Все по ФОЭ / Kontrolnye_voprosy_dlya_podgotovke_k_zaschite_lab

Контрольные вопросы для подготовке к защите лабораторных работ по ФОЭ

Лабораторная работа №1 – РАСЧЕТ ДЕЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ

1. Приведите пассивные элементы электронных устройств, их основные функциональные назначения.

2. Какие ограничения накладываются на выбор номинальных значений сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов при проектировании электронных схем?

3. Какие виды маркировки сопротивлений и конденсаторов применяются в настоящее время?

4. Какими особенностями обладают терморезисторы, варисторы и негисторы? Назовите область их применения.

5. Проанализируйте основные параметры резисторов и конденсаторов.

6. Вспомните из курсов “Теоретические основы электротехники” схемы замещения катушек индуктивности и трансформаторов, их основные математические соотношения и физические принципы работы.

7. Что такое делитель напряжения? Где он используется. Как рассчитывается?

Лабораторная работа №2 – ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И ОДНОФАЗНЫХ НЕУПРАВЛЯЕМЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ.

Лабораторная работа №3 – ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛИТРОНОВ И СХЕМЫ ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО СТАБИЛИЗАТОРА.

1. Что такое разрешенные и запрещенные энергетические зоны?

2. Что такое уровень Ферми?

3. Как влияет концентрация примеси на положение уровня Ферми?

4. Что такое собственная электропроводность полупроводника?

5. Что такое диффузия и дрейф носителей заряда?

6. Как объяснить температурную зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике?

7. Что такое примесная электропроводность полупроводника?

8. Поясните механизм образования электронно-дырочного перехода.

9. Что такое инжекция и экстракция носителей заряда?

10. Как влияет внешнее напряжение на высоту потенциального барьера и ширину p–n-

перехода.

11. Нарисуйте вольт-амперную характеристику p–n-перехода и напишите ее уравнение.

12. Объясните механизм лавинного пробоя.

13. При каких условиях в p–n-переходе возможен туннельный пробой?

14. Что такое барьерная ёмкость p–n-перехода?

15. Что такое диффузионная ёмкость?

16. Что называется полупроводниковым диодом?

17. Какая область полупроводникового диода называется эмиттером?

18. Какая область полупроводникового диода называется базой?

19. Напишите уравнение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода?

20. Как влияет повышение температуры на прямую ветвь вольт-амперной характеристики полупроводникового диода?

21. Какие процессы происходят в базе диода в импульсном режиме работы?

22. Что такое стабилитрон?

23. Что такое туннельный диод?

24. Что такое обращенный диод?

25. Почему в варикапах используется только барьерная ёмкость и не используется диффузионная ёмкость?

26. Что такое выпрямитель?

27. Поясните принцип действия однофазного однополупериодного выпрямителя.

28. Поясните принцип действия однофазного двухполупериодного выпрямителя со средней точкой.

29. Поясните принцип действия однофазного мостового выпрямителя.

30. Что такое стабилизатор напряжения?

Лабораторная работа №4 – ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЯ НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ.

1. Охарактеризуйте режимы работы биполярного транзистора.

2. Каким образом в транзисторе происходит усиление электрических колебаний по мощности?

3. Охарактеризуйте схемы включения биполярного транзистора.

4. Нарисуйте и объясните семейство выходных характеристик транзистора в схеме с общей базой.

5. Нарисуйте и объясните семейство выходных характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером.

6. Как влияет температура на характеристики транзистора?

7. Поясните, как определяются h-параметры по характеристикам транзистора?

8. Какие существуют эквивалентные схемы транзистора?

9. Охарактеризуйте режимы работы усилительных каскадов.

10. Нарисуйте и объясните временные диаграммы работы транзистора в ключевом режиме.

11. Чем ограничивается быстродействие транзистора при работе в ключевом режиме?

12. Что такое динамические потери при работе транзистора в ключевом режиме?

13. Что представляет собой дифференциальный каскад усиления?

14. Что такое составной транзистор?

15. Какие разновидности полевых транзисторов существуют?

16. Почему полевые транзисторы с управляющим p–n-переходом не должны работать при

прямом напряжении на входе U зи ?

17. Почему при изменении напряжения Uси толщина кнала вдоль его длины меняется нединаково?

18. Чем отличается полевой транзистор с изолированным затвором от транзистора с управляющим p–n-переходом?

19 Чем отличаются структуры МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналом? Как это отличие отражается на статических характеристиках?

20. Нарисуйте и объясните управляющие и выходные характеристики полевого транзистора.

21. Дайте сравнительную характеристику МДП- и биполярного транзистора.

22. Что такое комбинированный транзистор?

23. Какие преимущества биполярных и полевых транзисторов сочетает в себе IGBT?