- •Промышленная электроника
- •Резисторы
- •Конденсаторы
- •Примеры маркировки резисторов и конденсаторов.
- •Конструкция диодов.
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Туннельные диоды
- •Транзистор
- •Полевой транзистор
- •Тиристоры
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Интегральная микросхема
- •Условные обозначения цифровых микросхем (цис)
- •Усилители.
- •Генераторы гармонических колебаний.
- •Триггеры
- •Мультивибраторы
- •Операционный усилитель.
- •Классификация оу в интегральном исполнении
- •Усилитель звуковой частоты на операционном усилителе
- •Аналоговые преобразователи электрических сигналов
- •Логические элементы
- •Структурная схема контроллера
- •Контроль работы
- •Сравнительная характеристика контроллеров
- •Структурная схема Ремиконта
- •Вспомогательные блоки
- •Конструкция ремиконта
- •Структура набора алгоблоков программного обеспечения
- •Алгоблок
- •Возможности алгоблока
- •Приоритетность режимов.
Промышленная электроника
Цели и задачи учебной дисциплины:
В результате освоения учебной дисциплины обучающийся должен уметь:
различать полупроводниковые диоды, биполярные и полевые транзисторы, тиристоры на схемах и в изделиях;
определять назначение и свойства основных функциональных узлов аналоговой электроники: усилителей, генераторов в схемах;
использовать операционные усилители для построения различных схем;
применять логические элементы, для построения логических схем, грамотно выбирать их параметры и схемы включения.
В результате освоения учебной дисциплины обучающийся должен знать:
принципы функционирования интегрирующих и дифференцирующих RC-цепей;
технологию изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов и транзисторов, тиристора, аналоговых электронных устройств;
свойства идеального операционного усилителя;
принципы действия генераторов прямоугольных импульсов, мультивибраторов;
особенности построения диодно-резистивных, диодно-транзисторных и транзисторно-транзисторных схем реализации булевых функций;
цифровые интегральные схемы: режимы работы, параметры и характеристики, особенности применения при разработке цифровых устройств;
этапы эволюционного развития интегральных схем: большие интегральные схемы (БИС), сверхбольшие интегральные схемы (СБИС), микропроцессоры в виде одной или нескольких сверхбольших интегральных схем (МП СБИС), переход к нанотехнологиям производства интегральных схем, тенденции развития.
Физические свойства электронов.
Электрический заряд e = 1.60217733´10-19 к.
Масса покоя электрона me = 9.1093897´10-31 кг.
Радиус электрона классический re = 2.81794092´10-15 м.
Магнитный момент электрона mБ = 9.2740154´10-24 а×м2
Движение электронов в электронном поле.
Во всех электронных и ионных приборах электронные потоки в вакууме или газе, находящемся под тем или иным давлением, подвергаются воздействию электрического поля. Взаимодействие движущихся электронов с электрическим полем является основным процессом в электронных и ионных приборах. Рассмотрим движение электрона в электрическом поле.
На рис. изображено электрическое поле в вакууме между двумя плоскими электродами, на которые подано напряжение U (катод и анод). Из катода, вылетает электрон со скоростью V. Поле действует на электрон с силой F и притягивает его к электроду с более высоким положительным потенциалом (аноду). Электрон двигается ускоренно и приобретает наибольшую скорость в конце своего пути, т. е. при ударе об электрод, к которому он летит. Таким образом, при движении электрона в ускоряющем поле происходит увеличение кинетической энергии электрона за счет того, что поле совершает работу по перемещению электрона. Электрон всегда отнимает энергию от ускоряющего поля.
Скорость, приобретаемая электроном при движении в ускоряющем поле, зависит от пройденной разности потенциалов U и определяется формулой
при U — 100 в скорость V ~ 6 000 км/сек.
Электронная эмиссия.
Термоэлектронная эмиссия
- возникает в результате нагрева. Используют в вакуумных и газонаполненных приборах.
Электростатическая (автоэлектронная эмиссия)
- обусловлена наличием у поверхности тела сильного электрического поля.
Фотоэлектронная эмиссия (фотоэффект)
- эмиссия электронов из вещества под действием падающего на его поверхность светового излучения.
Вторичная электронная эмиссия
- испускание электронов поверхностью твёрдого тела при её бомбардировке электронами.
Ионно-электронная эмиссия
- испускание электронов металлом при его бомбардировке ионами.
Взрывная электронная эмиссия
- испускание электронов в результате локальных взрывов.
Криогенная электронная эмиссия
- испускания электронов ультрахолодными, охлаждёнными до криогенных температур поверхностями. Мало изученное явление.
Электротехнические материалы.
По электропроводности вещества можно разделить на четыре группы:
- диэлектрики
- проводники
- сверхпроводники
- полупроводники
Диэлектрики – это вещества, которые существенно препятствуют протеканию через них электрического тока ввиду высокого удельного сопротивления (108 Ом • м) Применяют в качестве изоляции проводов.
Проводники – это материалы, которые почти не препятствуют протеканию по ним электрического тока благодаря низкому удельному сопротивлению (10–5 Ом • м) Используют в кабелях и проводах в качестве токоведущих шин.
Сверхпроводники – это материалы, которые при охлаждении резко уменьшают удельное сопротивление до нуля. В результате отсутствуют потери энергии на омическом сопротивлении и увеличивается КПД. К сверхпроводникам относят соединения NbN, NbTi, Nb3Sn. У большинства сверхпроводников критическая температура лежит вблизи абсолютного нуля, что снижает практическую пригодность этих материалов.
Полупроводники – это вещества, удельное сопротивление которых зависит от внешних условий: температуры, светового потока и т.д. В результате, в определённых условиях полупроводники могут менять своё удельное сопротивление, и оно может стать таким, как у проводников или как у диэлектриков. При температуре вблизи абсолютного нуля полупроводники становятся диэлектриками, а при нагреве они проявляют свойства проводников. Зависимость их сопротивления от температуры нелинейная.
Классификация электрорадиоэлементов.
