- •Введение
- •1. Элементная база аналоговой электроники
- •Лабораторно-практическая работа №1 Исследование полупроводникового диода
- •Лабораторно-практическая работа №2 Исследование параметрического стабилизатора
- •Лабораторно-практическая работа №3 Исследование биполярного транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №4 Исследование схем смещения биполярного транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №5 Исследование полевого транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №6 Исследование обедненного моп-транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №7 Исследование обогащенного моп-транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №8 Работа полевого транзистора в режиме источника тока
- •Лабораторно-практическая работа №9 Работа полевого транзистора в режиме электронно-управляемого резистора
- •2. Транзисторные усилители
- •Лабораторно-практическая работа №10 Исследование усилителя с общим эмиттером
- •Лабораторно-практическая работа №11 Исследование усилителя с общим коллектором
- •Лабораторно-практическая работа №12 Исследование усилителя на полевом транзисторе
- •Лабораторно-практическая работа №13 Исследование усилителя на моп-транзисторе
- •Лабораторно-практическая работа №14 Исследование усилителя постоянного тока (упт)
- •Лабораторно-практическая работа №15 Исследование дифференциального усилителя (ду)
- •Лабораторно-практическая работа №16 Исследование двухтактного усилителя мощности
- •3. Схемы на операционных усилителях
- •Лабораторно-практическая работа №17 Усилительные схемы
- •Лабораторно-практическая работа №18 Операционные схемы
- •Лабораторно-практическая работа №19 Генератор синусоидального напряжения
- •Лабораторно-практическая работа №20 Активные фильтры
- •Лабораторно-практическая работа №21 Умножитель напряжений
- •Лабораторно-практическая работа №22 Специальные усилительные схемы
- •4. Источники вторичного электропитания
- •Лабораторно-практическая работа №23 Исследование сглаживающих фильтров
- •Лабораторно-практическая работа №24 Транзисторные стабилизаторы напряжения
- •5. Импульсные устройства
- •Лабораторно-практическая работа №25 Исследование мультивибратора
- •Лабораторно-практическая работа №26 Исследование триггера Шмитта
- •Лабораторно-практическая работа №27 Исследование транзисторного регулятора мощности
- •Лабораторно-практическая работа №28 Исследование устройства с ши-управлением
- •6. Примеры электронных устройств
- •Лабораторно-практическая работа №29 Устройство измерения коэффициента нелинейных искажений (кни)
- •Лабораторно-практическая работа №30 Генератор синусоидального напряжения инфранизкой частоты (инч)
- •Лабораторно-практическая работа №31 Устройство защиты от токовых перегрузок
- •Лабораторно-практическая работа №32 Генератор периодического напряжения сложной формы
Лабораторно-практическая работа №6 Исследование обедненного моп-транзистора
ЦЕЛИ РАБОТЫ
Измерить и построить стоковые характеристики обедненного МОПтранзистора;
По данным стоковых характеристик построить стоко-затворную характеристику при определенном напряжении UЗИ;
Определить крутизну транзистора S в заданном положении рабочей точки, соответствующей линейному участку;
Сделать выводы.
КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
У полевых транзисторов МОП-структуры электрод затвора отделен от полупроводникового канала изолирующим оксидным слоем. По этой причине данные транзисторы называют транзисторами с изолированным затвором. Такой транзистор управляется электрическим полем, созданным напряжением между затвором и полупроводником и это поле передается через слой оксида.
В зависимости от того, каким способом изменяется проводимость канала, МОП-транзисторы разделяются на два вида:
- обедненные МОП-транзисторы;
- обогащенные МОП-транзисторы.
Работа МОП-транзистора с обедненным слоем показана на рис. 6.1. На подложке p-типа созданы два сильнолегированных участка, обозначенных n+. Один из них служит истоком, другой – стоком. Между стоком и истоком имплантирован n- канал, в котором имеются подвижные электроны проводимости.
n- Канал обедненного МОП-транзистора обычно работает с положительным напряжением между стоком и истоком. Подложка, как правило, имеет внутреннее соединение с истоком. Напряжение между затвором и истоком UЗИ может быть положительным, нулевым и отрицательным. Это существенно отличает МОП-транзисторы от транзисторов с p-n переходом.
На рис. 6.1 изображен транзистор с отрицательным напряжением затвор-исток. Пусть UЗИ = 0 В. Если увеличивать напряжение сток-исток от нуля, ток стока будет увеличиваться линейно до тех пор, пока напряжение UЗИ меньше напряжения отсечки. При увеличении напряжения сток-исток выше напряжения отсечки ток стока будет увеличиваться незначительно, то есть, - будет слабо зависеть от напряжения сток-исток и статическая характеристика станет практически горизонтальной. Эта область также называется областью насыщения.
Когда напряжение на затворе по отношению к истоку будет отрицательным, электрическое поле будет индуцировать в канале положительные заряды. Поскольку некоторые электроны рекомбинируют с индуцированными положительными зарядами, и не участвуют в процессе электропроводности, то под оксидным слоем остается область обеднения. В результате канал становится уже, его сопротивление возрастает из-за потери части подвижных электронов и ток стока уменьшается. При более отрицательном напряжении затвор-исток область обеднения увеличивается, и, наконец, электроны проводимости полностью исчезают. В этом случае ток стока уменьшается до нуля.
Наименьшее отрицательное напряжение затвор-исток UЗИ, при котором в канале полностью отсутствуют подвижные носители, называется пороговым напряжением. В этом случае ток стока будет равен нулю при любых значениях напряжения сток-исток. При отрицательных напряжениях UЗИ стоковые характеристики аналогичны характеристикам n- канального полевого транзистора.
Рис. 6.1 Работа обедненного МОП-транзистора: а) при UЗИ < 0 В; б) при UЗИ = 0 В
Отсутствие p-n перехода между затвором и областью канала у МОП-транзистора допускает приложение положительного напряжения затвор-исток для обедненного n-МОП-транзистора. Положительное напряжение UЗИ создает поле, индуцирующее в канале больше подвижных носителей. Это повышает проводимость канала и увеличивает ток стока. Говорят, что при положительном напряжении затвор-исток транзистор работает в режиме обогащения. Следовательно, обедненный МОП-транзистор может работать и в режиме обогащения, и в режиме обеднения.
ПОРЯДОК ПРОВЕДЕНИЯ РАБОТЫ
Для построения стоковых характеристик транзистора следует собрать схему, представленную на рис. 6.1. Результаты измерений следует занести в табл. 6.1.
По данным табл. 6.1 построить стоко-затворную характеристику при UЗИ = 6 В.
Вычислить значение крутизны транзистора S на линейном участке ее характеристики.
Рис. 6.1 Схема для снятия стоковых характеристик обедненного МОП-транзистора
Табл. 6.1 Данные для построения семейства стоковых характеристик |
||||||||
UЗИ = -0,5 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 0 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 0,5 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 1 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 1,5 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 2 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UКЭ, B |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
7 |
9 |
12 |
РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
1. Стоковые характеристики обедненного МОП-транзистора.
2. Стокозатворная характеристика, снятая при UЗИ = 6 В.
3. Рассчитанное значение крутизны транзистора.
4. Выводы по работе.
ВЫВОДЫ
Особенностью работы обедненного МОП-транзистора является его возможность находиться в обедненном и обогащенном режимах. Это позволяет подавать на его вход как положительное, так и отрицательное напряжение затвор-исток в усилительном режиме.
Возможность работы обедненного МОП-транзистора при отрицательном и положительном напряжениях позволяет использовать его для усиления на малых частотах без применения разделительного конденсатора.