I. Методические указания
На рис. 6.3. представлена схема для исследования полевого транзистора с управляющим p-n – переходом (КП-103Е, канал p-типа).
Рис. 6.3.
Схема для исследования транзистора с изолированным затвором (МДП) приведена на рис. 6.4. В схему включены источники питания, исследуемые транзисторы, измерительные приборы. При включении приборов и источников питания в схему строго соблюдать полярность.
Рис. 6.4. 1 – с каналом p-типа, 2 – с каналом n-типа
II. Программа работы
Сборка и апробирование схемы.
Снятие семейства статических характеристик прямой передачи полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре
.Измерение семейства статистических выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
Снятие семейства статических характеристик прямой передачи полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре
.Снятие семейства статистических выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
Снятие семейства статических выходных характеристик МДП транзистора при температуре 20 и 50 C.
Построение графиков семейства снятых характеристик при разных температурах и определение статических малосигнальных параметров (
).
Сборка и апробирование схемы.
Схема
собирается на основе монтажного шасси
и комплекта соединительных проводов.
Исследуемые транзисторы вынесены на
отдельные платы для помещения их в
термостат. Напряжение входное (
нужной полярности) подается от источника
питания (0 – 15 В) через потенциометр 470
Ом. Напряжение
подается от источника 0 – 15 В.
С разрешения преподавателя включить схему, убедиться в наличии напряжений и токов, установить пределы измерений приборов и определить цену деления. Во избежании выхода полевого транзистора из строя соблюдать строго полярность включения его в схему; не работать с отключенным затвором, не подавать отрицательное напряжение на затвор.
Снятие семейства статических характеристик прямой передачи полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
Снимается
зависимость
при
.
Напряжение на затворе изменяется в
пределах от 0 до +2,0 В. Отсчеты берутся
через интервалы, равные 0,2 В. Измерения
провести для четырех постоянных значений
напряжений
:
-8,0; -4,0; -2,0; -1,0 В. Данные измерений заносятся
в таблицу. По результатам строится
график семейства
.
Измерение семейства статистических выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
Снимается
зависимость
при
.
Величина
изменяется от 0 до –8,0 В. Отсчеты берутся
через интервалы
В. Измерения проводятся для трех значений
напряжения на затворе
:
0; +0,5; +1,0 В. Данные измерений заносятся
в таблицу и по результатам строится
график семейства
.
Снятие семейства статических характеристик прямой передачи полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
Повторить п. 2 для .
Снятие семейства статистических выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
Повторить п. 3 для .
Снятие семейства статических выходных характеристик МДП транзистора при температуре 20 и 50 C.
Снять и построить семейство выходных при характеристик МДП-транзистора при напряжениях на затворе:
;
;
;
где
– напряжение на затворе, при котором
отпирается транзистор. Для каждой
разновидности МДП-транзистора значения
,
указаны в таблице.
Напряжение между подложкой и истоком равно нулю.
Определить статическое малосигнальные параметры МДП-транзистора ( ).
Построение графиков семейства снятых характеристик при разных температурах и определение статических малосигнальных параметров ( ).
Поместить транзистор в термостат и снять стоковые (выходные) характеристики МДП-транзистора при температуре .