через эмиттерный переход маленького обратного тока и, следовательно, смещение входной характеристики вниз (рис.52).

2. Семейство выходных статических характеристик представляет собой зависимости: I К = f (U КБ ) при I Э = const (рис.54 )

Если Iэ=0, то выходная характеристика представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики коллекторного перехода. При Iэ>0 ток в коллекторной цепи будет протекать даже при отсутствии источника коллекторного питания (Е2=0) за счет экстракции инжектированных в базу носителей полем коллекторного перехода. При увеличении

напряжения Uкэ коллекторный ток практически не меняется, т.к. количество инжектированных в базу носителей не меняется (Iэ=const), а возрастает только скорость их перемещения через коллекторный переход. Чем больше уровень тока Iэ, тем больше и коллекторный ток Iк.

При изменении полярности Uкэ на противоположную, меняется и включение коллекторного

перехода с обратного на прямое. Поэтому ток Iк вначале очень быстро снижается до нуля, а затем изменяет свое направление на противоположное

(рис.54).

Статические характеристики для схемы с общим эмиттером.

1. Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость входного тока (Iб) от входного напряжения (Uбэ) при фиксированных значениях напряжения Uкэ:

I Б = f (U БЭ ) при U КЭ = const

Вид этих характеристик показан на рис.55

При Uкэ=0 эта характеристика представляет собой прямую ветвь

59

вольт-амперной характеристики эмиттерного перехода. При этом коллекторный переход оказывается включенным в прямом направлении на напряжение источника Е1 (рис.56).

При включении источника Е2 (Uкэ<0) характеристика пойдет несколько ниже предыдущей, так как в случае Uбэ=0 (рис.57) источник Е1 отсутствует и через коллекторный переход протекает маленький обратный ток Iк0 под действием источника Е2, направление которого в базе противоположно тому, когда включен источник Е1.

При включении Е1 (Uбэ>0) этот ток будет уменьшаться, т.к. в цепи его протекания Е1 и Е2 будут включены встречно, а затем он перейдет через ноль и будет возрастать в положительном направлении под действием Е1. Однако в справочной литературе этим малым значением тока пренебрегают и входные характеристики представляют исходящими из начала координат.

2.Выходные статические характеристики представляют собой зависимости:

I К = f (U КЭ ) при I Б = const

и показаны на рис. 58.

При Iб=0 эта характеристика представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики коллекторного перехода. При Iб>0 характеристики имеют большую крутизну в области малых значений Uкэ, т.к. при условии Е2<Е1 (рис.56) коллекторный переход включен в

прямом направлении; поэтому сопротивление его незначительно и достаточно небольшого изменения напряжения на нем, чтобы ток Iк изменился значительно. Более того, при Uкэ=0 (рис.56) все характеристики кроме начальной (Iб=0) исходят не из начала координат, а ниже (рис.59), так как ток коллекторного перехода в этом случае является прямым и имеет направление противоположное по отношению к обычному току коллектора.

Но этим маленьким смещением характеристик пренебрегают и в справочниках представлены характеристики, исходящие из начала координат.

60

При больших значениях Uкэ характеристики идут значительно положе, так как практически все носители, инжектированные из эмиттера в базу, принимают участие в образовании коллекторного тока и дальнейшее увеличение Uкэ не приводит к пропорциональному росту тока Iк. Однако небольшой наклон характеристики все же имеется, так как с увеличением Uкэ увеличивается ширина коллекторного перехода, а ширина базовой области, с учетом ее и без того малой величины, уменьшается. Это приводит к уменьшению числа рекомбинаций инжектированных в базу носителей и, следовательно, к

увеличению количества носителей, переброшенных в область коллектора. Кроме того, по этой же причине несколько снижается базовый ток Iб, а поскольку характеристики снимаются при условии Iб=const, то при этом необходимо несколько увеличивать напряжение Uбэ, что приводит к некоторому возрастанию тока эмиттера Iэ и, следовательно, тока коллектора Iк. Еще одной причиной некоторого роста Iк является то, что с увеличением Uкэ возрастает и та его часть, которая приложена к эмиттерному переходу в прямом направлении. Это тоже приводит к некоторому увеличению тока эмиттера Iэ и, следовательно, тока коллектора Iк.

Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим коллектором, аналогичны характеристикам транзистора с общим эмиттером.

61

Две оставшиеся статические характеристикихарактеристика обратной связи по напряжению (69) и характеристика передачи по току (70)могут быть построены для всех схем включения транзистора из его входных и выходных характеристик. Пример такого построения для схемы с общим эмиттером представлен на рис.60.

В первом квадранте размещаются выходные статические характеристики транзистора : IK = f (U КЭ ) при IБ = const

В третьем квадранте размещена входная характеристика, снятая для какогото фиксированного значения напряжения Uкэ≠0. В справочниках чаще всего даются эти характеристики для Uкэ=5в. Тогда, откладывая влево от начала координат по оси абсцисс токи базы Iб можно построить характеристику пе-

редачи по току: IК = f (IБ) при UКЭ =const

62