- •Введение
- •1. Элементная база аналоговой электроники
- •Лабораторно-практическая работа №1 Исследование полупроводникового диода
- •Лабораторно-практическая работа №2 Исследование параметрического стабилизатора
- •Лабораторно-практическая работа №3 Исследование биполярного транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №4 Исследование схем смещения биполярного транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №5 Исследование полевого транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №6 Исследование обедненного моп-транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №7 Исследование обогащенного моп-транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №8 Работа полевого транзистора в режиме источника тока
- •Лабораторно-практическая работа №9 Работа полевого транзистора в режиме электронно-управляемого резистора
- •2. Транзисторные усилители
- •Лабораторно-практическая работа №10 Исследование усилителя с общим эмиттером
- •Лабораторно-практическая работа №11 Исследование усилителя с общим коллектором
- •Лабораторно-практическая работа №12 Исследование усилителя на полевом транзисторе
- •Лабораторно-практическая работа №13 Исследование усилителя на моп-транзисторе
- •Лабораторно-практическая работа №14 Исследование усилителя постоянного тока (упт)
- •Лабораторно-практическая работа №15 Исследование дифференциального усилителя (ду)
- •Лабораторно-практическая работа №16 Исследование двухтактного усилителя мощности
- •3. Схемы на операционных усилителях
- •Лабораторно-практическая работа №17 Усилительные схемы
- •Лабораторно-практическая работа №18 Операционные схемы
- •Лабораторно-практическая работа №19 Генератор синусоидального напряжения
- •Лабораторно-практическая работа №20 Активные фильтры
- •Лабораторно-практическая работа №21 Умножитель напряжений
- •Лабораторно-практическая работа №22 Специальные усилительные схемы
- •4. Источники вторичного электропитания
- •Лабораторно-практическая работа №23 Исследование сглаживающих фильтров
- •Лабораторно-практическая работа №24 Транзисторные стабилизаторы напряжения
- •5. Импульсные устройства
- •Лабораторно-практическая работа №25 Исследование мультивибратора
- •Лабораторно-практическая работа №26 Исследование триггера Шмитта
- •Лабораторно-практическая работа №27 Исследование транзисторного регулятора мощности
- •Лабораторно-практическая работа №28 Исследование устройства с ши-управлением
- •6. Примеры электронных устройств
- •Лабораторно-практическая работа №29 Устройство измерения коэффициента нелинейных искажений (кни)
- •Лабораторно-практическая работа №30 Генератор синусоидального напряжения инфранизкой частоты (инч)
- •Лабораторно-практическая работа №31 Устройство защиты от токовых перегрузок
- •Лабораторно-практическая работа №32 Генератор периодического напряжения сложной формы
Лабораторно-практическая работа №7 Исследование обогащенного моп-транзистора
ЦЕЛИ РАБОТЫ
Измерить и построить стоковые характеристики обогащенного МОПтранзистора.
По данным стоковых характеристик построить стоко-затворную характеристику при определенном напряжении UЗИ.
Определить крутизну транзистора S в заданном положении рабочей точки, соответствующей линейному участку.
Сделать выводы.
КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
Устройство обогащенного МОП-транзистора аналогично устройству рассмотренного ранее обедненного МОП-транзистора, за исключением того, что в обогащенном МОП-транзисторе между стоком и истоком отсутствует канал. Этот канал создается зарядами, индуцированными полем, наведенным напряжением затвора. Металлический затвор и p-полупроводник вместе с изолирующим оксидным слоем между ними в области канала образует конденсатор. При этом положительное напряжение затвора создает электрическое поле через оксидный слой; это поле отталкивает дырки из области канала. Таким образом в области канала создается обедненная область, в которой увеличивается плотность электронов. Дальнейшее повышение напряжения затвор-исток индуцирует еще больше электронов в области канала. При превышении напряжением UЗИ некоторого значения насыщения число электронов становился достаточным, чтобы образовать под оксидным слоем некоторый инверсионный (обращенный) слой (см. рис. 7.1).
Таким образом, слой на границе полупроводник – оксид становится насыщен электронами, хотя он находится в области полупроводника p-типа. Если при этом приложить положительное напряжение между стоком и истоком, то через индуцированный канал будет протекать ток. Транзистор такого типа называется обогащенным, поскольку положительный потенциал затвора обогащает канал индуцированными зарядами.
Рис. 7.1 Схема для снятия стоковых характеристик обогащенного МОП-транзистора
ПОРЯДОК ПРОВЕДЕНИЯ РАБОТЫ
Для построения стоковых характеристик транзистора следует собрать схему, представленную на рис. 7.1. Результаты измерений следует занести в табл. 7.1;
По данным табл. 7.1 построить стоко-затворную характеристику при UЗИ = 6 В;
Вычислить значение крутизны транзистора S на линейном участке ее характеристики.
Табл. 7.1 Данные для построения семейства стоковых характеристик |
||||||||
UЗИ = 2 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 2,2 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 2,4 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 2,6 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 2,8 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 3 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UКЭ, B |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
7 |
9 |
12 |
РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
1. Стоковые характеристики обогащенного МОП-транзистора.
2. Стокозатворная характеристика, снятая при UЗИ = 6 В.
3. Рассчитанное значение крутизны транзистора.
4. Выводы по работе.
ВЫВОДЫ
Работа обогащенного МОП-транзистора возможна только при одной полярности напряжения, что делает его аналогом биполярного транзистора, управление которым не требует входного тока.
Обогащенные МОП-транзисторы могут быть применены для усилителей, работающих в режиме малого сигнала, аналогично маломощным биполярным транзисторам.