Добавил:
Developer Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
39
Добавлен:
18.10.2022
Размер:
472.83 Кб
Скачать

Раздел VII Физика твердого тела Глава III. Электропроводность металлов и полупроводников

1. Электропроводность металлов

Уравнение движения электрона в кристалле под действием электрического поля:

m* dVдp eE rVдp dt

где m* - эффективная масса электрона,

Vдp -дрейфовая скорость, -rVдp -сила

трения. Релаксация дрейфовой скорости в отсутствии поля подчиняется уравнению:

m* dVдр rVдp dt

Его решение имеет вид:

rt

Vдp(t) Vдp (o)e m*

Величина m* - время релаксации r

Установившееся значение плотности тока:

ne2 j enV p m* E

Удельная электропроводность (проводимость):

ne2

m*

Удельное сопротивление:

 

1

 

 

*

 

 

 

m

 

 

2

 

 

 

ne

 

 

В металлах удельное сопротивление растет с ростом температуры. Это обусловлено рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях решетки. Кроме того, электроны проводимости рассеиваются на дефектах кристаллической решетки, что определяет постоянную составляющую в удельном сопротивлении.

2. Проводимость полупроводников

А) В собственных полупроводниках перенос тока осуществляется электронами в зоне проводимости и дырками в валентной зоне

e2ne e e2nд д me* mд*

В собственных полупроводниках:

 

 

 

(2 kT m*m* )3/2

 

E

 

 

 

 

n

n

2

e д

e 2kT

h3

e

д

 

 

 

С ростом температуры проводимость полупроводников резко возрастает за счет увеличения числа электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне

E

0e 2kT

Б) В примесных полупроводниках n-типа основную роль в переносе тока играют электроны в зоне проводимости, попадающие туда с донорных уровней примесных атомов.

Ed ne ndn0ee 2kT

Ed

0e 2kT

В) В примесных полупроводниках p-типа основную роль в проводимости играют дырки в валентной зоне, образующиеся за счет перехода электронов из валентной зоны на акцепторные уровни примесных атомов

 

 

 

Ea

n

n n

e 2kT

д

а 0д

 

 

Ea

0e 2kT

Где n0e, n0д - эффективные концентрации:

n0e,0д 2

2 me*,дkT 3/2

h3

nd ,na - концентрации донорной и акцепторной примесей.

3. Обзорные зависимости (T) для

металлов и полупроводников

Вопросы:

1. Зависимость проводимости от температуры у металлов.

2. Зависимость проводимости от температуры у полупроводников.

3. Обзорный график зависимости проводимости от температуры для металлов и полупроводников.

Соседние файлы в папке 7 Физика твердого тела