IV. Оформление отчета

1. Цель работы.

2. Паспортные данные исследуемых транзисторов.

3. Схемы исследования.

4. Таблицы измерений.

5. Графики семейств снятых зависимостей при и .

6. Рассчитанные статические малосигнальные параметры.

7. Выводы.

Таблица 6.1.

Тип транзистора	Канал, тип	, мА/B	, пФ	, пФ	, В	, В	, мА	, мВт	t
КП103Е	p-n; p-типа	0,4 - 2,4	20	8	15	10	0,3 - 2,5		-55 +85
КП301Б	МДП p-типа	1,0	3,5	1	-20	20	15	200	-40 +70
КП305Д	МДП с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа	5,2 – 10,5	5	0,8	-1 - +2	15	15	150	-60 +125
КП305Е	------	4 – 8	5	0,8	-1 - +2	15	15	150	---
КП305Ж	------	5,2 – 10,5	5	0,8	-1 - +2	15	15	150	---
КП305И	------	4 – 10,5	5	0,8	-3,5 - 0	15	15	150	---

V. Контрольные вопросы и задания

1. Принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n - переходом.

2. Принцип работы МДП – транзистора с индуцированным каналом.

3. Отличие в управлении выходным током биполярного и полевого транзисторов.

4. Параметры полевых транзисторов.

5. Энергетическая диаграмма металла и n – полупроводника.

6. Энергетическая диаграмма металла и p – полупроводника.

7. Выходные характеристики полевых транзисторов, их отличие от выходных характеристик биполярных транзисторов.

8. Влияние полярности напряжения на режим работы МДП – транзистора со встроенным каналом.

9. Характеристика прямой передачи полевого транзистора.

10. Характеристика прямой передачи МДП – транзистора со встроенным каналом.

11. Принцип работы МДП – транзистора со встроенным каналом.

12. Влияние подложки на работу МДП – транзистора.

VI. Полевые транзисторы

1. На чем основано управление током в полевом транзисторе?

а) на изменении ширины перехода и сечения канала при изменении входного напряжения;

б) на изменении сопротивления канала вследствие изменения концентрации инжектированных носителей;

в) на изменение емкости перехода.

2. Какой из выводов транзистора называется “затвором”?

а) один из выводов, расположенный со стороны широкой части канала;

б) вывод от перехода транзистора;

в) один из выводов, расположенный со стороны узкого канала.

3. При каком напряжении затвор-исток транзистора ток становится равным нулю?

а) при ;

б) при ;

в) при отрицательном, равном по абсолютной величине напряжению насыщения.

4. Напряжение какой точки выходных характеристик называется напряжением насыщения?

а) А;

б) В;

в) С;

г) Д;

д) В, С, Д.

5. Почему при напряжениях транзистора, больших напряжения насыщения, ток транзистора практически не изменяется?

а) при больших напряжениях прекращается инжекция носителей из перехода;

б) из-за образования запирающего слоя около истока;

в) из-за резкого уменьшения сечения канала в области стока.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 7