Вопрос: Электрический пробой p-n-перехода приводит…

Ответ: не приводит к нарушению работы p-n-перехода и может быть использован при создании специализированных приборов,

Вопрос: Какая из областей биполярного транзистора должна содержать наименьшее количество примесей, чтобы коэффициент передачи по току был наибольшим…

Ответ: база

Вопрос: Ток через p-n-переход при прямом напряжении является...

Ответ: диффузионным током основных носителей заряда.

Вопрос: Коэффициент передачи тока эмиттера…

Ответ: α ≪ β,

Вопрос: В полевом транзисторе увеличение параметра удельная крутизна приведет к…

Ответ: увеличению тока стока,

Вопрос: Неосновные носители заряда p- и n- областей электронно-дырочного перехода, находящегося в состоянии электродинамического равновесия совершают...

Ответ: дрейфовое движение через p-n-переход из обеих областей,

Вопрос: Канал МДП-полевого транзистора определяется расстоянием между электродами прибора…

Ответ: исток-сток,

Вопрос: В собственном полупроводнике при комнатной температуре существует…

Ответ: Незначительная вероятность появления в равных количествах электронов (в зоне проводимости) и дырок (в зоне валентной).

Вопрос: Процесс ионизации примеси протекает...

Ответ: с поглощением энергии,

Вопрос: Какому типу канала полевого МДП-транзистора соответствует приведенная

стокозатворная характеристика…

Ответ: p-канал встроенный,

Вопрос: В канале полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в резистивном режиме протекает ток…

Ответ: основных носителей, дрейфовый,

Вопрос: В МДП-полевом транзисторе с индуцированным каналом уменьшение тока стока связано…

Ответ: с уменьшение концентрации носителей заряда в канале,

Вопрос: Рабочая точка (РТ) на выходных характеристиках соответствует режиму

(определяет режим)…

Ответ: нормальному активному,

Вопрос: В дрейфовом биполярном транзисторе электрическое поле в области базы создается с…

Ответ: неравномерным распределением концентрации основных носителей в области базы,

Вопрос: Увеличение концентрации примеси в полупроводнике приводит к...

Ответ: увеличению концентрации основных носителей и уменьшению концентрации неосновных носителей.

Вопрос: Энергетическая диаграмма отражает процесс...

Ответ: рекомбинация электронно-дырочной пары ;

Вопрос: Какая из энергетических диаграмм относится к полупроводнику n-типа…

EF – энергия уровня Ферми. EC и EV – границы зон (проводимости и валентной)

Ответ: б

Вопрос: В результате дрейфа неосновных носителей заряда через p-n-переход электроны переносятся…

Ответ: из области p в область n,

Вопрос: В электронно-дырочном переходе вектор напряженности внутреннего

электрического поля направлен…

Ответ: от n-области к p-области,

Вопрос: Ток стока в МДП-полевом транзисторе обусловлен…

Ответ: дрейфом основных носителей в канале,

Вопрос: Какое распределение неосновных носителей в базе БТ соответствует нормальному активному режиму…

Ответ: 1

Вопрос: В собственном полупроводнике при комнатной температуре имеются подвижные носители заряда…

Ответ: подвижные электроны и дырки в равном, пренебрежимо малом количестве. Вопрос: Режимная зависимость барьерной емкости СБАР = f(U) электронно-дырочного перехода соответствует нелинейному графику…

Ответ: 2

Вопрос: На выходных характеристиках биполярного транзистора нормальному активному режиму соответствует рабочая точка (РТ)…

Ответ: РТ Б,

Вопрос: Ток через p-n-переход при прямом напряжении обусловлен…

Ответ: инжекцией основных носителей заряда.

Вопрос: В какой из приведенных схем биполярный транзистор включен с общим эмиттером…

Ответ: б

Вопрос: Протекание постоянного большого тока через затвор в транзисторе с управляющим p-n-переходом….

Ответ: возможно при напряжении затвор-исток больше порогового значения. Вопрос: Пороговое напряжение UПОР диода Шоттки, включенного в прямом направлении, составляет…

Ответ: UПОР ≈ 0,3В,

Вопрос: Какая из энергетических диаграмм является диаграммой полупроводника…

Ответ: б

Вопрос: В биполярном транзисторе для увеличения коэффициента переноса в базе необходимо выполнить соотношение (LД – диффузионная длина, WБ –ширина базы) Ответ: WБ << LД ,

Вопрос: Какая из энергетических диаграмм относится к вырожденному полупроводнику…

Ответ: г

Вопрос: Диффузия носителей заряда в полупроводниках предоставляет…

Ответ: движение носителей заряда, обусловленное наличием градиента концентраций носителей заряда в различных областях полупроводника.

Вопрос: Неосновными подвижными носителями заряда в полупроводнике с акцепторной примесью являются…

Ответ: электроны

Вопрос: Активный режим работы биполярного n-p-n транзистора обеспечивается включением прямого (U > 0) и обратного напряжения (U < 0) на эмиттерный и коллекторный переходы…

Ответ: UБЭ > 0, UКБ > 0,

Вопрос: Биполярный транзистор работает в нормальном активном режиме. Через коллекторный переход протекает…

Ответ: дрейфовый ток неосновных носителей,

Вопрос: Коэффициент передачи тока эмиттера определяется как…

Ответ:

Вопрос: В каком типе полевого транзистора ток стока протекает только при напряжении UЗИ > UПОР…

Ответ: МДП-полевой транзистор с индуцированным каналом,

Вопрос: Какому режиму работы биполярного транзистора соответствует приведенный электрический режим…

Ответ: отсечка

Вопрос: Какая из областей биполярного транзистора должна содержать наибольшее количество примесей, чтобы коэффициент передачи по току был наибольшим…

Ответ: эмиттер

Вопрос: Чем определяется время жизни электрона…

Ответ: интервалом времени от момента генерации носителя до момента рекомбинации,

Вопрос: Режим насыщения МДП-полевого транзистора наступает при…

Ответ: 0 < UСИ > UСИ НАС,

Вопрос: Минимальная энергия фотона hυ, которая поглощается собственным полупроводником для образования свободных электронов, соответствует...

Ответ: энергии запрещенной зоны.

Вопрос: Прямые ветви ВАХ p-n-перехода соответствуют различным температурам. Укажите правильное неравенство…

Ответ: Т3 < Т2 < Т1,

Вопрос: Напряжение отсечки полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа соответствует точке на графике…