Ответ: б

Вопрос: В электронно-дырочном p-n-переходе внутреннее поле контактной разности потенциалов возникает при…

Ответ: отсутствии внешнего напряжения.

Вопрос: Диод с барьером Шоттки представляет технологический контакт двух областей

Ответ: полупроводника и металла.

Вопрос: Укажите, какая из энергетических диаграмм относится к полупроводнику n- типа… (EF – энергия уровня Ферми. EC и EV – границы зон проводимости и валентной)

Ответ: б

Вопрос: В гетерогенном p-n-переходе с широкой запрещенной зоной полупроводника n-

типа и узкой запрещенной зоной полупроводника p-типа, в равновесном состоянии, потенциальный барьер…

Ответ: больше для дырок.

Вопрос: Неосновные носители в полупроводнике – это…

Ответ: свободные носители, концентрация которых меньше.

Вопрос: Инжекция наблюдается в p-n-переходе при…

Ответ: прямом включении перехода,

Вопрос: В гетерогенном p-n-переходе с широкой запрещенной зоной полупроводника n- типа и узкой запрещенной зоной полупроводника p-типа, в режиме инжекции носителей при одинаковой концентрации примеси в областях…

Ответ: инжекция электронов превышает инжекцию дырок,

Вопрос: Потенциальный барьер для основных носителей заряда образован…

Ответ: ионами доноров и ионами акцепторов.

Вопрос: Диффузионный ток в примесном полупроводнике возникает при...

Ответ: наличии градиента концентрации носителей заряда,

Вопрос: Основными носителями в полупроводнике p-типа являются...

Ответ: дырки

Вопрос: Какая из энергетических диаграмм относится к полупроводнику i-типа...

EF – энергия уровня Ферми. EC и EV – границы зон (проводимости и валентной)

Ответ: а

Вопрос: На выходных характеристиках биполярного транзистора режиму отсечки

соответствует рабочая точка (РТ)…

Ответ: РТ С.

Вопрос: Электронная составляющая диффузионного тока …

Ответ:

Вопрос: Какой из структур электронно-дырочных переходов соответствует соотношение NДОН ≫ NАКЦ…

Ответ: в

Вопрос: В состоянии электрического равновесия (U = 0) в каком направлении перемещаются электроны через p-n-переход в результате диффузии...

Ответ: из n-области в p-область,

Вопрос: При увеличении прямого тока через p-n-переход диффузионная емкость…

Ответ: увеличивается

Вопрос: Температурная зависимость концентрации основных носителей (КОН) в примесных полупроводниках изображена графиком на рисунке. Максимальная температура ТМАКС соответствует…

Ответ: изменению свойств полупроводника и его превращению в собственный. Вопрос: Режимная зависимость диффузионной емкости от напряжения на p-n-переходе отражена на графике функциональной зависимостью СДИФ = f(U) – …

Ответ: 3

Вопрос: Внешние прямые напряжения создают в структуре p-n-перехода напряженность электрического поля…

Ответ: противоположное по направлению полю контактной разности потенциалов внутри перехода,

Вопрос: Укажите график, на котором изображена входная характеристика кремниевого транзистора n-p-n при UКБ > 0, в схеме с ОБ…

Ответ: б

Вопрос: Дрейф носителей заряда в полупроводнике представляет…

Ответ: направленное движение при наличии электрического поля,

Вопрос: Контактная разность потенциалов для p-n-перехода на основе германия составляет…

Ответ: 0,4В,

Вопрос: Дифференциальным коэффициентом передачи тока базы в биполярном транзисторе является…

Ответ:

Вопрос: Тепловой ток IКБ0 коллекторного перехода биполярного транзистора в схеме с ОБ определяется при…

Ответ: IЭ = 0,

Вопрос: Биполярный транзистор работает в нормальном активном режиме. Через эмиттерный переход протекает…

Ответ: диффузионный ток основных носителей,

Вопрос: Изображенный график семейства характеристик биполярного транзистора соответствует…

Ответ: выходным характеристикам в схеме с ОЭ,

Вопрос: Прямой ток через p-n-переход протекает при наличии…

Ответ: градиента концентрации подвижных носителей.

Вопрос: Входные статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ определяются связью…

Ответ:

Вопрос: Неосновные носители заряда p- и n-областей электронно-дырочного перехода, находящегося в состоянии динамического равновесия, совершают…

Ответ: дрейфовое движение через p-n-переход из обеих областей.

Вопрос: На выходных характеристиках биполярного транзистора рабочая точка (РТ) соответствует режиму…

Ответ: насыщения

Вопрос: Стокозатворная характеристика полевого транзистора, показанная на графике, отражает свойства…

Ответ: МДП-полевого транзистора с встроенным каналом n-типа,

Вопрос: Какое распределение неосновных носителей в базе БТ соответствует режиму насыщения…