- •1. Введение
- •2. Фокусирующие системы электронно-лучевых трубок
- •3. Отклоняющие системы электронно-лучевых трубок.
- •3. Основные характеристики и параметры экранов
- •4. Типы электронно-лучевых трубок
- •4.1. Осциллографические трубки
- •4.2. Кинескопы
- •5. Методические указания
- •6. Задание
- •7. Контрольные вопросы
- •1. Введение
- •2. Законы фотоэлектрической эмиссии
- •4 Рис.6.3. Спектральные характеристики фотокатодов: 1 – кислородно-цезиевый, 2 – сурьмяно-цезиевый. Характеристики и параметры фотоэлементов
- •6. Задание
- •8 Рис.7.1. Функция распределения вторичных электронов по энергиям . Литература
- •1. Введение
- •2 Рис.7.3. Зависимость коэффициента вторичной эмиссии от угла падения первичных электронов . Характеристики вторичной эмиссии.
- •3. Устройство и принцип действия фотоэлектронных умножителей
- •4. Характеристика и параметры фотоумножителей
- •5. Методические указания
- •6. Задание
- •7. Контрольные вопросы
- •8. Литература
1. Введение
Фотоэлектрическим эффектом называют изменение какого-либо параметра электрической цепи под действием света, падающего на один из элементов этой цепи.. Различают три вида фотоэффекта:
Внешний фотоэффект - эмиссия электронов с поверхности тела под действием света
Внутренний фотоэффект - появление внутри вещества под действием света добавочных электронов проводимости, что приводит к уменьшению сопротивления вещества.
Фотоэффект запирающего слоя - возникновение под действием света, падающего на границу металл-полупроводник и границу двух полупроводников с различного типа проводимостью, электродвижущей силы.
В данной работе изучается природа и закономерности внешнего фотоэффекта - фотоэлектрической эмиссии, используемой в фотоэлементах и других преобразователях световых сигналов: электронно-оптических преобразователях изображения, передающих телевизионных трубках и др.
2. Законы фотоэлектрической эмиссии
Фотоэлектрическая эмиссия характеризуется следующими основными законами.
Фотоэлектронный ток (в режиме насыщения) прямо пропорционален падающему на катод потоку излучения (закон Столетова).
J=kФ(6.1)
Максимальная энергия фотоэлектронов прямо пропорциональна частоте излучения и не зависит от его интенсивности (Закон Эйнштейна):
(6.2)
где hν - энергия кванта,eφ0 - работа выхода катода.
Из выражения (6.2) видно, что существует граничная частота фотоэффекта ν0, определяемая из условия
(6.3)
Граничная частота ν0 определяет начало участка спектра, на протяжении которого наблюдается фотоэлектронная эмиссия. Важное значение имеет, как распределена фотоэлектрическая чувствительность на этом участке спектра. Фотоэлектрической чувствительностью называется отношение фототока насыщения к энергии падающего излучения. Зависимость этой величины от длины волны или частоты падающего излучения называется спектральной характеристикой. Иногда вместо фотоэлектрической чувствительности фотокатоды характеризуют величиной квантового выхода. Квантовый выход - это число электронов, покидающих поверхность катода, отнесенное к числу квантов света, падающих на катод. Для чистых металлов квантовый выход составляет 10-3–10-4электронов/квант, для сложных катодов – может доходить до 0.5.
3. Устройство и характеристики фотокатодов
Чистые металлы в качестве фотокатодов практически не применяются из-за малого квантового выхода, а также потому, что для них граничная частота лежит в ультрафиолетовой или крайней фиолетовой части спектра. В промышленных фотоэлектронных приборах применяются сложные полупроводниковые фотокатоды, наиболее распространёнными среда которых являются кислородно-цезиевые и сурьмяно-цезиевые.
Рис.6.1. Структура
кислородно-цезиевого фотокатода
Рис.6.2. Структура
сурьмяно-цезиевого фотокатода