МИНИСТРЕСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования

«Московский авиационный институт

(национальный исследовательский университет)»

Кафедра "Технология композиционных материалов, конструкций и микросистем"

Реферат

по дисциплине «Защита интеллектуальной собственности и патентоведение»

Группа: ___________________

Студент: __________________

Преподаватель: Трусова Е. Ю.

Москва, 2016 г.

Содержание

I. Отчет о проведенном патентно-информационном поиске…………………………3

1. Наименование и актуальность темы……………………………………….…..3

2. Цель поиска……………………………………………………………………...3

3. Предмет поиска…………………………………………………………….……3

4. Глубина поиска…………………………………………………………….……4

5. Страны поиска………………………………………………………….……….4

6. Классификационные индексы: МПК и УДК………………………………….4

7. Перечень изученной патентной и информационной документации……….6

8. Перечень отобранной патентной документации……………………………..6

9. Анализ изученной патентной документации…………………………….…...7 10. Выводы по отчету о патентном поиске………………………………….……7

II. Изучение структуры и содержания документа «Описание изобретения»……….8

I. Отчет о проведенном патентно-информационном поиске.

1.Наименование и актуальность темы

Выполнен поиск по теме: СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ НИТРИДА КРЕМНИЯ

Диэлектрические пленки аморфного нитрида кремния привлекают все большее внимание специалистов различных областей науки и техники благодаря комплексу уникальных физических, химических и механических свойств. К основным характеристикам пленок нитрида кремния, обеспечивающим повышенный интерес специалистов в области микроэлектроники, в первую очередь относятся следующие :

• высокая диффузионная стойкость по отношению к влаге, ионам щелочных металлов, а также элементам-диффузантам, широко применяемым в электронной технике;

• хорошие электроизолирующие и диэлектрические свойства (удельное пробивное напряжение 10⁷ В/см, тангенс утла диэлектрических потерь составляет 1-10 и др.);

• повышенная химическая стойкость в агрессивных газовых и жидких средах (в том числе в условиях высоких температур), не исключающая однако проведения фотолитографических операций;

• химическая инертность по отношению к материалам (полупроводникам, диэлектрикам, металлам и т.д.), широко применяемым в технологии полупроводниковых приборов;

• удовлетворительная совместимость по величине коэффициента термического расширения (КТР) с полупроводниковыми подложками, применяемыми в микроэлектронике (средняя величина КТР составляет 5.5-10⁶ 1/К);

• высокая термостабильность.

Приведенные выше свойства обеспечили широкое использование пленок нитрида кремния, полученных в высокотемпературных процессах осаждения, в качестве подзатворного диэлектрика в МДП-транзисторах, для образования масок при окислении, имплантации и диффузии в случае изготовления приборов на основе кремния.Также нитрид кремния часто используют как изолятор и химический барьер при производстве интегральных микросхем. Нитрид кремния широко используется в приборах флеш-памяти в качестве запоминающей среды.

2.Цель поиска

Найти и проанализировать новшества, описывающие условия и режимы получения тонких пленок нитрида кремния.

3.Предмет поиска

Предметом патентного поиска являются тонкие пленки нитрида кремния(Si₃N₄) и способы их осаждения.

4.Глубина поиска

Глубина поиска составляет 28 лет, так как найден документ (а именно заявка на изобретение), дата поступления заявки которого датируется 1987 годом.

5. Страны поиска

Патентный поиск проводился по базе данных патентных документов Российской Федерации.

6.Классификационные индексы: мпк , удк

1. Индекс мпк с01в21/068

- к разделу Cотнесены:

(а) чистая химия, которая охватывает неорганические соединения, органические соединения, высокомолекулярные соединения и способы их получения;

(б) прикладная химия, которая охватывает составы, содержащие вышеуказанные соединения, такие как стекло, керамика, удобрения, пластмассы, краски, продукты нефтяной промышленности. Она охватывает также некоторые вещества и смеси специального назначения за счет особых свойств, например взрывчатые вещества, красители, клеящие вещества, смазочные и моющие средства;

(в) некоторые виды перерабатывающей промышленности, например: производство кокса и твердого или газообразного топлива, производство или очистка масел, жиров и восков, бродильная промышленность (например пивоварение и виноделие), производство сахара;

(г) некоторые виды обработки: либо полностью механические, как например, механическая обработка кожи, либо частично механические, как например, обработка воды или предотвращение коррозии вообще;

(д) металлургия, сплавы черных или цветных металлов.

- классС01В включает: неметаллические элемент, их соединения,производство неметаллических элементовили неорганических соединений электролизом или электрофорезом.