Приложение а

Параметры транзистора

Обозначение параметра

ГТ701

ГТ810А

КТ816Г

КТ818Г

ГТ806Б

ГТ806В

ГТ806Д

ГТ906

ГТ8132А

ГТ813Б

ГТ813В

2Т818А

2Т825А

Максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером, В

U_КЭmax

160

200

100

100

100

120

140

130

100

125

150

100

100

Максимальный ток коллектора, А

I_Кmax

10

10

6

15

15

15

15

10

30

30

30

10

20

Граничная частота, МГц

f_г

0,06

0,07

3

3

10

10

10

5

0,1

0,1

0,1

3

3

Ток базы в режиме насыщения, А

I_Бнас

0,8

0,7

0,3

0,9

1

1

1

0,7

2,5

2,5

2,5

1,5

0,06

Ток базы в режиме рассасывания, А

I_Бнас

0,15

0,12

0,02

0,1

0,1

0,1

0,1

0,11

0,2

0,15

0,15

0,2

0,01

Коэффициент усиления

B

10

15

20

15

20

22

25

30

15

20

30

20

500

Сопротивление в насыщенном состоянии

R_Н

0,2

0,3

0,7

0,15

0,1

0,1

0,1

0,12

0,05

0,05

0,05

0,2

0,2

Максимально допустимое обратное напряжение на базе, В

U_БЭmax

15

1,4

5

5

2

2

1,5

1,4

2

2

2

5

5

Обратный ток базы, А

I_Бз

0,4

0,4

0,1

0,5

0,4

0,35

0,3

0,4

0,5

0,5

0,35

0,4

0,02

Минимальное напряжение базы для запирания транзистора, В

U_БЭmin

1,5

1,4

1,5

1

1,5

1,5

15

1,4

1,5

1,5

1,5

1

1