Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Дипломна робота.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
1.52 Mб
Скачать

Розділ і фазові діаграми рівноваги і фізико–хімічні властивості сполук у системах Pb–Sb –Te

    1. Система Рb–Те і фізико–хімічні властивості плюмбум телуриду

Особливостям фазової діаграми рівноваги двокомпонентної системи Pb-Te присвячені роботи [3-16]. Їхній аналіз вказує на наявність однієї сполуки РbТе, яка плавиться конгруентно при температурі 1190 К (рис. 1.1). Максимум на кривій ліквідуса не співпадає із стехіометричним складом і знаходиться при 50,002% атомного вмісту Te згідно даних [12], і при 50,012% атомного вмісту Te згідно даних [9,16]. Плюмбум телурид утворює з Телуром евтектику при 85,5% атомного вмісту Te з температурою плавлення 678 К. Склад евтектики зі сторони Плюмбуму був встановлений шляхом екстраполяції лінії ліквідусу і відповідає складу 0,08-0,16% атомного вмісту Te [17]. Температура плавлення евтектики на 0,7 К нижче точки кристалізації чистого Плюмбуму.

Плюмбум телурид відноситься до сполук із незначною областю гомогенності. Роботи по уточненню границь області гомогенності виконувались методами мікроструктурного, рентгенівського аналізу, а також шляхом вимірювання густини [9-12, 16, 17]. На рис. 1.2 представлена область гомогенності плюмбум телуриду визначена методом Бребрика. Максимальна протяжність області відмічена при 1048 К від 49,994 до 50,013 % атомного вмісту Те.

Рис. 1.1. Діаграма фазової рівноваги системи Pb–Te [7].

Рис. 1.2. Т-х-проекція системи Pb-Te поблизу сполуки PbTe [9].

Структура NaCl, у якій кристалізується плюмбум телурид харак-теризується октаедричним (О) і тетраедричним (Т) оточенням атомів, а також октаедричними (ОП) і тетраедричними (ТП) порожнинами (рис. 1.3). ОП – це вакансії телуру у аніонній чи вакансії Плюмбуму у катіонній підгратках, а ТП – незайняті місця у тетраедричному оточенні Pb чи Te відповідно.

Рис.1.3.  Структура плюмбум телуриду . : – атом Плюмбуму, – атом Телуру, 1 – тетраедричні порожнини в оточенні Плюмбуму (Телуру), 2 – октаедричні порожнини в оточенні Плюмбуму (Телуру).

У роботах [5, 16] величина відхилення від стехіометрії в плюмбум телуриді розраховувалась із значень констант квазіхімічннх реакцій з участю точкових дефектів. Встановлено, що максимальна величина області гомогенності плюмбум телуриду спостерігається при температурі 1133 К і складає 1,31019 і 6,31018 см-3 для надстехіометричних атомів Телуру і Плюмбуму відповідно. Максимальна концентрація вакансій відповідає температурі плавлення . Границя області гомогенності насичена Плюмбумом, перетинає стехіометричний склад при 1133 К. При загартуванні від температур вище 873 К спостерігалось явище мікроосадження надстехіометричного Телуру в середині кристалу.

Р-Т-проекція Р-Т-х-діаграми системи Pb-Te досліджувалась в роботах [12-15, 17]. Залежність парціального тиску пари Телуру від температури для складів, що лежать в межах області гомогенності плюмбум телуриду систематизовано у монографії [18] (рис. 1.4). Криві однакового відхилення від стехіометрії у бік Телуру і Плюмбуму отримані шляхом інтерполяції із ізотерм залежності концентрації носіїв струму від парціального тиску пари Телуру. Характерним для Р-Т-діаграм (рис. 1.4) є те, що в області високих температур має місце різка залежність складу кристалу від парціального тиску пари халькогену. При низьких температурах різниця між рівноважними тисками, які відповідають різним складам більш суттєва. Цей факт широко використовують для одержання кристалів із заданими властивостями шляхом ізотермічного відпалу при заданому тиску пари халькогену (металу).

Парціальні тиски і , що відповідають конгруентній сублімації плюмбум телуриду, задаються рівняннями [19]

, (1.1)

. (1.2)

Парціальний тиск , що відповідає стехіометричному складу плюмбум телуриду, описується рівнянням [19]

. (1.3)

lg (PTe2, Па)

Рис. 1.4. P-T-проекція системи Pb-Te [18].

У таблиці 1.1 наведено основні характеристики і властивості сполук АIVВVI.

Таблиця 1.1 Основні фізико-хімічні властивості сполук АIVВVI [18].

Найменування параметра

Символ, розмірність

Сполука

PbTe

PbSe

SnTe

Тип гратки

NаС1(В1)

NаС1(В1)

NаС1(В1)

Просторова група

Fm3m – O5h

Fm3m – O5h

Fm3m – O5h

Стала гратки

а, 10-10 м

6,452

6,122

6,3272-

6,3017

Густина

, 103 кг/м3

8.16

8,150,007

6,450,01

Коефіцієнт термічного розширення

, 10-6 К-1

19,8

19,4

21,0

Температура

Плавлення

Тпл, К

1190 1196,910,5

1353,70,5

1063

1078,90,3

Питома теплоємність

СР298, Дж/мольК

50,620,29

50,280,21

45,42

Енергія атомізації

D0, 103 Дж/мольК

439,1

484,4

556,4

Температура Дебая

Тθ, К

125

138

140

Теплопровідність

, 10-2(Вт/мК)

200,9

163,0

669,9–837,4

Теплота

Утворення

H0f 298,

103 Дж/моль

–68,510,59

–69,72,1

–75,28

–60,60,8

–61,01,3
Вільна енергія

Утворення

G, 103Дж/моль

-67,239

-68,1

–71,5

Ентропія утворення

S0f298, 103Дж/мольК

-4,6

–4,6

Енергія дисоціації

D0(OK), 103Дж/моль

455,3517,1

521,401

Ентропія

S0298, Дж/мольК

109,9±2,1

102,42,1

101,24,2

Теплота плавлення

L, 103Дж/моль

31,4

35,5

45,1

Ширина забороненої зони

Eg, еВ

0,32

0,29

0,18

Температурний коефіцієнт ширини забороненої зони

dE/dT, 10-4еВ/K

(77 – 300 K)

4

4

–4

Власна концентрація вільних носіїв

n, см-3 (300 К)

1,6∙1016

3∙1016

1020…1021

Ефективна маса

носіїв заряду

m(0 K)

в одиницях m0

Поздовжна компонента (р)

mp||

0,0220,003

0,0340,007

≈ 1

Поперечна компонента (р)

0,310,05

0,0680,015

0,4* (р)

Поздовжна компонента (n)

mn||

0,240,003

0,0400,008

Поперечна компонента (n)

0,240,05

0,070,015

Холлівська рухливість

, м2В-1с-1

25 (p)

(4.2 K)

2,16 (p)

(77 K)

840 (p)

(300 K)

80 (n)

(4.2 K)

3,16 (n)

(77 K)

0,173 (n)

(300 K)

5,79 (р)

(4,2 К)

1,37 (р)

(77 К)

0,1 (р)

(300 К)

13,9 (n)

(4,2 К)

1,65 (n)

(77 К)

0,1 (n)

(300 К)

0,35* (р)

(100 К)

0,17 (р)

(100 К)

0,005 (р)

(100 К)

Діелектрична проникність статична

0

400

250

1170

Високочастотна

33

24

Показник заломлення

N

5,35

(=3∙10-6)

4,59

(λ=3∙10-6 м)

Температурна залежність граткової рухливості

T-5/2

T-5/2

T-5/2

Примітка. * – легкі дірки; ** – важкі дірки.