Учебное пособие 800294
.pdf
Рис. 1.6. Последовательность при изготовлении ИС на пластинке КСДИ
Рис. 2.6. Система получения и использования информации при проведении работ по повышению надежности в процессе их серийного производства
Рис. 5.1. Схема реализации технологических методов повышения надежности ИС
в процессе серийного производства
Рис. 5.4. Технологический маршрут изготовления полупроводниковых изделий при применении метода выравнивающей технологии:
А0i – плановый процент выхода годных на i-той операции
Таблица 5.3
Процент выхода годных 33 партий ИС серии 106 на основных операциях
Номер |
Процент выхода годных на операции |
|||
партии |
|
|
|
|
|
(1) |
(2) |
(3) |
(4) |
1 |
98,10 |
98,93 |
99,70 |
100,0 |
2 |
91,03 |
96,90 |
99,18 |
97,18 |
3 |
97,53 |
97,80 |
99,22 |
99,44 |
4 |
97,50 |
98,43 |
99,66 |
96,12 |
5 |
97,95 |
96,20 |
99,53 |
98,25 |
6 |
96,96 |
97,39 |
99,67 |
99,44 |
7 |
97,25 |
98,20 |
99,89 |
99,89 |
8 |
97,24 |
96,97 |
99,67 |
99,66 |
9 |
99,29 |
96,84 |
99,67 |
99,89 |
10 |
99,59 |
95,62 |
99,77 |
100,0 |
11 |
89,86 |
97,54 |
100,0 |
100,0 |
12 |
98,78 |
96,52 |
99,55 |
100,0 |
13 |
83,39 |
97,88 |
99,59 |
99,78 |
14 |
98,26 |
96,20 |
99,45 |
100,0 |
15 |
98,46 |
98,04 |
99,33 |
97,20 |
16 |
93,92 |
97,33 |
99,63 |
97,50 |
17 |
98,38 |
97,13 |
99,56 |
100,0 |
|
|
|
|
|
Номер |
Процент выхода годных на операции |
|||
партии |
|
|
|
|
|
(1) |
(2) |
(3) |
(4) |
18 |
98,66 |
96,59 |
99,77 |
100,0 |
19 |
95,87 |
97,74 |
99,65 |
100,0 |
20 |
93,07 |
97,29 |
99,65 |
95,45 |
21 |
92,05 |
97,65 |
99,51 |
100,0 |
22 |
98,98 |
97,64 |
99,12 |
91,56 |
23 |
94,75 |
97,87 |
99,52 |
99,51 |
24 |
91,39 |
97,03 |
99,51 |
97,04 |
25 |
98,55 |
97,18 |
99,44 |
99,10 |
26 |
97,88 |
94,33 |
99,87 |
96,61 |
27 |
94,09 |
97,84 |
99,54 |
99,88 |
28 |
89,53 |
97,65 |
99,64 |
95,41 |
29 |
98,73 |
97,14 |
99,77 |
96,71 |
30 |
98,87 |
97,54 |
99,70 |
94,20 |
31 |
99,19 |
88,87 |
100,0 |
100,0 |
32 |
99,11 |
94,51 |
99,69 |
99,69 |
33 |
98,34 |
96,89 |
94,96 |
99,58 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 5.4 |
|
|
|
Обобщенные данные по 33 партиям ИС |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Уста- |
|
|
Количе- |
|
|
Факти- |
Плано- |
|
|
|
новлен- |
|
Техно- |
ство ИС, |
|
|
ческий |
вый |
|
|
|
ное |
|
логиче- |
прошед- |
Годные, |
Брак, шт. |
процент |
процент |
|
i, % |
3 i, % |
нижнее |
|
ская |
ших опе- |
шт. |
|
выхода |
выхода |
|
|
|
значение |
|
операция |
рацию, |
|
|
годных |
годных |
|
|
|
процента |
|
|
шт. |
|
|
|
|
|
|
|
выхода |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
годных |
|
(1) |
32580 |
31320 |
1260 |
96,13 |
95,614 |
|
3,730 |
11,20 |
84,40 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(2) |
29574 |
28660 |
914 |
96,90 |
96,746 |
|
1,739 |
5,217 |
91,53 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(3) |
28447 |
28315 |
132 |
99,53 |
99,500 |
|
0,830 |
2,490 |
97,00 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(4) |
27506 |
27049 |
457 |
98,34 |
99,570 |
|
2,110 |
6,330 |
93,24 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 1.1 |
|
Достижения в развитии СБИС ДОЗУ |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Годы |
|
|
|
||
Параметры |
1982 |
1984 |
1986 |
|
1988 |
1990 |
1995- |
|
|
|
|
|
|
|
|
2000 |
|
Технологический уровень (ТУ) |
ТУ3 |
ТУ4 |
ТУ5 |
|
ТУ6 |
ТУ7 |
ТУ8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Минимальный топологический |
2,0-2,5 |
1,2-1,6 |
0,8-1,2 |
|
0,8-1,0 |
0,5-0,7 |
0,2-0,4 |
|
размер, мкм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Длина стороны кристалла, мм |
5 |
6,5 |
7,5 |
|
10 |
13,7 |
15,8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Площадь кристалла, мм2 |
28 |
43 |
40-70 |
|
80-140 |
110-150 |
200-250 |
|
Число слоев (максимальное) |
9 |
10 |
12 |
|
14 |
16 |
18 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Плотность дефектов, см-2 |
2,86 |
1,83 |
1,16 |
|
0,72 |
0,38 |
0,25-0,3 |
|
Объем ДОЗУ |
64К |
256К |
1М |
|
4М |
16М |
64М |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Число транзисторов, млн. шт. |
0,28 |
0,83 |
2,5-3 |
|
6-10 |
30-35 |
140 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Оптимальный диаметр пластины, |
100 |
125 |
150 |
|
200 |
200 |
300 |
|
мм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 3.1 Пооперационный выход годных и пооперационные потери при изготовлении ИС серии КР142
Номер |
|
Выход |
Нарас- |
Потери |
Потери на операции, |
опера- |
Операция |
годных на |
тающий |
от |
отнесенные к общему |
ции |
|
операции, |
выход |
запуска, |
количеству потерь, |
|
|
% |
годных, % |
% |
% |
1 |
Контроль внешнего вида кристал- |
96,3 |
96,3 |
3,7 |
6,67 |
|
лов |
|
|
|
|
2 |
Напайка кристалла |
98 |
94,4 |
1,9 |
3,47 |
3 |
Приварка выводов |
99,9 |
94,3 |
0,1 |
0,18 |
4 |
Контроль арматуры собранной |
89,9 |
84,8 |
9,5 |
17,4 |
5 |
Герметизация |
89,9 |
76,2 |
8,6 |
15,8 |
6 |
Контроль статических параметров |
85,88 |
65,4 |
10,8 |
19,8 |
|
при нормальных условиях |
|
|
|
|
7 |
Контроль электрических парамет- |
88,9 |
58,1 |
7,3 |
13,4 |
|
ров при повышенной температуре |
|
|
|
|
8 |
Проверка выходной мощности |
98 |
57,0 |
1,2 |
2,2 |
9 |
Вторая проверка статических па- |
87,08 |
49,6 |
7,4 |
13,6 |
|
раметров при нормальных услови- |
|
|
|
|
|
ях |
|
|
|
|
10 |
Контроль внешнего вида |
96,6 |
47,9 |
1,7 |
3,1 |
11 |
Приемо-сдаточные испытания |
95 |
45,5 |
2,4 |
4,4 |
|
Всего: |
|
45,4 |
54,6 |
~100 |