- •1.1. Собственный полупроводник. Проводимость собственного полупроводника
- •1.2. Примесные полупроводники
- •1.2.1. Полупроводники n-типа
- •1.2.2. Полупроводники р-типа
- •1.3. Контакт р- и п- полупроводников. Контактная разность потенциалов. Запирающий слой
- •1.4. Прямое смещение р-п перехода
- •1.5. Обратное смещение р-п перехода
- •1.6. Вольтамперная характеристика p-n перехода
- •1.7. Диоды Шоттки
- •1.8. Основные параметры диодов
- •Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •1.11.Контрольные вопросы
Содержание отчета
Отчет представляется для защиты в электронном виде. Идентичные отчеты не рассматриваются. Отчет должен содержать:
Паспортные данные исследуемых диодов.
Таблицы измерений.
Экспериментальные ВАХ диодов, совмещенные на одном рисунке.
Рассчитанные статические и дифференциальные сопротивления диодов.
Экспериментально снятые зависимости барьерной емкости от напряжения, совмещенные на одном рисунке.
Данные по измерению статических сопротивлений диодов.
Снятые с экрана осциллографа ВАХ с пояснениями.
Выводы, в которых: отразите ход снятых зависимостей; объясните их нелинейность; объясните различия ВАХ исследуемых диодов; дайте анализ работы схем выпрямителей.
1.11.Контрольные вопросы
Что такое собственный и примесной полупроводники?
Как образуется контактная разность потенциалов?
Что такое запирающий слой?
Какие процессы происходят при прямом и обратном включении р-п - перехода?
Что такое диод Шоттки? Поясните особенности его В АХ.
Приведите основные параметры диодов.
Что такое ток насыщения диода?
Сравните токи через диод при прямом и обратном смещении по порядку величин. Почему они различны?
Намного ли отличаются прямое и обратное сопротивления диода при измерении их мультиметром в режиме омметра? Можно ли по этим измерениям судить об исправности диода?
Существует ли различие между величинами сопротивления диода на переменном и постоянном токе?
Совпадают ли точки изгиба ВАХ, полученные с помощью осциллографа и построенные по результатам вычислений?
