Ответ: 2

Вопрос: Стокозатворная характеристика МДП-полевого транзистора с встроенным каналом n-типа соответствует нелинейной ВАХ, показанной на графике…

Ответ: 3

Вопрос: В каком направлении перемещаются дырки через p-n-переход за счет дрейфа…

Ответ: из n-области в p-область,

Вопрос: Полупроводник с электропроводностью n-типа – это...

Ответ: электронейтральный полупроводник, в котором концентрация электронов больше концентрации дырок.

Вопрос: Причина возникновения диффузионного тока...

Ответ: наличие подвижных носителей заряда и градиента концентрации носителей, Вопрос: Какому режиму работы биполярного транзистора соответствует приведенный электрический режим при условии…

Ответ: нормальный активный

Вопрос: При увеличении концентрации основных носителей контактная разность

потенциалов…

Ответ: увеличится

Вопрос: Определите коэффициент передачи по току схемы…

Ответ: Ki = 1.

Вопрос: В электронно-дырочном переходе внутреннее электрическое поле контактной разности потенциалов является для основных носителей заряда…

Ответ: тормозящим полем,

Вопрос: Электронная составляющая дрейфового тока...

Ответ:

Вопрос: В полупроводнике p-типа при Т = 300К имеются носители заряда (подвижные и неподвижные)...

Ответ: подвижные электроны, дырки и ионы-акцепторы.

Вопрос: Дифференциальным коэффициентом передачи тока эмиттера IЭ в биполярном транзисторе является…

Ответ:

Вопрос: В биполярном транзисторе режим насыщения соответствует определенному включению эмиттерного и коллекторного переходов…

Ответ: эмиттерный – прямое, коллекторный – прямое,

Вопрос: Биполярный транзистор n⁺-p-n может работать в различных режимах: активном нормальном, отсечки, насыщения, инверсном. Для изображенных схем включения биполярного транзистора назовите рабочие режимы…

Ответ: Режим а- нормальный активный, б- отсечка, в- инверсный активный…

Вопрос: Диффузионная длина L определяется...

Ответ: расстоянием, на котором концентрация избыточных носителей заряда при диффузии уменьшается из-за рекомбинации в е = 2,7 раза.

Вопрос: Пороговое напряжение UПОР для германиевого p-n-перехода составляет…

Ответ:

UПОР ≈ 0,5В,

Вопрос: Дрейф носителей заряда в полупроводнике — это...

Ответ: движение, обусловленное наличием электрического поля,

Вопрос: Концентрация свободных электронов собственного полупроводника при комнатной температуре зависит от ...

Ответ: энергии запрещенной зоны.

Вопрос: Диффузионная емкость при увеличении прямого тока через p-n-переход...

Ответ: увеличивается

Вопрос: При комнатной температуре (Т ≈ 300К) справедливо соотношение...

Ответ: концентрация основных носителей (КОН) заряда равна концентрации примесей (NПРИМ) КОН ≈ NПРИМ,

Вопрос: Основные носители в полупроводнике это…

Ответ: свободные носители, концентрация которых больше,

Вопрос: Тепловой пробой происходит, если…

Ответ: подводимая электрическая энергия превышает энергию, отводимую в окружающую среду,

Вопрос: При увеличении обратного смещения на коллекторном переходе наблюдается смещение входных характеристик (эффект Эрли). При этом происходит…

Ответ: увеличение IЭ,

Вопрос: Входным и выходным электродами биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером являются…

Ответ: входной электрод – базовый, выходной – коллекторный.

Вопрос: Процесс генерации электронно-дырочных пар протекает…

Ответ: с поглощением энергии,

Вопрос: Какому режиму работы биполярного транзистора соответствует приведенный электрический режим…

Ответ: насыщение

Вопрос: Прямой ток через p-n-переход – это…

Ответ: диффузионный ток основных носителей,

Вопрос: Обратный ток через p-n-переход протекает при наличии...

Ответ: электрического внутреннего поля,

Вопрос: При увеличении прямого тока в p-n-переходе его дифференциальное сопротивление

Ответ: уменьшается

Вопрос: Электронно-дырочный переход называется гетерогенным (или гетеропереходом), если…

Ответ: p- и n-области имеют различную ширину запрещенной зоны, Вопрос: В биполярном транзисторе для увеличения коэффициента инжекции необходимо…

Ответ: эмиттерную область сильно легировать,

Вопрос: В схеме включения биполярного транзистора с ОБ ток коллекторного перехода IКБ0 (при IЭ = 0) обусловлен…

Ответ: неосновными носителями коллекторного перехода.

Вопрос: Фрагмент структуры полупроводника демонстрирует процесс...

Ответ: рекомбинации электрона и дырки,

Вопрос: База электронно-дырочного перехода – это…

Ответ: область с пониженной концентрацией примеси и низкой электропроводимостью,

Вопрос: Условию электронейтральности для полупроводника n-типа соответствует...

Ответ:

Вопрос: В результате дрейфа неосновных носителей заряда через p-n-переход дырки переносятся (перемещаются)…

Ответ: из n-области в p-область,

Вопрос: Какая из энергетических диаграмм относится к полупроводнику p-типа… EF

– энергия уровня Ферми. EC и EV – границы зон (проводимости и валентной)