8.Перечень отобранной патентной документации

Были отобраны 3 патента для последующего анализа:

№	Страна поиска	МПК	Номер документа	Название	Сущность изобретения
1.	Российская Федерация	H01L21/318	2449414	Способ получения диэлектрической пленки нитрида кремния	При получении диэлектрической пленки нитрида кремния пластины подвергают обработке в газовой смеси, состоящей из дихлорсилана (SiH2Cl2 ) и аммиака (NH3), при температуре 800°С в течение 20 минут и при соотношении компонентов: SiH2Cl 2:NH3=12 л/ч : 20 л/ч, где рабочее давление Р=66 Па.
2.	Российская Федерация	H01L21/318	2325001	Способ получения пленок нитрида кремния	В способе получения пленок нитрида кремния из газовой смеси, в состав которой входят дихлорсилан (SiH 2Cl2) и аммиак (NH 3), подложки подвергают обработке в газовой смеси при температуре, равной 750°С, в течение 20 минут и при соотношении компонентов: SiH2Cl2:NH 2=10 л/ч : 20 л/ч. Способ позволяет получить равномерные пленки однородной толщины.
3.	Российская Федерация	H01L21/318	2518283	Способ осаждения нитрида кремния на кремниевую подложку	Способ осаждения пленки нитрида кремния на кремниевую подложку включает: предварительную обработку поверхности кремниевойподложкивплазмеазота,подготовку компонентов газовой смеси из 5,2% смеси моносилана с аргоном с расходом 1,05÷1,15 л/ч и азота с расходом 0,07÷0,08 л/ч, из которой формируется пленка нитрид акремния, осаждение пленки нитрида кремния на обработанную поверхность кремниевой подложки непосредственно без разгерметизации реактора после предварительной обработки поверхности кремниевой подложки в плазме азота.

9.Анализ изученной патентной документации

Способ осаждения пленок нитрида кремния, описанный в патенте №2449414, проводят в кварцевом реакторе. Кремниевые пластины проходят предварительную химическую обработку в смеси «КАРО» и перекисно-аммиачном растворе с последующей отмывкой в деионизованной воде. После продувания реактора азотом, предварительно кремниевые пластины нагревают до 800⁰ С, затем подают газовую смесь, состоящую из дихлорсилана (SiH₂Cl₂ ) и аммиака (NH₃). При этом на поверхности кремниевой пластины формируется диэлектрическая пленка нитрида кремния при соотношении компонентов: SiH₂Cl ₂:NH₃=12 л/ч : 20 л/ч, где рабочее давление Р=66 Па. Разброс толщины получаемых пленок по пластине 3,5-4,0%.

Способ, описанный в патенте №2325001, происходит в таком же кварцевом реакторе, кремниевые подложки проходят предварительную химическую обработку в аммиачно-перекисном растворе, и после продувания реактора азотом, предварительно нагрев подложки до температуры 750°С, подают ту же газовую смесь, что и в предыдущем анализированном способе, но в соотношении SiH₂Cl₂:NH ₂=10 л/ч : 20 л/ч, где рабочее давление Р=66 Па. При использовании этого способа разброс толщины получаемых пленок так же находится в пределах от 3,5% до 4,0%. Способ формирования пленки нитрида кремния, описанный в патенте №2518283, относится к методу плазмоактивированного процесса химического осаждения из газовой фазы, который включает:

• предварительную обработку подложки в плазме азота (проводят в плазме ВЧ индукционного заряда, изолированного от корпуса реактора);

• подготовку 5,2% смеси моносилана с аргоном и азота в соотношении (1,05÷4,15) л/ч 0,07÷0,08) л/ч ,из которого формируется пленка нитрида кремния;

• реакция плазмы с подложкой – осаждение пленки нитрида кремния на обработанную поверхность кремниевой подложки (проводят при очень низком давлении 0,1-0,3 Па в реакторе, которое в свою очередь обеспечивается подведенной вакуумной системой, а ВЧ мощность осаждения пленки нитрида кремния составляет 250-350 Вт)