цепи питания

 

 

 

 

амплитуда

цепи смещения

 

 

 

Коэффициент передачи

Нагрузка

 

 

 

 

 

Помехоустойчивость

активная

 

 

 

 

 

Сопротивление

емкостная

 

 

 

 

 

входное

эквивалентная

 

им­

 

выходное

Полярность

 

выходных

 

 

пульсов

 

 

 

 

 

 

Входные импульсы

 

 

 

 

амплитуда

 

 

 

 

 

 

полярность импульсов

 

 

 

минимальная

длительность

 

 

импульса

(для

каждого

 

 

входа)

 

 

 

 

 

 

максимальная длительность

 

 

импульса

(для

каждого

 

 

входа)

 

 

 

 

 

 

длительность фронта импуль­

са длительность спада импульса

минимальная амплитуда им­ пульса максимальная амплитуда им­ пульса

Максимальная величина лож­ ного сигнала

2*

19

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ