
- •Билеты по физике
- •1.Закон Кулона. Напряженность эп. Принцип суперпозиции.
- •2.Поток вектора напряженности эп. Теорема Гаусса.
- •9. Электрическое поле в веществе.
- •10. Поляризация диэлектриков.
- •13. Условия для электростатического поля на границе раздела двух диэлектриков.
- •13. Условия для электростатического поля на границе раздела двух диэлектриков
- •Другие варианты ответа на вопрос:
- •14. Сегнетоэлектрики
- •15. Проводники в электрическом поле поверхностная плотность индуцированных зарядов
- •16. Электрическая емкость уединенного проводника. Конденсатор. (я не знаю что из того нужно, поэтому скопировала все на всякий случай)
- •17. Энергия электростатического поля
- •Интегральное представление энергии непрерывного распределения зарядов, cравнение со случаем энергии системы точечных зарядов
- •Электрическая энергия заряженных уединенного проводника и конденсатора
- •20. Электрический ток и его характеристики. Уравнение неразрывности.
- •21.Основы классической электронной теории электропроводности металлов
- •22. Закон Ома в дифференциальной форме
- •23.Электропроводность газов. Границы применимости закона Ома.
- •24. Магнитная индукция. Сила Лоренца.
- •25. Закон Био-Савара-Лапласса.
- •26. Магнитное поле прямого тока
- •27. Магнитное поле кругового тока
- •28. Теорема о циркуляции вектора b
- •29. Сила Лоренца
- •31. Сила взаимодействия токов
- •32. Магнитное поле в веществе. Магнетон Бора.
- •33 Напряженность магнитного поля. Вектор намагниченности:
- •34 Типы магнетиков. Диамагнетизм. Парамагнетизм
- •35. Ферромагнетизм.
- •36. Теорема о циркуляции для магнитного поля в веществе
- •39. Энергия магнитного поля.
- •Виды поляризации.
- •Энергия электромагнитных волн
- •45. Вектор Пойнтинга.
- •47. Интерференция света от двух точечных источников.
- •Спираль Френеля
- •51.Дифракция на щели
- •52.Дифракционная решетка
- •53.Голография.
- •54.Поляризация света.Закон Брюстера.
- •55. Рубиновый лазер
- •60. Уравнение Шредингера. Свойства волновой функции.
- •Другой вариант ответа:
14. Сегнетоэлектрики
Сегнетоэлектриками называют вещества, обладающие спонтанной поляризацией, направление которой может быть изменено с помощью внешнего электрического поля. Сегнетоэлектрики имеют доменную структуру. Направление электрических моментов у разных доменов различно, поэтому суммарная поляризованность материала может быть равна нулю.
Сегнетоэлектрики – это одна из разновидностей материалов, обладающих одновременно и характеристиками диэлектриков и материалов, в которых может возникать спонтанная поляризация (явление, связанное со смещением в материале связанных зарядов) при отсутствии внешнего электрического поля. Правда, последнее характерно только в определенном интервале температур.
Внешнее электрическое поле изменяет направления электрических моментов доменов, что создает эффект очень сильной поляризации. Доменная поляризация связана с процессами зарождения и роста новых доменов за счет смещения доменных границ, которые в итоге вызывают переориентацию вектора спонтанной поляризованности в направлении внешнего электрического поля. Следствием этого является нелинейная зависимость электрической индукции от напряженности поля (рис.). При изменении направления поля кривая описывает гистерезисную петлю. Точки В и С определяют состояние технического насыщения, Ес коэрцитивная сила,Dr остаточная электрическая индукция. Площадь гистерезисной петли пропорциональна энергии, рассеиваемой в диэлектрике за один период. Совокупность вершин гистерезисных петель, полученных при различных значениях амплитуды переменного поля, образует основную кривую поляризации сегнетоэлектрика.
Специфичные
свойства сегнетоэлектриков проявляются
лишь в определенном диапазоне температур.
В процессе нагревания выше некоторой
температуры происходит распад доменной
структуры, и сегнетоэлектрик переходит
в параэлектрическое состояние. Температура
такого фазового перехода получила
название сегнетоэлектрической точки
Кюри (Тк).
Температура Кюри является температурой фазового перехода, ниже этой температуры сегнетоэлектрик обладает доменной структурой и характерными сегнетоэлектрическими свойствами; выше этой температуры происходит распад доменной структуры и сегнетоэлектрик переходит в параэлектрическое состояние. Следствием доменного строения сегнетоэлектриков являются нелинейная зависимость их поляризованности или электрической индукции от напряженности электрического поля (см. рисунок 7.8), которая носит название диэлектрической петли гистерезиса, и резко выраженная температурная зависимость диэлектрической проницаемости, в которой максимум диэлектрической проницаемости достигается при температуре, соответствующей точке Кюри.
По типу химической связи и физическим свойствам все сегнетоэлектрики подразделяют на 2 вида: ионные и дипольные кристаллы. У первой группы характерным структурным элементом является кислородный октаэдр. К ним относятся: титанат бария (BaTiO3), титанат свинца (PbTiO3), ниобат калия (KNbO3), ниобат лития (LiNbO3), танталат лития (LiTaO3), йодат калия(KJO3), барий-натриевый ниобат или сокращенно БАНАН (Ba2NaNb5O15) и др.
У дипольных сегнетоэлектриков имеются готовые полярные группы атомов, способные занимать различные положения равновесия. К ним относятся: сегнетова соль (NaKC4H4O64H2O), триглицинсульфат ((NH2CH2COOH)3H2SO4), дигидрофосфат натрия (KH2PO4), нитрат натрия (NaNO2) и др.
Все соединения первой группы нерастворимы в воде, обладают значительной механической прочностью, легко получаются по керамической технологии. Дипольные соединения, наоборот, обладают малой механической прочностью и растворимостью в воде, благодаря чему можно вырастить крупные монокристаллы этих соединений из водных растворов.
Сегнетоэлектрики находят применение: для изготовления малогабаритных низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью; для изготовления материалов с большой нелинейностью поляризации для диэлектрических усилителей, модуляторов и других управляемых устройств; в вычислительной технике — для ячеек памяти; для модуляции и преобразования лазерного излучения; в пьезо- и пироэлектрических преобразователях.
Не смотря на то, что спонтанная поляризация в сегнетоэлектриках возникает при отсутствии внешнего воздействия, ею легко управлять именно внешними факторами – изменением окружающей температуры, внешнего поля и приложенного напряжения.