Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
33
Добавлен:
14.06.2020
Размер:
4.17 Mб
Скачать

Uвх

Umвх

 

Uвх

 

 

 

 

 

 

 

0

 

t

0

 

t

UЕБ

 

UБE

 

 

 

 

 

 

 

U0

0

UБЕt0

 

 

 

0

 

t

IБ

 

 

IE

ImE

 

 

 

 

 

 

0

IБ

t

 

 

 

 

 

 

IE

IK

0

 

0

 

 

 

 

0

 

 

 

IK

 

t

0

 

t

 

 

 

IK

0

 

t

 

 

 

 

 

 

 

ImK

IK0

 

0

 

 

U

 

 

U

 

 

 

 

 

 

0

 

t

0

 

Ut

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U0

 

 

0

 

 

 

 

U

 

 

-EK

 

 

-EK

 

 

 

Uвих

 

 

Uвих

 

 

0

Umвих

t

0

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 3.44 – Часові

Рисунок 3.46 – Часові

 

діаграми напруг і струмів

діаграми напруг і струмів

транзисторного каскаду зі

транзисторного каскаду зі

 

спільною базою

 

 

спільним емітером

 

3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду

Режим спокою у вхідному колі транзисторного каскаду може забезпечуватися не обов’язково за допомогою окремого джерела живлення ÅÅ або ÅÁ . Частіше у каскадах

застосовують лише одне джерело живлення – у колекторному колі. У таких каскадах замість вхідного джерела ЕРС

129

використовують спеціальні ланцюжки автоматичного зміщення – пасивні ланцюжки, на яких струм, який протікає від джерела колекторної напруги EK , створює спад напруг,

що забезпечують потрібне положення робочих точок на характеристиках транзистора в режимі спокою.

Основною вимогою до каскадів з автоматичним зміщенням є забезпечення сталості обраного режиму спокою при зміні температури або зміні транзистора. Розглянемо деякі приклади.

Схема з фіксованим струмом бази

Схему зображено на рисунку 3.47.

Рисунок 3.47 – Транзисторний каскад з фіксованим струмом бази

Зміщення ЕП у транзисторі цього каскаду здійснюється за рахунок струму бази спокою IÁ0 , який протікає від

джерела EK через резистор R1 .

При цьому напруга на ЕП

UÁE

визначається вхідним опором БТ. Опір резистора R1

0

 

 

 

 

 

 

дорівнює

 

 

 

 

 

 

 

R

EK UÁÅ

 

E

K

 

 

 

0

 

,

(3.57)

 

 

 

 

 

1

IÁ

 

IÁ

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

0

 

 

тобто можна вважати, що

130

IÁ

 

EK

.

(3.58)

 

0

R1

 

 

 

 

Каскад рис. 3.47 називається каскадом з фіксованим струмом бази завдяки формулі (3.58), тобто струм бази IÁ0

не залежить від параметрів транзистора.

Недоліком каскаду рисунка 3.47 є те, що в ньому важко встановити обраний режим спокою при застосуванні транзистора з великим розкидом параметра h21E без зміни опору

R1 . Наприклад, у транзистора ГТ311Ж промисловий розкид параметрів h21E становить від 50 до 200. Оскільки струм IÁ0 не залежить від властивостей БТ, то при заміні транзис-

тора струм колектора IK h21E IÁ (1 h21E )IÊÁ0 може змінюватися в 4 рази, і початкова робоча точка може вийти з області активного режиму на характеристиках, що для підсилювача небажано. Іншим суттєвим недоліком каскаду є те, що в його схемі не враховується температурний дрейф характеристик і параметрів БТ, завдяки якому струм IÊÁ0

при збільшенні температури зростає.

Схема з фіксованим потенціалом бази

Схему показано на рисунку 3.48. Потрібний режим спокою транзистора забезпечується фіксованою напругою на базі, що утворюється за допомогою розподільника

напруги на резисторах R1 та R2 .

 

 

Опір R2

дорівнює

 

 

 

 

R

UÁÅ

 

 

 

0

,

(3.59)

 

 

 

2

In

 

 

 

 

 

 

де In -

струм розподільника напруги.

Звичайно

In (3 5)IÁ .

 

 

 

 

0

 

 

 

131

Рисунок 3.48 – Транзисторний каскад з фіксованим потенціалом бази

Опір R1 можна розрахувати за формулою

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

EK

 

 

 

UÁÅ0

 

.

 

(3.60)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

In IÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

При In

>> IÁ

можна вважати, що напруга

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U ÁÅ In R2

 

 

 

EK

R2

(3.61)

 

 

 

 

R1 R2

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

не залежить від властивостей транзистора. Тому схема рисунка 3.48 називається схемою з фіксованим потенціалом бази. Суттєвий недолік цієї схеми – температурний дрейф колекторного струму – вимагає застосування спеціальних заходів температурної стабілізації.

Схема з температурною стабілізацією в емітерному колі

Схему показано на рисунку 3.49. У ній з метою стабілізації емітерного (колекторного) струму при зміні температури використовується резистор негативного

132

зворотного зв’язку за струмом R3 . Для схеми рисунку 3.49 справедлива рівність

 

 

UÁÅ0

 

 

UR2

 

IE0 R3 .

 

(3.62)

 

 

 

 

 

Оскільки температурні зміни опорів R1 та R2 незначні,

то падіння

напруги на опорі R2 при

зміні температури

практично

не змінюється. Збільшення

струму IE

при

 

 

 

 

 

 

 

 

0

збільшенні температури приводить за формулою (3.62) до зменшення напруги на ЕП UÁE0 . Це, у свою чергу,

приводить до зменшення струмів бази IÁ0 та колектора IK0 . Таким чином, автоматично стабілізується також струм емітера IE0 .

Рисунок 3.49 – Транзисторний каскад з температурною стабілізацією

Величина падіння напруги на резисторі зворотного зв’язку R3 вибирається в межах UR 3 (0,1 0, 25)EK .

Формули для розрахунку опорів R1 , R2 і R3 мають вигляд:

133

 

R

(0,1 0, 25)EK

,

 

 

 

(3.63)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

IE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

U R 2

 

U R 3

 

U ÁÅ0

 

 

,

(3.64)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

In

 

 

 

 

 

In

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

EK

 

 

 

U R 2

 

.

(3.65)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

In IÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Оскільки негативний зворотний зв’язок за змінною складовою приводить до зменшення коефіцієнта підсилення каскаду, то з метою усунення цього зв’язку резистор R3

шунтується конденсатором C1 .

Схема каскаду зі спільною базою та автоматичним зміщенням робочої точки

У схемі рисунка 3.50 автоматичне зміщення робочої точки здійснюється за рахунок розподільника напруги R2 і R3. Напруга U R3 , прикладена до бази і через резистор R1 до

емітера транзистора, забезпечує пряме зміщення ЕП, тобто активний режим транзистора. Резистор R1 забезпечує подачу вхідного сигналу на емітер, конденсатор C1 служить

для усунення негативного зворотного зв’язку за змінною складовою.

Розрахунок R1, R2 та R3 здійснюється таким чином. Для обраної робочої точки режиму спокою (вибирається на

характеристиках БТ)

спочатку визначаються струм

IÁ

= IE

- IK

0

і струм розподільника напруги

In = (3 - 5) IÁ .

0

0

 

 

 

0

Для емітерного кола другий закон Кірхгофа має вигляд

 

 

 

 

UR1

UUR3 0 .

 

 

 

 

 

 

0

 

134

 

 

 

-EK

 

In

R2

RK

 

Ср1

 

Ср2

 

 

IK0

 

IE0

IБ0

 

 

 

 

 

Uвх

R1

 

Uвих

 

 

 

 

R3

С1

 

 

 

 

Рисунок 3.50 – Транзисторний каскад зі спільною базою

Для підсилювачів напруга UR3 (0,1 0, 25)ÅÊ . Тоді

R1

U

R1

 

 

UR3 UÅÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

0

,

 

(3.66)

IE

 

 

 

 

 

 

IE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

R2

 

EK

 

 

 

UR3

 

 

,

 

 

(3.67)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

In IÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

R3

U R3

 

 

 

(0,1 0, 25)ÅÊ

.

(3.68)

 

 

 

In

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

In

 

 

 

 

 

 

Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності

Якість підсилювача визначається вибором положення початкової робочої точки (робочої точки режиму спокою), а також її стабільністю при зміні температури.

Для підсилювального каскаду з температурною стабілізацією (рис. 3.49) температурна зміна колекторного струму становить:

135

 

 

 

UÁÅ

 

 

 

 

 

h21Å (IÁ IÊÁ

 

 

IK S

 

 

IÊÁ

 

 

)

, (3.69)

 

 

 

 

 

R1 R2

 

 

0

 

h21E

0

 

 

 

 

 

 

R3

 

 

1

 

 

 

 

 

 

де S h21E 1

 

 

 

 

h21E

 

-

коефіцієнт

нестабільності

R3

RÁ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

колекторного струму; RÁ

 

R1R2

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1 R2

 

 

 

Якщо R3 0 , то схема рисунка 3.49 перетворюється в схему з фіксованим потенціалом бази (рис. 3.48), і коефі-

цієнт S h21E . При R3 >> RÁ коефіцієнт

S

 

h21E

h21Á .

 

h21E

 

1

 

Таким чином, залежно від співвідношення між R3

та RÁ

значення коефіцієнта температурної

нестабільності

змінюється від h21Á до h21E .

Температурна зміна струму колектора тим більша, чим більший коефіцієнт S . Тому умова R3 >> RÁ є необхідною.

Проте зменшення величини RÁ небажане, тому що воно

призводить до зменшення вхідного опору транзисторного каскаду. Тому розподільник напруги в базовому колі вибирають з умови, щоб коефіцієнт температурної нестабільності дорівнював S 3 5.

3.3.3Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання

При ввімкненні навантаження до колекторного кола транзистора зміна струму колектора викликається одночасною дією зміни струму бази і напруги на колекторі. У цьому режимі роботи для аналізу властивостей БТ недостатньо мати його статичні характеристики, оскільки вони відображають зміну лише одного параметра. Тому для

136

опису властивостей транзистора, а також для розрахунку параметрів транзисторного каскаду на сім’ях статичних характеристик будують додаткові характеристики, які називають динамічними, або навантажувальними. Розглянемо їх.

Вихідна навантажувальна характеристика

Для каскаду зі спільним емітером рівняння вихідного кола (див. п. 3.3.1)

UKE EK IK RK .

(3.70)

Звідси

 

 

 

 

 

I

 

 

EK U KE

.

(3.71)

K

 

 

 

RK

 

 

 

 

 

Рисунок 3.51 – Побудова навантажувальної прямої на сім’ї вихідних статичних характеристик ССЕ

Формула (3.71) – це рівняння вихідної навантажувальної прямої транзисторного каскаду зі спільним емітером (рис. 3.45). Цю характеристику будують на сім’ї вихідних статичних характеристик ССЕ (рис. 3.51) за двома точками:

1) I K =0, U KE EK ;

2) UKE 0 , I K = EK .

RK

137

Точка перетину навантаженої прямої зі статичною характеристикою, яка була знята при заданому струмі бази в режимі спокою ( IÁ0 ), визначає вихідні координати режиму

спокою транзисторного каскаду (UKE0 , IK0 ). При

надходженні на вхід каскаду змінної напруги сигналу змінюватиметься струм бази відносно значення IÁ0 , і

робоча точка рухатиметься на сім’ї характеристик уздовж навантажувальної прямої. Це означає, що динамічна характеристика повністю визначає роботу транзисторного каскаду в динамічному режимі – у режимі підсилення вхідної напруги.

Для транзисторного каскаду зі спільною базою рівняння вихідної навантажувальної прямої набирає вигляду

I =

EK U

.

(3.72)

K RK

Динамічна вихідна характеристика каскаду зі спільною базою будується аналогічним чином за рівнянням (3.72).

Вхідна навантажувальна характеристика

Вхідна навантажувальна характеристика може бути побудована шляхом перенесення точок вихідної характеристики (прямої) на сім’ю статичних вхідних характеристик і подальшого з’єднання цих точок у плавну монотонну криву. Але цей спосіб рідко вживається в інженерній практиці, тому що у довідниках, як правило, даються лише дві вхідні статичні характеристики – при нульовій і при ненульовій колекторних напругах. Тому із задовільною для практики точністю за вхідну навантажувальну криву можна взяти вхідну статичну характеристику, яка знімалася при ненульовій колекторній напрузі. Робоча точка спокою на вхідній навантажувальній

138