- •Введение
- •1. Элементная база аналоговой электроники
- •Лабораторно-практическая работа №1 Исследование полупроводникового диода
- •Лабораторно-практическая работа №2 Исследование параметрического стабилизатора
- •Лабораторно-практическая работа №3 Исследование биполярного транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №4 Исследование схем смещения биполярного транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №5 Исследование полевого транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №6 Исследование обедненного моп-транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №7 Исследование обогащенного моп-транзистора
- •Лабораторно-практическая работа №8 Работа полевого транзистора в режиме источника тока
- •Лабораторно-практическая работа №9 Работа полевого транзистора в режиме электронно-управляемого резистора
- •2. Транзисторные усилители
- •Лабораторно-практическая работа №10 Исследование усилителя с общим эмиттером
- •Лабораторно-практическая работа №11 Исследование усилителя с общим коллектором
- •Лабораторно-практическая работа №12 Исследование усилителя на полевом транзисторе
- •Лабораторно-практическая работа №13 Исследование усилителя на моп-транзисторе
- •Лабораторно-практическая работа №14 Исследование усилителя постоянного тока (упт)
- •Лабораторно-практическая работа №15 Исследование дифференциального усилителя (ду)
- •Лабораторно-практическая работа №16 Исследование двухтактного усилителя мощности
- •3. Схемы на операционных усилителях
- •Лабораторно-практическая работа №17 Усилительные схемы
- •Лабораторно-практическая работа №18 Операционные схемы
- •Лабораторно-практическая работа №19 Генератор синусоидального напряжения
- •Лабораторно-практическая работа №20 Активные фильтры
- •Лабораторно-практическая работа №21 Умножитель напряжений
- •Лабораторно-практическая работа №22 Специальные усилительные схемы
- •4. Источники вторичного электропитания
- •Лабораторно-практическая работа №23 Исследование сглаживающих фильтров
- •Лабораторно-практическая работа №24 Транзисторные стабилизаторы напряжения
- •5. Импульсные устройства
- •Лабораторно-практическая работа №25 Исследование мультивибратора
- •Лабораторно-практическая работа №26 Исследование триггера Шмитта
- •Лабораторно-практическая работа №27 Исследование транзисторного регулятора мощности
- •Лабораторно-практическая работа №28 Исследование устройства с ши-управлением
- •6. Примеры электронных устройств
- •Лабораторно-практическая работа №29 Устройство измерения коэффициента нелинейных искажений (кни)
- •Лабораторно-практическая работа №30 Генератор синусоидального напряжения инфранизкой частоты (инч)
- •Лабораторно-практическая работа №31 Устройство защиты от токовых перегрузок
- •Лабораторно-практическая работа №32 Генератор периодического напряжения сложной формы
Лабораторно-практическая работа №5 Исследование полевого транзистора
ЦЕЛИ РАБОТЫ
Измерить и построить стоковые характеристики полевого транзистора;
По данным стоковых характеристик построить стоко-затворную характеристику при определенном значении UЗИ;
Определить крутизну транзистора S в заданном положении рабочей точки, соответствующей линейному участку;
Сделать выводы.
КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
Полевые транзисторы с p-n переходом бывают двух типов: с n- и p- каналом. Рассмотрим полевой транзистор с n- каналом (см. рис. 5.1).
На двух сторонах полупроводниковой пластины n- типа созданы две сильнолегированных области. Эти две p- области соединены вместе и образуют вывод, называемый затвором. Два других вывода (сток и исток) образованы на двух концах полупроводниковой пластины.
Между двумя p- областями затвора находится n- область, называемая каналом. Естественные процессы дрейфа и диффузии зарядов на p-n переходе образуют области обеднения на границе p- затвора и n- подложки. Для нормальной работы n- канального полевого транзистора с p-n переходом внешний источник напряжения прикладывается так, чтобы сток был положительным по отношению к истоку.
Рис. 5.1 Структура n- канального полевого транзистора
Это внешнее напряжение вызывает ток, называемый током стока IС, который протекает между стоком и истоком. Ток стока в n- канальном транзисторе состоит только из электронов, исходящих из истока. Другой источник напряжения, подключенный между затвором и истоком, отрицательным полюсом к затвору, смещает p-n переходы на каждой стороне канала.
Ширина областей обеднения зависит от величины обратно смещающего напряжения затвор-исток UЗИ. Если напряжение UЗИ станет отрицательнее, то области обеднения расширяются и проникают внутрь области канала, потому что область канала легирована намного слабее, чем p+ затворы. В результате этого канал становится уже и сопротивление его возрастает.
Если затвор транзистора накоротко соединен с истоком, то есть UЗИ = 0 В, при увеличении напряжения сток-исток, ток стока будет линейно возрастать, как это и бывает с полупроводником при малых приложенных напряжениях.
Согласно закону Ома
где RСИ – сопротивление канала.
Это сопротивление можно выразить через параметры канала следующим образом
Важно, что распространение области обеднения в канале увеличивается при увеличении напряжения сток-исток. При этом ширина обедненной области больше (а канал уже) возле стока, чем возле заземленного истока.
Если далее увеличивать напряжение сток-исток, то две области обеднения коснутся друг друга возле стока. Это состояние называется отсечкой. Напряжение сток-исток UСИ, при котором происходит отсечка, называют напряжением отсечки, коорое является важным параметром полевого транзистора с p-n переходом. У транзисторов с n- каналом это напряжение положительно, а у транзисторов с p- каналом – положительно. При дальнейшем увеличении напряжения сток-исток, ток стока может резко увеличиться из-за лавинного пробоя.
Для определения стоковых характеристик полевых транзисторов с p-n переходом следует увеличивать значения напряжений затвор-исток, и (фиксируя его) измерять изменение тока стока в зависимости от напряжения сток-исток. Таким образом, стоковые характеристики представляют собой следующие функциональные зависимости: IС(UСИ), при UЗИ = const.
По данным стоковых характеристик могут быть построены стоко-затворные характеристики, которые представляют собой зависимости тока стока от напряжения затвор-исток, снятые при фиксированных значениях напряжения сток-исток: IС(UЗИ), при UСИ = const.
Крутизной полевого транзистора называется величина
снятая при некотором постоянном значении напряжения UСИ0. Как правило в качестве напряжения UСИ0 выбирают напряжение покоя на выходе транзистора. Для транзисторов малой мощности величина S измеряется в мА/В.
Рис. 5.1 Схема для снятия семейства стоковых характеристик
ПОРЯДОК ПРОВЕДЕНИЯ РАБОТЫ
Для построения стоковых характеристик транзистора следует собрать схему, представленную на рис. 5.1. Результаты измерений следует занести в табл. 5.1;
По данным табл. 5.1 построить стоко-затворную характеристику при UЗИ = 6 В;
Вычислить значение крутизны транзистора S на линейном участке ее характеристики.
Табл. 5.1 Данные для построения семейства стоковых характеристик |
||||||||
UЗИ = 0 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 0,1 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 0,2 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 0,3 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 0,4 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = 0,5 В |
|
|
|
|
|
|
|
|
UКЭ, B |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
5 |
7 |
9 |
12 |
РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
1. Стоковые характеристики транзистора.
2. Стокозатворная характеристика, снятая при UЗИ = 6 В.
3. Выводы по работе.
ВЫВОДЫ
В отличие от биполярного транзистора полевой транзистор не требует для управления входного тока, что обуславливает высокую величину его входного сопротивления.
Стоко-затворная характеристика при небольших значениях напряжений UЗИ имеет линейный участок, что позволяет использовать его для усиления сигнала.
Крутизна транзистора отвечает за его коэффициент усиления по напряжению; чем больше величина S, тем лучшими усилительными свойствами он обладает.