18) Терморезистор

это полупроводниковый прибор, электрическое сопротивление которого зависит от температура.

,

Где R₀ - условное сопротивление полупроводника при ; - энергия активация примеси (или ширина запрещенной зоны); k – постоянная Больцмана; -коэффициент температурной чувствительности

19) Эффект Холла.

Если через проводящую пластинку пропускать ток, а перпендикулярно пластинке направить магнитное поле, то в направлении поперечном току (и направлению магнитного поля) на пластинке появится напряжение

Обозначим: Ex – напряженность электрического поля, обусловленного ЭДС Холла,  h – толщина ленты проводника.

Перераспределение зарядов прекратится, когда сила qEx уравновесит лоренцеву силу, т.е.

или    

20) Получение p – n перехода

p – n переходом называют область, находящуюся на границе раздела между дырочной и электронной областями одного кристалла. Он создаётся в одном кристалле введением двух различных примесей, создающем в нём электронную и дырочную области.

При T=const преход в p-слое и в N-слое проходит в состоянии равновесия. Особенность этого состояния заключается в том, что для всего объёма полупроводника в равновесном состоянии уровень Ферми имеет одинаковое значение

Высота потенциального барьера равна контактной разности потенциалов. Это разность потенциалов в переходе.

21) Электрическое поле барьера при равновесном сост-ии p-n перехода.

При образовании p-n перехода, электрон начинает переходить в p- область и встречается с дыркой, они рекомбинируют. В некоторой приграничной области p- типа будет почти отсутствовать свободные носители заряда. В области р возникает огранич слой отриц ионов. В области p-n перехода возникает внутреннее эл поле, которое препятствует переходу основных носит заряда через p-n переход.

В равновесном состоянии через p-n переход будет проходить маленькая доля основных носит заряда, этим будет обуславл дифузионный ток основных носителей. Также через p-n переход беспрепятственно будет переходить не основн носитель. Ток основн и не основн носителей зарядов одинаков. . С изменением Т концентрация е и дырок способных преодолеть p-n переход изменяется по след закону: ; n1, p1 концентрация n и p типа. p-n переход обладает вентильным свойством след-но в одну сторону пропускает носителей в другую сторону нет.

22) Прямое включение. Вольт-Амперные харак-ки p-n перехода.

При прямом включении диода, поле от внешнего источника уменьшает величину потенциального барьера для основных носителей заряда, т.е. через p-n переход увелич поток основных носителей заряда.