Список використаної літератури

1. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. - М.: Мир, 1969. - 654 с.

2. Лисняк С.С. Кристаллохимическая модель исследований в химии твердого тела // Неорганические материалы. – 1992. – Т.29, №9. – С. 1913-1917.

3. Башкиров Ш.Ш., Добряков И.А., Либерман А.В., Царевский С.С. Мессба-уэровские и рентгеновские исследования высокотемпературного фазового перехода в SnTe // Кристаллография. –1985. –Т. 30, № 5. –С. 1016-1017.

4. Слынько Е.И., Хандожко А.Г., Летюченко С.Д., Копыл А.И. Сдвиг Найта при сегнетоэлектрическом фазовом переходе в Pb_1-xGe_xTe и SnTe // Изв. АН СССР. Сер. физич. –1987. –T. 51, N. 12. – C. 2136-2141.

5. Rogacheva E.I., Nashchekina O.N. Hardening of SnTe by cation substitutions. // Inorg. Materials. –1995. –V. 31, N. 6. –P. 667-670.

6. Нащекина О.Н., Исакина А.П., Прохватилов А.И. Низкотемпературная решеточная нестабильность SnTe // ФHT. –1999. –Т. 25, № 4. –С. 390-395.

7. Равич Ю.М., Ефимова Б.А., Смирнов Н.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. –М.: Наука, 1968. –384 с.

8. Материалы, используемые в полупроводниковых приборах Под ред. Когарта К. –М.: Мир, 1968. –349 с.

9. Гаськов А.М., Матвеев О.В., Зломанов В.П., Новоселова А.В. Исследование теллурида свинца // Неорган. материалы. –1969. –Т. 4, №11. –С. 1889-1894.

10. Новожилов А.Ф., Макаров А.В., Зломанов В.П., Новоселова А.В. Спектрометрическое исследование системы свинец-теллур // Вестник МГУ. –Химия. –1975. –24 с. Рукопись деп. ВИНИТИ электроника. –1975. –№ 3471-3475.

11. Hinkel V., Haak H., Mariani C. Investigation of the bulk band structure of IV-VI compound semiconductors: PbSe and PbTe // Physical Review B: Condensed matter. –1989. –V. 40, № 8. –P. 5549.

12. Гаськов А.М., Зломанов В.П., Новоселова А.В. Область гомогенности теллурида свинца // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1979. – Т. 15, № 8. – С. 1476-1478.

13. Sealy B.J. Crocker A.J. The P-T-x phase diagram of PbTe and PbSe // J. Mat. Sсi. –1973. –V.8, № 12. –P. 1737-1743.

14. Пашинкин А.С, Новоселова А.В. Определение давления насыщенного пара твёрдого PbTe // Ж. неорган. Химии. –1959. –Т. 4, № 12. –С. 2657-2660.

15. Govez M.P., Stevenson P.A., Hugjins R.A. Self diffusion of Pb and Te in lead telluride // J. Phys. Chem. Solids. –1971. –V. 32. –P. 335-344.

16. Бойчук В.М. Фізико-хімічні властивості твердих розчинів Pb-Ga (In, Tl)-Te і кристалохімічні моделі атомних дефектів: Дис. кандидата хім. наук: Ів.-Фр..: Івано-Франк. прик. нац. у-т ім. Вас.Стефаника, 2004 – 174с.

17. Акчурин Р.Х., Уфимцев В.Б. Расчет границ области гомогенности теллуридов свинца и олова // Жури. физ. химии. –1979. –Т. 53, № 6. –С. 1441-1445.

18. Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Галущак М.О., Пиц М.В., Матеїк Г.Д. Кристалохімія і термодинаміка атомних дефектів у сполуках A^IVB^VI. – Івано-Франківськ: Плай, 2000. –164 с.

19. Зломанов В.П., Новоселова А.В. Р-Т-х-диаграммы состояния системы металл-халькоген. – М.: Наука, 1987. – 208 с.

20. Allgaier R.S., Scanlon W.W. Mobility of Electrons and Holes in PbS, PbSe, and PbTe between Room Temperature and 4,2 K // Phys. Rev. –1958. –T. 111, N. 4. –P. 1029-1037.

21. Виноградова М.Н., Коломоець Н.В., Смирнов А.А.. Сысоева А.М. Влияние межзонного взаимодействия легких и тяжелых дырок на число Лоренца в легированных монокристаллах р-РвТе в области низких и высоких температур // ФТТ. –1967. – Т. 9, № 10. – С. 3004-3006.

22. Андреев А.А. Температурная зависимость коэфициента Холла в р- PbTe // ФТТ. –1968. –Т.10, № 10. – С. 2818-2819.

23. Алексеева Г.Г., Прокофьева Л.В., Ставицкая Г.С. Температурная зависимость коэффициента Холла в n-PbTe // ФТТ. –1968. –Т. 10. –С. 2819-2820.

24. Davlen R. Energy-Gap Anomaly in the Semiconductor Sequence PbS, PbSe, and PbTe // Phys. Rev.B. –1970. –T. 3, N. 10. –P. 3359-3367.

25. Harris J.J., Ridley B.K. High field transport in p-type PbTe // J. Phys. C. Solid State Phys. –1972. –V. 5. – P. 2746-2756.

26. Заячук Д.М., Шендеровський В.А. Власні дефекти та елементарні процеси в А⁴В⁶ // Український фізичний журнал. –1991. –Т. 36, № 14. –С. 1692-1713.

27. Ормонт Б.В. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. – М.: Наука, 1973. - 456 с.

28. Hemstreet I.A. Cluster calculation of the elects of single vacancies in PbTe and SnTe // Phys. Rev. B. Solid State. - 1975. - V. 12, № 4. - P. 121-1216.

29. Абрикосов Н.Х., Шелимова Н.Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений A^IVB^VI. –М.: Наука. –1975. –194 с.

30. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скуднова Е., Шелимова Л.Е. –М.: Наука, 1967. - 175 с.

31. Сабо Є.П. Технологія халькогенних термоелементів. Фізичні основи // Термоелектрика. – 2003 – №4. – С. 57-65.

32. Сизов Ф.Ф. Нестехиометрические дефекты в узкощелевых полупроводниках А^IVВ^VI // Изв. АН СССР: Неорганич. Матер. - 1988. - Т. 24, № 12. - С. 1972-1976.

33. Зломанов В.П., Гаськов А.М. Проблемы стехиометрии и дефектообразования в материалах электронной техники // Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. - Новосибирск, 1988. -С. 182-187.

34. Зломанов В.П. Направленный синтез соединений А^IVВ^VI и твердых растворов на их основе: Автореф. дис… доктора хим. наук./ - М., 1981. - 360 с.

35. Зайчук Т.В. Нестехнометрия кристаллического селенида свинца: Автореф. дис… канд. хим. наук./ - М.: МХТИ, 1987. - 15 с.

36. Hemstreet I.A. Cluster calculation of the elects of single vacancies in PbTe and SnTe // Phys. Rev. B. Solid State. - 1975. - V. 12, № 4. - P. 121-1216.

37. Heinrich H. Defects in IV-VI compounds // Lect. Notes. - 1980. - V. 133. -P. 407-426.

38. Lischka K. Bound defects statesin IV-VI semiconductors. // Appl. Phys. - 1982. - V. 29, N 3. - P. 177-189.

39. Зломанов В.П., Новожилов А.Ф., Новоселова А.В., Макаров А.В. Диаграмма состояния системы свинец-теллур // Полупроводниковые материалы и их применение. - Воронеж: Изд-во Воронеж. ун-та, 1977. - С. 90-103.

40. Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Галущак М.О., Пиц М.В., Матеїк Г.Д. Кристалохімія і термодинаміка дефектів у сполуках – A^IVB^VI. Івано‑Франківськ: Плай. –1999. –164 с.

41. Хариф Я.Л., Аветисов И.Х., Ковтуненко П.В. Физико-химический метод определения растворимости Те в PbTe // Электронная техника: Материалы. - 1984. - Вып. 2. - С. 72-74.

42. Хариф Я.Л., Аветисов И.Х., Ковтуненко П.В. Температурная инверсия растворимости в PbTe // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1986. - Т. 22, № 8. - С. 1271-1274.

43. Parada N.J., Pratt G.W. New Model for Vacancy States in PbTe. // Phys. Rev. Lett. - 1969. - V. 22, № 5. - P. 180-182.

44. Parada N.I. Localize defects in PbTe // Phys. Rev. B. - 1971. - V. 3, N 5. - P. 2042-2055.

45. Палатник А.С., Сорокин В.К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. - М.: Энергия, 1973. - 295 с.

46. Фреик Д.М. Получение пленок соединений А^IVВ^VI// Приборы и техника эксперимента. - 1976. - № 5. - С. 7-17.

47. Твердые растворы в полупроводниковых системах: Справочник. – М.: Наука, 1978. – 197 с.

48. Wertheim G. К. — In: The Electronic Structure of Point Detects / Ed. by S. Amelinckx, R. Gevers, J. Nihoul. Amsterdam, 1971. р. 1—85.

49. Нистирюк И.В., Серегин П.П. Пременение емісіонной мессбауэровской спектроскопии у физике полупроводников. Кишинів. 1982. 123 с.

50. Seregin Р. Р.. Regel A. R., Andreev А. А.. Nasredinov F. S. — Phys. St. Sol., 1982, v. A74, р. 373—394.

51. Seregin P. P., Nasredinov F. S., Vasilev L. N. — Phys. St. Sol.. 1978. v. A45, № 1, р. 11—45.

52. Винников А. П., Балкашин О. П. К вопросу об электрической активности олова в германии. — УФЖ, 1966, т. 11, № 11. с. 905-906.

53. И.М. Раренко, Д.М. Фреик. Полупроводниковые материалы и приборы инфракрасной техники, ЧДУ, Черновцы. 98 с. (1980).

54. Н.Х. Абрикосов, Е.И. Елагина, М.А. Попова. Исследование системы PbTe-Sb2Te3 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1(12), c. 2151-2153 (1965).

55. R.A. Reynolds. Rhase relations and thermoelectric properties of the alloy systems SnTe-PbTe and PbTe-Sb2Te3 // Y. Electrochem. Soc. 114(3), pp.  526-531 (1997).

56. Е.И. Рогачева, С.А. Лаптев. Область гомогенности монотеллурида свинца в системе Pb-Sb-Te // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 20(8), . 1347-1349 (1984).

57. С.С. Лисняк. Кристаллохимическая модель исследований в химии твердого тела // Неорганические материалы, 29(9), cc. 1913-1917 (1992)

58. Глазов В M., Глаголева Н.Н., Махмудова Н.М. К вопросу об отклонении от стехиометрии теллуридов германия и олова // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. –1969. –Т. 5, № 9. –С 1508-1512.

59. Абакаров С., Багдуев Г.Б., Дажаев П.Ш. Растворимость различных элементов в теллуре // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. –1970. –Т. 6, № 6. –С. 1169-1170.

60. Таиров С.М., Шостак Н.Б., Ормонт Б.Ф. Исследование системы Pb-Sn-Te вблизи псевдобинарного разреза // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. –1970. –Т. 6, № 9. –С. 1584-1588.

61. Милославов С.А., Таиров С.М., Ормонт Б.Ф. Определение концентрации заряженных точечных дефектов в сплавах системы PbTe-SnTe // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. –1970. –Т. 6, № 11. –С. 2063-2065.

62. Brebrick R.F. Composition Stability Limits for the Roscalt-Structure Phase (Pb_1-ySn_y)_1-xTe_x from Lattice Parameter Measurements // J. Phys. Chem. Solids. – 1971. – V 32, № 2. – P. 551-562.

63. Savage H.T., Houston В., Burke J.R. Fermi-Surface Studies in SnTе // Phys. Rev. B. –1972. –V. 6, № 6. –Р. 2292-2304.

64. Kurosawa S., Nakamura Y., Shimoji M. The Electrical Conductivity and the Phase Diagram of the Molten Tin-Tellurium System // J. Less-Common. Met. –1980. –V. 70, № 1. –Р. 119-121.

65. Rakotomavo J., Baron M.C., Petot C. Thennodynamic Propenies of Liquid Tin – Tellurium Alloys at High Temperature // Metall. Trans. B. –1981. –V. 12, №З. –Р. 461-467.

66. Kattner U., Lukas H.L., Petww G. Optimization and Calculation of the Sn-Te System // J. Less-Common. Met. –1985. –V. 114, № 1. –Р. 129-144.

67. Заячук Д.М., Шендеровський В.А. Власні дефекти та елементарні процеси в А⁴В⁶ // Український фізичний журнал. –1991. –Т. 36, № 14. –С. 1692-1713.

68. Зломанов В.П. Направленный синтез соединений A^IVB^VI и твердых растворов на их основе: Дис. Доктора хим. наук: –М.: МГУ, 1981. –С.324

69. Гаськов А.М. Направленный синтез трёхкомпонентных твердых растворов халькогенидов свинца и олова для оптоэлектроники. Дис. докт. хим. наук. –М.: МГУ. –1988. –489 с.

70. Нестерова Я.М., Пашинкин А.С., Новоселова А.В. Определение давления насыщенного пара твердых селенида и теллурида олова // Журн. Неорган. химии. –1961. –Т. 6, № 9. –С. 2014-2018.

71. Hirayama С. Thennodynamic Properties of Solid Monoxides, Monosulfides, Monoselenides, and Monotellurides of Gе. Sn and Pb // J. Chim. Eng. Data. –1964. –V. 9, №1. –P. 65-68.

72. Colin R., Drowart J. Thennodynamic Study of Tin Selenide and Tin Telluride Using Mass-Spectrometer // Trans. Faraday Soc. –1964. –V. 60, № 496. –Р. 673-683.

73. Northrup D.A. Thennogravimetric Investigation of the Vaporization of Lead Telluride, Tin Telluride, and Germanium Telluride // J. Phys. Chem. –1971. –V. 75, № 1. –Р. 118-132.

74. Sha Y.G., Brebrick R.F. Explicit Incorporation of the Energy-Band Structure into and Analysis of the Defect Chemistry of PbTe and SnTe // J. Electron. Mater. –1989. –V. 18, № 3. –Р.421-443.

75. Huang Yu.. Brebrick R.F. Partial Pressures and thermodynamic Properties of PbTe-SnTe Solid Solutions with 13, 20, and 100 Mole Percent SnTe // J. Electrochem. Soc. –1988. –V. 135, № 6. –P. 1547-1559.

76. Brebrick R.F. Third Law Analysis of the Crystal-Liquid Vapor Equilibrium for Tellurium // High Temp. Sci. –1988. –V. 25, №3. –P. 187-197.

77. Sha Y.G., Brebrick R.F. Explicit Incorporation of the Energy-Band Structure into and Analysis of the Defect Chemistry of PbTe and SnTe // J. Electron. Mater. –1989. –V. 18, № 3. –Р.421-443.

78. Bis R.F., Dixon J.R. Aplicability of Vegard's Low Pb_1-xSn_xTe to the Alloy System// J. Appl. Phys. – 1969. – V. 40, № 4. – P. 1918.

79. Kafalas J.A., Mariana A.N. High-Pressure Phase transition in Tin Telluride // Science. –1964. –V. 143, № 3609. –Р. 952.

80. Новикова С.И., Шелимова Л.Е. Низкотемпературный фазовый переход в теллуриде олова // ФТТ. –1967. –Т. 9, № 5. –С. 1336-1338.

81. Klement W., Cohen L.H. Melting of Tin Telluride of High Pressure // Science. –1966. –V. 154, № 3753. –P. 1176-1178.

82. Mariano A.N., Chopra K.L. Polymorphism in Some IV-VI Compounds induced by High Pressure and Thin-Film Epitaxial Growth // Appl. Phys. Lett. –1967. –V. 10, №10. –P. 282-284.

83. Новикова С.И., Шелимова Л.Е. Низкотемпературный фазовый переход в теллуриде олова // ФТТ. –1967. –Т. 9, № 5. –С. 1336-1338.

Додаток А

Механізм заміщення Sb вакансій Pb для n- PbTe при стехіометрії за металом ( ат. % Pb),

Х		Sb, см-3	V(Te), см-3	V-2(Pb) см-3	V-(Pb), см-3	n, см-3	p, см-3	nH, см-3
0,5	0,006	1,484 1020	1,772 1018	1,763 1013	88621371900	3,00 1020	1,4841020	1,52 1020
1		2,969 1020	1,763 1018	1,763 1013	88196519026	5,974 1020	2,969 1020	3,005 1020
1,5		4,454 1020	1,755 1018	1,755 1013	87763311419	8,945 1020	4,454 1020	4,490 1020
2		5,940 1020	1,746 1018	1,746 1013	87325925153	1,191 1021	5,940 1020	5,976 1020
2,5		7,426 1020	1,737 1018	1,737 1013	86892493671	1,488 1021	7,426 1020	7,462 1020
3		8,912 1020	1,729 1018	1,729 1013	86454923619	1,786 1021	8,912 1020	8,948 1020
3,5		1,039 1021	1,720 1018	1,720 1013	86013275592	2,083 1021	1,039 1021	1,043 1021
4,		1,188 1021	1,711 1018	1,711 1013	85579538044	2,380 1021	1,188 1021	1,192 1021
4,5		1,337 1021	1,702 1018	1,702 1013	85141722490	2,671021	1,337 1021	1,340 1021
5		1,486 1021	1,694 1018	1,129 1013	84703825071	2,975 1021	1,486 1021	1,489 1021
0,5	0,004	1,484 1020	1,181 1018	1,181 1013	59080914600	2,992 1020	1,484 1020	1,508 1020
1		2,969 1020	1,175 1018	1,175 1013	58797679351	5,962 1020	2,969 1020	2,993 1020
1,5		4,41 1020	1,170 1018	1,170 1013	58508874280	8,933 1020	4,454 1020	4,478 1020
2		5,940 1020	1,164 1018	1,164 1013	58217283435	1,190 1021	5,940 1020	5,964 1020
2,5		7,426 1020	1,158 1018	1,158 1013	57928329114	1,487 1021	7,426 1020	7,450 1020
3		8,912 1020	1,152 1018	1,152 1013	57636615746	1,7841021	8,912 1020	8,936 1020
3,5		1,039 1021	1,146 1018	1,146 1013	57342183728	2,082 1021	1,039 1021	1,042 1021
4		1,188 1021	1,141 1018	1,141 1013	57053025363	2,379 1021	1,188 1021	1,190 1021
4,5		1,337 1021	1,135 1018	1,135 1013	56761148327	2,676 1021	1,337 1021	1,339 1021
5		1,486 1021	1,129 1018	1,129 1013	56469216714	2,974 1020	1,486 1021	1,488 1021
0,5	0,002	1,484 1020	5,908 1017	5,908 1013	29540457300	2,980 1020	1,484 1020	1,496 1020
1		2,969 1020	5,879 1017	5,879 1012	29398839675	5,951 1020	2,969 1020	2,981 1020
1,5		4,454 1020	5,850 1017	5,850 1012	29254437140	8,921 1020	4,454 1020	4,4661020
2		5,940 1020	5,821 1017	5,821 1012	29108641718	1,189 1021	5,940 1020	5,952 1020
2,5		7,426 1020	5,792 1017	5,792 1012	28964164557	1,486 1021	7,426 1020	7,438 1020
3		8,912 1020	5,763 1017	5,763 1012	28818307873	1,783 1021	8,912 1020	8,924 1020
3,5		1,039 1021	5,734 1017	5,734 1012	28671091864	2,080 1021	1,039 1021	1,041 1021
4		1,188 1021	5,705 1017	5,705 1012	28526512681	2,378 1021	1,188 1021	1,189 1021
4,5		1,337 1021	5,676 1017	5,676 1012	28380574163	2,675 1021	1,337 1021	1,338 1021
5		1,486 1021	5,646 1017	5,646 1012	28234608357	2,973 1021	1,486 1021	1,487 1021

Додаток В.

Механізм заміщення Sb вакансій Pb для n- PbTe при стехіометрії за халькогеном. Відхилення від стехіометрії ат. % Pb

x		Sb3+ ,см-3	V(Te) ,см-3	V(Pb) ,см-3	Pb2+ ,см-3	V-2(Pb) см-3	n ,см-3	р, см-3	nH , см-3
0,5	0,006	9,896 1019	1,772 1018	1,484 1020	1,772 1013	4,948 1019	3,562 1018	1,484 1020	-1,44 1020
1		1,979 1020	1,763 1018	2,969 1020	1,763 1013	9,900 1016	3,563 1018	2,969 1020	-2,93 1020
1,5		2,969 1020	1,755 1018	4,454 1020	1,755 1013	1,287 1018	3,563 1018	4,454 1020	-4,42 1020
2		3,960 1020	1,746 1018	5,940 1020	1,746 1013	1,746 1018	3,564 1018	5,940 1020	-5,90 1020
2,5		4,951 1020	1,737 1018	7,426 1020	1,737 1013	1,737 1013	3,564 1018	7,426 1020	-7,39 1020
3		5,941 1020	1,729 1018	8,912 1020	1,729 1013	1,729 1013	3,565 1018	8,912 1020	-8,87 1020
3,5		6,932 1020	1,720 1018	1,039 1021	1,720 1013	1,720 1013	3,565 1018	1,039 1021	-1,03 1021
4,		7,924 1020	1,711 1018	1,188 1021	1,711 1013	1,711 1013	3,565 1018	1,188 1021	-1,18 1021
4,5		8,915 1020	1,702 1018	1,337 1021	1,702 1013	1,702 1013	3,566 1018	1,337 1021	-1,33 1021
5		9,906 1020	1,694 1018	1,486 1021	1,694 1013	1,694 1013	3,566 1018	1,486 1021	-1,48 1021
0,5	0,004	9,896 1020	1,181 1018	1,484 1021	1,181 1013	1,181 1013	2,375 1018	1,484 1020	-1,46 1020
1		1,979 1020	1,175 1018	2,969 1021	1,175 1013	1,175 1013	2,375 1018	2,969 1020	-2,94 1020
1,5		2,969 1020	1,170 1018	4,4541020	1,170 1013	1,170 1013	2,375 1018	4,454 1020	-4,43 1020
2		3,960 1020	1,164 1018	5,940 1020	1,164 1013	1,164 1013	2,376 1018	5,940 1020	-5,91 1020
2,5		4,951 1020	1,158 1018	7,426 1020	1,158 1013	1,158 1013	2,376 1018	7,426 1020	-7,40 1020
3		5,941 1020	1,152 1018	8,912 1020	1,152 1013	1,152 1013	2,376 1018	8,912 1020	-8,88 1020
3,5		6,932 1020	1,146 1018	1,039 1020	1,146 1013	1,146 1013	2,376 1018	1,039 1021	-1,03 1021
4		7,924 1020	1,141 1018	1,188 1021	1,141 1013	1,141 1013	2,377 1018	1,188 1021	-1,18 1021
4,5		8,915 1020	1,135 1018	1,337 1021	1,135 1013	1,135 1013	2,377 1018	1,337 1021	-1,33 1021
5		9,906 1020	1,129 1018	1,486 1021	1,129 1013	1,129 1013	2,3771018	1,486 1021	-1,48 1021
0,5	0,002	9,896 1020	5,908 1018	1,484 1020	5,908 1012	5,908 1012	1,187 1018	1,4841020	-1,47 1020
1		1,979 1020	5,879 1017	2,969 1020	5,879 1012	5,879 1012	1,187 1018	2,969 1020	-2,95 1020
1,5		2,969 1020	5,850 1017	4,454 1020	5,850 1012	5,850 1012	1,188 1018	4,454 1020	-4,44 1020
2		3,960 1020	5,821 1017	5,940 1020	5,821 1012	5,821 1012	1,188 1018	5,940 1020	-5,92 1020
2,5		4,951 1020	5,792 1017	7,426 1020	5,792 1021	5,792 1012	1,188 1018	7,426 1020	-7,41 1020
3		5,941 1020	5,763 1017	8,912 1020	5,763 1012	5,763 1012	1,188 1018	8,912 1020	-8,90 1020
3,5		6,932 1020	5,734 1017	1,039 1021	5,734 1012	5,734 1012	1,188 1018	1,039 1021	-1,03 1021
4		7,924 1020	5,705 1017	1,188 1021	5,705 1012	5,705 1012	1,188 1018	1,188 1021	-1,18 1021
4,5		8,915 1020	5,676 1017	1,337 1021	5,676 1012	5,676 1012	1,188 1018	1,337 1021	-1,33 1021
5		9,906 1020	5,646 1017	1,486 1021	5,646 1012	5,646 1012	1,188 1018	1,486 1021	-1,48 1021

58