Файловый архив студентов. Файловый архив студентов.
1330 вузов, 5507 предметов.
/ Регистрация
FAQ Обратная связь Вопросы и предложения
Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Прикарпатский национальный университет им. В. Стефаника
Предмет:
[НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Файл:
Фізичні основи мікроелектроніки.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
1 Мб
Скачать
☆
►Содержание►

  1. Рівень Фермі знаходиться в нижній половині забороненої зони;

  2. рівень Фермі знаходиться в верхній половині забороненої зони;

  3. рівень Фермі знаходиться в нижній половині валентної зони;

  4. рівень Фермі знаходиться на дні зони провідності.

    1. Положення рівня Фермі для власного напівпровідника можна знайти за формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Положення рівня Фермі для напівпровідника p-типу провідності можна знайти за формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Положення рівня Фермі для напівпровідника n-типу провідності можна знайти за формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Температуру виснаження донорних домішок Тsn можна знайти з виразу:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

  1. Електропровідність напівпровідників

    1. За наявності одного типу вільних носіїв заряду (електронів) питома електропровідність становить:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Дрейфова рухливість електронів за означенням дорівнює:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Дрейфова рухливість електронів визначається виразом:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Ефективна маса провідності визначається співвідношенням:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. При багатофононному механізмі розсіяння:

  1. відбувається взаємодія електрона (або дірки) з кількома фононами одночасно;

  2. спостерігається народження або поглинання одного фонона;

  3. спостерігається народження або поглинання більше ніж одного фонона.

    1. При розсіянні носіїв заряду тепловими коливаннями ґратки для невиродженого газу:

  1. μ не залежить від температури;

  2. μ ~ T-1;

  3. μ ~ T-3/2;

  4. μ ~ T3/2.

    1. При розсіянні носіїв заряду тепловими коливаннями ґратки для виродженого газу:

  1. Μ не залежить від температури;

  2. μ ~ T-1;

  3. μ ~ T-3/2;

  4. μ ~ T3/2.

    1. При розсіянні носіїв заряду на йонізованих домішках:

  1. Μ не залежить від температури;

  2. μ ~ T-1;

  3. μ ~ T-3/2;

  4. μ ~ T3/2.

    1. При розсіянні носіїв заряду на нейтральних атомах домішки в кристалі:

  1. Μ не залежить від температури;

  2. μ ~ T-1;

  3. μ ~ T-3/2;

  4. μ ~ T3/2.

    1. За наявності декількох різних типів дефектів у твердому тілі час релаксації визначається з виразу:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. За наявності декількох різних типів дефектів у твердому тілі рухливість визначається з виразу:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. За високих температур переважає розсіяння носіїв заряду:

  1. тепловими коливаннями ґратки;

  2. на іонах домішки;

  3. на нейтральних атомах домішки.

    1. За низьких температур визначальним є розсіяння:

  1. тепловими коливаннями ґратки;

  2. на йонах домішки;

  3. на нейтральних атомах домішки.

    1. Рухливість дірок в порівнянні з рухливістю електронів зазвичай:

  1. менша;

  2. більша;

  3. рівна.

    1. Зазвичай зі збільшенням опору матеріалу в домішковій області рухливість:

  1. збільшується;

  2. зменшення;

  3. не змінюється.

    1. Збільшення концентрації домішок в кристалі призводить до:

  1. збільшення рухливості;

  2. зменшення рухливості;

  3. не впливає на рухливість.

    1. Якщо носіями заряду є електрони і дірки, то електропровідність визначається формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Для власного напівпровідника електропровідність визначається формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Для напівпровідника n-типу електропровідність визначається формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. Для напівпровідника p-типу електропровідність визначається формулою:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

    1. В області власної електропровідності lg σi, є практично:

  1. лінійною функцією T;

  2. лінійною функцією (1/T);

  3. квадратичною функцією T;

  4. квадратичною функцією (1/T).

    1. Кут нахилу кривих lgσ = f(1/Т) в області власної електропровідності визначається:

  1. шириною забороненої зони ;

  2. енергією йонізації донорів ;

  3. енергією йонізації акцепторів ;

  4. рівнем Фермі .

    1. Кут нахилу кривих lgσ = f(1/Т) у домішковій області визначається:

  1. шириною забороненої зони ;

  2. енергією йонізації донорів ;

  3. енергією йонізації акцепторів ;

  4. рівнем Фермі .

    1. Для області виснаження домішок хід функції σ(Т) визначається залежністю:

  1. (Т);

  2. (Т);

  3. (Т);

  4. μ(Т).

    1. Кут нахилу кривих lgσ = f(1/Т) в області власної електропровідності визначається:

  1. ;

  2. ;

  3. ;

  4. .

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Помощь Обратная связь Вопросы и предложения Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности