Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичка2.doc
Скачиваний:
58
Добавлен:
23.02.2015
Размер:
5.37 Mб
Скачать

1. Введение

Фотоэлектрическим эффектом называют изменение какого-либо параметра электрической цепи под действием света, падающего на один из элементов этой цепи.. Различают три вида фотоэффекта:

Внешний фотоэффект - эмиссия электронов с поверхности тела под действием света

Внутренний фотоэффект - появление внутри вещества под действием света добавочных электронов проводимости, что приводит к уменьшению сопротивления вещества.

Фотоэффект запирающего слоя - возникновение под действием света, падающего на границу металл-полупроводник и границу двух полупроводников с различного типа проводимостью, электродвижущей силы.

В данной работе изучается природа и закономерности внешнего фотоэффекта - фотоэлектрической эмиссии, используемой в фотоэлементах и других преобразователях световых сигналов: электронно-оптических преобразователях изображения, передающих телевизионных трубках и др.

2. Законы фотоэлектрической эмиссии

Фотоэлектрическая эмиссия характеризуется следующими основными законами.

  1. Фотоэлектронный ток (в режиме насыщения) прямо пропорционален падающему на катод потоку излучения (закон Столетова).

J=kФ(6.1)

  1. Максимальная энергия фотоэлектронов прямо пропорциональна частоте излучения и не зависит от его интенсивности (Закон Эйнштейна):

(6.2)

где hν - энергия кванта,eφ0 - работа выхода катода.

Из выражения (6.2) видно, что существует граничная частота фотоэффекта ν0, определяемая из условия

(6.3)

Граничная частота ν0 определяет начало участка спектра, на протяжении которого наблюдается фотоэлектронная эмиссия. Важное значение имеет, как распределена фотоэлектрическая чувствительность на этом участке спектра. Фотоэлектрической чувствительностью называется отношение фототока насыщения к энергии падающего излучения. Зависимость этой величины от длины волны или частоты падающего излучения называется спектральной характеристикой. Иногда вместо фотоэлектрической чувствительности фотокатоды характеризуют величиной квантового выхода. Квантовый выход - это число электронов, покидающих поверхность катода, отнесенное к числу квантов света, падающих на катод. Для чистых металлов квантовый выход составляет 10-3–10-4электронов/квант, для сложных катодов – может доходить до 0.5.

3. Устройство и характеристики фотокатодов

Чистые металлы в качестве фотокатодов практически не применяются из-за малого квантового выхода, а также потому, что для них граничная частота лежит в ультрафиолетовой или крайней фиолетовой части спектра. В промышленных фотоэлектронных приборах применяются сложные полупроводниковые фотокатоды, наиболее распространёнными среда которых являются кислородно-цезиевые и сурьмяно-цезиевые.

Рис.6.1. Структура кислородно-цезиевого фотокатода

Процесс изготовления кислородно-цезиевого катода происходит следующим образом. Слой серебра, нанесенный на стеклянную колбу фотоприбора, окисляется с помощью разряда в кислороде. Затем слойAg2O обрабатывается парами цезия. Цезий восстанавливаетAg2Oпричём образуется окись цезияCs2O и в ней остаются вкрапленными атомы серебра. Кроме этого на поверхности фотокатода остаётся слой адсорбированных атомов цезия, часть из которых диффундирует внутрь полупроводникового слояCs2O, образуя примесные атомыCs. В итоге структура катода принимает вид, изображённый на рис.6.1. В толще полупроводящего слояCs2O располагаются атомыAgиCs, уровни которых располагаются в запрещённой зонеCs2O. Фотоэлектронная эмиссия начинается вначале с уровнейCs, затемAg, а затем из валентной зоныCsO. Такой энергетический спектр кислородно-цезиевого фотокатода определяет наличие в спектральной характеристике фотокатода трёх максимумов. Работа выхода кислородно-цезиевого фотокатода составляет величину около 1эВ, квантовый выход достигает 0.03, интегральная чувствительность – 15-30мкА/лм.

Рис.6.2. Структура сурьмяно-цезиевого фотокатода

Технология изготовления сурьмяно-цезиевого фотокатода следующая. На стенку баллона фотоэлемента наносится слой сурьмы, который затем обрабатывается парами цезия. Получается электронный полупроводник, образованный слоемSbCs2, в толщу которого внедрены атомы цезия, и покрытый адсорбированными атомамиCs2. Структура катода принимает вид, изображённый на рис.6.2. Работа выхода сурьмяно-цезиевого фотокатода равна 1.9эВ, квантовый выход достигает 0.3, интегральная чувствительность – 70-100мкА/лм. Спектральные характеристики кислородно-цезиевого и сурьмяно-цезиевого катодов приведены на рис.6.3. При необходимости изменить спектральную характеристику в фотокатод вводятся дополнительные элементы: калий, натрий, рубидий или др.