Добавил:
Developer Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Экз. вопросы по курсу Электроника Власов В.П

.docx
Скачиваний:
35
Добавлен:
25.06.2022
Размер:
18.22 Кб
Скачать

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЕ ВОПРОСЫ И БИЛЕТЫ ПО КУРСУ ЭЛЕКТРОНИКА

для студентов групп

  1. Электрические свойства веществ. Полупроводники. Подвижные носители заряда в полупроводниках. Неподвижные заряды.

  2. Энергетические диаграммы собственного и примесного полупроводника.

  3. Электропроводность собственного и примесного полупроводника. Зависимость электропроводности от температуры.

  4. Концентрация носителей заряда в собственном и примесном полупроводнике.

  5. Диффузионный и дрейфовый ток.

  6. Контакты и структуры, используемые в электронике. M-n переход, p-n переход, МДП структура, n-p-n и p-n-p структуры.

  7. Контактная разность потенциалов, токи в контактах веществ в отсутствие внешнего напряжения. Равновесное состояние.

  8. Барьерная и диффузионная ёмкость.

  9. Электрический и тепловой пробой в контактах и структурах.

  10. Контакт металл-полупроводник. Диоды Шотки.

  11. Контакт р- и n- полупроводников (p-n переход). Равновесное состояние.

  12. P-n переход: контактная разность потенциалов, толщина, напряжение пробоя, ёмкость p-n перехода.

  13. Идеализированная и реальная вольтамперная характеристика m-n и p-n диодов.

  14. Мощный выпрямительный диод, импульсные и высокочастотные диоды, стабилитрон, варикап. Свето- и фотодиоды. Солнечные батареи.

  15. Влияние выбора типа полупроводника, размеров, концентрации примесей и температуры на свойства диодов.

  16. Свойства МДП структуры. Пороговое напряжение.

  17. МДП транзисторы с индуцированным и встроенным каналом.

  18. Статические характеристики МДП транзисторов. Параметры МДП-транзисторов: пороговое напряжение, удельная крутизна, паразитные ёмкости.

  19. МДП транзистор с плавающим затвором. Арсенид-галлиевый полевой транзистор.

  20. Биполярный транзистор. Схемы включения. Режимы.

  21. Схема с общей базой, схема с общим эмиттером. Соотношения токов, параметры и статические характеристики.

  22. Инерционные свойства МДП и биполярных транзисторов. Уменьшение инерционности: выбор типа полупроводника и размеров структур.

  23. Импульсные свойства МДП и биполярных транзисторов. Временные диаграммы.

  24. Частотные свойства МДП и биполярных транзисторов. Частотные характеристики.

  25. Контакт проводник – вакуум. Термоэлектронная эмиссия. Электронные лампы.

  26. Шумы электронных приборов.

  27. Компьютерное моделирование диодов и транзисторов.

  28. Основные задачи электроники. Интегральные схемы. Наноэлектроника.

  29. Основные понятия и числовые характеристики надёжности.

  30. Основные принципы современной электроники. Закон Мура.

  31. Классификация интегральных схем (по типу сигналов на входе и выходе, по технологии изготовления, по типу используемых элементов, по назначению).

  32. Изготовление подложек интегральных схем.

  33. Фотолитография. Факторы, ограничивающие минимальный топологический размер.

  34. Диффузия примесей, эпитаксия, напыление.

  35. Устройство и изготовление интегрального МДП транзистора.

  36. Устройство и изготовление интегрального биполярного транзистора.

  37. Устройство и изготовление интегральных схем на комплементарных МДП транзисторах.

  38. Пассивные элементы интегральных схем.

  39. Роль и методы изоляции элементов интегральных схем.

  40. Корреляция параметров элементов интегральных схем.

  41. Особенности схемотехники цифровых интегральных схем.

  42. Ключ на МДП транзисторах с одинаковым каналом.

  43. Ключ на комплементарных МДП транзисторах.

  44. Ключи интегральных схем: среднее время переключения, средняя потребляемая мощность, средняя работа переключения.

  45. Логические элементы НЕ, И, ИЛИ, принципы их построения.

  46. Логические элементы на комплементарных МДП транзисторах.

  47. Логические элементы на биполярных транзисторах (ТТЛ элемент).

  48. Принципы построения интегральных схем запоминающих устройств.

  49. Ячейки памяти интегральных схем запоминающих устройств.

  50. Особенности схемотехники аналоговых интегральных схем.

  51. Генератор стабильного тока, токовое зеркало, цепь сдвига уровня.

  52. Дифференциальный усилительный каскад. Дифференциальная и синфазная составляющие входного сигнала.

  53. Операционный усилитель. Коэффициент усиления, входное и выходное сопротивление, частотные характеристики.

  54. Операционный усилитель с обратной связью. Формула Блэка.

  55. Примеры решающих схем на ОУ (сумматор, вычитатель, интегратор, дифференциатор, нелинейные операции).

  56. Аналого-цифровые интегральные схемы. АЦП и ЦАП.

  57. Приборы с зарядовой связью. Матрицы для фототехники.

  58. Жидкостно-кристаллические экраны.

  59. Интегральные схемы на переключаемых конденсаторах.

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЕ БИЛЕТЫ ПО КУРСУ «ЭЛЕКРОНИКА»

Билеты содержат 4 вопроса:

№ билета вопросы

  1. 1, 16, 31, 46

  2. 2, 17, 32, 47

  3. 3, 18, 33, 48

  4. 4, 19, 34, 49

  5. 5, 20, 35, 50

  6. 6, 21, 36, 51

  7. 7, 22, 37, 52

  8. 8, 23, 38, 53

  9. 9, 24, 39, 54

  10. 10, 25, 40, 55

  11. 11, 26, 41, 56

  12. 12, 27, 42, 57

  13. 13, 28, 43, 58

  14. 14, 29, 44, 59

  15. 15, 30, 45, 60

ЛИТЕРАТУРА ДЛЯ ПОДГОТОВКИ

(На сайте кафедры «Электроника» в электронном виде)

  1. Учебное пособие по курсу «Физические особенности электроники». МТУСИ, 2016.

  2. Учебное пособие по курсу «Электроника». МТУСИ, 2018.

  3. Практикум по курсу «Электроника». Разделы «Краткие теоретические сведения». МТУСИ, 2017.