Для нахождения параметра h12 необходимы две входные характеристики, снятые для Uк≠0.

Предположим, что кроме приведенных входных характеристик была бы еще одна, снятая, например, для Uк=4В. ( показана на рис.67 пунктиром). Тогда, находя на этой характеристике точку А’’, соответствующую базовому току IБА, можно было бы определить:

где UкА и UкА′′-значения напряжений на коллекторе, при которых сняты входные характеристики с точкой А и точкой А′′. Подставляя найденные значения в (77) можно было бы получить:

Использование для нахождения этого параметра входной характеристики при Uк=0 дает большую погрешность, так как при малых значениях Uк входные характеристики располагаются далеко друг от друга, а затем их густота возрастает и уже при U≈5В они практически сливаются друг с другом. Поскольку в справочниках обычно приводится входная характеристика только для одного Uк≠0; то определять параметр h12 в нашем случае невозможно.

Режимы работы транзистора.

Рассмотрим каскад усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером (рис.69) При изменении величины входного сигнала Uвх будет изменяться ток базы Iб. Ток коллектора Iк изменяется пропорционально току базы:

Изменение тока коллектора можно проследить по выходным характеристикам транзистора (рис.70).

69

На оси абсцисс (рис.70) отложим отрезок, равный Ек-напряжению источника питания коллекторной це-

пи, а на оси ординат отложим отре- IБ НАС зок, соответствующий максималь-

но возможному току в цепи этого источника:

I Кm = ЕК (86)

R

К

Между этими точками проведем прямую линию, которая назыв ается линией нагрузки и описывается уравнением:

где: Uкэ-напряжение между коллектором и эмиттером транзистора;

Rк-сопротивление нагрузки в коллекторной цепи. Из (86) следует, что:

R К = IЕК = tg α (88)

Кm

и, следовательно, наклон линии нагрузки определяется сопротивлением Rк. Из рис. (70) следует, что в зависимости от тока базы Iб, протекающего во входной цепи транзистора, рабочая точка транзистора, определяющая его коллекторный ток и напряжение Uкэ, будет перемещаться вдоль линии нагрузки от самого нижнего положения (точки 1, определяемой пересечением

линии нагрузки с выходной характеристикой при Iб=0), до точки 2, определяемой пересечением линии нагрузки с начальным крутовозрастающим участком выходных характеристик.

Зона, расположенная между осью абсцисс и начальной выходной характеристикой, соответствующей Iб=0, называется зоной отсечки и характеризуется тем, что оба перехода транзистора-эмиттерный и коллекторный смещены в обратном направлении. Коллекторный ток при этом представляет собой обратный ток коллекторного перехода –Iко, который очень мал и поэтому почти все напряжение источника питания Ек падает между эмиттером и коллектором закрытого транзистора:

UКЭ≈ЕК

А падение напряжения на нагрузке URК очень мало и равно:

70