Раздел VII Физика твердого тела Глава III. Электропроводность металлов и полупроводников
1. Электропроводность металлов
Уравнение движения электрона в кристалле под действием электрического поля:
m* dVдp eE rVдp dt
где m* - эффективная масса электрона,
Vдp -дрейфовая скорость, -rVдp -сила
трения. Релаксация дрейфовой скорости в отсутствии поля подчиняется уравнению:
m* dVдр rVдp dt
Его решение имеет вид:
rt
Vдp(t) Vдp (o)e m*
Величина m* - время релаксации r
Установившееся значение плотности тока:
ne2 j enV p m* E
Удельная электропроводность (проводимость):
ne2
m*
Удельное сопротивление:
  | 
	1  | 
	
  | 
	
  | 
	*  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	m  | 
	
  | 
||
  | 
	2  | 
	
  | 
|||
  | 
	
  | 
	ne  | 
	
  | 
	
  | 
|
В металлах удельное сопротивление растет с ростом температуры. Это обусловлено рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях решетки. Кроме того, электроны проводимости рассеиваются на дефектах кристаллической решетки, что определяет постоянную составляющую в удельном сопротивлении.
2. Проводимость полупроводников
А) В собственных полупроводниках перенос тока осуществляется электронами в зоне проводимости и дырками в валентной зоне
e2ne e e2nд д me* mд*
В собственных полупроводниках:
  | 
	
  | 
	
  | 
	(2 kT m*m* )3/2  | 
	
  | 
	E  | 
|
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|||
n  | 
	n  | 
	2  | 
	e д  | 
	e 2kT  | 
||
h3  | 
||||||
e  | 
	д  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
||
С ростом температуры проводимость полупроводников резко возрастает за счет увеличения числа электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне
E
0e 2kT
Б) В примесных полупроводниках n-типа основную роль в переносе тока играют электроны в зоне проводимости, попадающие туда с донорных уровней примесных атомов.
Ed ne 
 ndn0ee 2kT
Ed
0e 2kT
В) В примесных полупроводниках p-типа основную роль в проводимости играют дырки в валентной зоне, образующиеся за счет перехода электронов из валентной зоны на акцепторные уровни примесных атомов
  | 
	
  | 
	
  | 
	Ea  | 
n  | 
	n n  | 
	e 2kT  | 
|
д  | 
	а 0д  | 
	
  | 
	
  | 
Ea
0e 2kT
Где n0e, n0д - эффективные концентрации:
n0e,0д 2  | 
	2 me*,дkT 3/2  | 
h3  | 
nd ,na - концентрации донорной и акцепторной примесей.
3. Обзорные зависимости (T) для
металлов и полупроводников
Вопросы:
1. Зависимость проводимости от температуры у металлов.
2. Зависимость проводимости от температуры у полупроводников.
3. Обзорный график зависимости проводимости от температуры для металлов и полупроводников.
