Устройства памяти.
К какому типу памяти относится основная внутренняя память микропроцессорной системы? Структура накопителя такой памяти.
Основная внутренняя память – адресная. Подразделяется на постоянную и оперативную. Оперативные запоминающие устройства делятся на 2 класса по структуре матриц накопителя. Это динамические ОЗУ (DRAM), имеющие ячейки накопителя емкостного типа, и статические ОЗУ (SRAM), в которых накопители строятся на основе триггерных ячеек
Структура ячейки накопителя памяти данных в кэш памяти.
Что является тегом для кэш прямого отображения?
Весь объем оперативной памяти разбивается на объемы кэша. Основная память условно разбивается на страницы, размер которых совпадает с размером кэш-памяти. Кэш-память (и опять-таки условно страницы основной памяти) делится на строки.
Адрес разделяется на 3 части: ТЕГ Номер строки Номер байта (смещение). Младшая часть байта определяет порядковый номер байта в строке КЭШа и является смещением. Среднее поле позволяет однозначно выбрать одну строку КЭШа, это поле «номер строки». Оставшиеся старшие разряды несут информацию о признаке, теге
Принцип построения ячеек накопителя современных типов ROM.
В матрице накопителя постоянного запоминающего устройства строки подключены к выходам дешифратора адреса, а столбцы – к шине данных.
У
зел
матрицы накопителя на основе полевого
транзистора. Основа – МОП-структура с
плавающим или двойным затвором.
Плавающий затвор: между затвором и каналом вводится дополни-тельная область, вызывающая стекание в нее заряда. При снятии напряжения с затвора заряд сохраняется и удерживает транзистор в запертом со-стоянии. Пороговое напряжение настолько велико, что поле не создается.
Сколько единиц информации считывается при обращении к SDRAM?
Обращение при DRAM не может быть одновременным по строке и столбцу. SRAM – позволяет считать и столбец и строку ячейки
Что является ячейкой накопителя в SDRAM?
Ячейка DRAM – увеличенная емкость затвор–исток полевого транзистора. Ячейка накопителя SRAM – триггер
Для LIFO: . Запись каждого нового слова осуществляется в ячейку памяти, следующую по порядку за той, адрес которой содержится в указателе стека. После записи нового слова содержимое указателя стека увеличивается на единицу. При считывании слова из стека происходит обратный процесс. Слово считывается из ячейки, адрес которой находится в указателе стека, после чего содержимое указателя стека уменьшается на единицу.
Адрес вершины LIFO при начале записи 0x4CAFEA20. Запись должна быть произведена в 8 32-разрядных ячеек. Запишите адрес вершины считывания.
Адрес вершины FIFO при начале записи 0x04C6EA20. Запись должна быть произведена в 10 32-разрядных ячеек. Запишите адрес вершины считывания.
Адрес вершины FIFO при начале записи 0x04CFFA20. Запись должна быть произведена в 16 32-разрядных ячеек. Запишите адрес вершины считывания.
Адрес вершины LIFO при начале записи 0x4CFFEA20. Запись должна быть произведена в 8 32-разрядных ячеек. Запишите адрес вершины считывания.