- •6) Теплоемкость твердых тел.
- •2)Силы взаимодействия в твердом теле. Силы Ван-дер-Вальса
- •3) Анизотропия
- •10) Зонная теория тв тел приближение сильной связи
- •4) Квантовым осциллятором
- •12) Движение элек в переодич поле кристал реш.
- •5) Классическая Теория теплоемкости Дилонга-Пти.
- •8) Зонная теория твердого тела.
- •7) Квантовая теория свободных электронов в металле.
- •11) Полупроводники
- •9)Распределение Ферми-Дирака, Бозе-Эйнштейна, Максвела, Ферми-Дирак
- •14) Удельная электропровод.
- •15) Удел. Электропровод полупроводников
- •16) Зависимость электропровод собствен и не вырожден полупровод от ширины зз
- •17) Примесные полупроводники.
- •18) Терморезистор
- •19) Эффект Холла.
- •20) Получение p – n перехода
- •21) Электрическое поле барьера при равновесном сост-ии p-n перехода.
- •23) Обратное подключение p-n перехода. Вах
14) Удельная электропровод.
Удельной
электропроводностью называют
меру,cпособности вещества проводить электрический
ток.
;
Me-подвижность.
Металлы-терморезистор.
При высоких Т уменьшается подвижность,
т.к. увелич амплитуда колеб ионов в
кристал решетки, что приводит к увелич
столкновений. Проводимость металов
уменьшается при низких Т.
15) Удел. Электропровод полупроводников
Электропроводимость
называется собственной, когда нет
примесей и концентрация электронов и
дырок одинаковая.
;
С повышением Т увеличивается концентрация носителей в отличии от металлов, с др. стороны уменьшается подвижность.
Примесной электропроводимостью называют, когда в полу-к добавляют примеси.
Акцепторная примесь- это примесь с меньшей валентностью. Проводимость будет называться дырочной. Полупроводник будет p-типа.
Донорная примесь-это примесь с большей валентностью. Проводимость будет называться электронной, а полупроводник будет n-типа. При абсолютном нуле полу-к ведёт себя как диэлектрик. При нагревании полу-ка атомы ионизируются и проводимость резко возрастает.
16) Зависимость электропровод собствен и не вырожден полупровод от ширины зз
Полупроводник, кристаллическая решетка которого не содержит атомов другой валентности, называется собственным полупроводником. При сообщении кристаллической решетке некоторого дополнительного количества энергии, например, путем нагрева или под воздействием света электрон может покинуть ковалентную связь и превратиться в свободный носитель электрического заряда. В результате ковалентная связь становится дефектной, в ней образуется «вакантное» место, которое может занять один из валентных электронов соседней связи.
Полупроводники, кристаллическая решетка которых помимо четырехвалентных атомов содержит атомы с валентностью, отличающейся от валентности основных атомов, и их концентрация превышает собственную концентрацию носителей заряда, называют примесными. С точки зрения зонной теории при тепловой генерации происходит переход электронов из валентной зоны в зону проводимости, а при рекомбинации их возврат из зоны проводимости в валентную зону. Скорость тепловой генерации обратно пропорциональна ширине запрещенной зоны и прямо пропорциональна температуре Т. Чем шире запрещенная зона, тем меньше концентрация собственных носителей заряда.
17) Примесные полупроводники.
На проводимость п-ка, большое влияние оказываю примеси. При добавлении донорной примеси, образуются липшие электроны. Основными носителями заряда станут электроны. Проводимость будет называться электронной.
При добавлении акцепторной примеси, образуется лишнее кол-во “дырок”(положительно заряженные носители).Основными носителями заряда станут “дырки”. Проводимость будет дырочной.
Подвижность
носителей в области низких температур
из-за рассеяния на ионах примеси
пропорциональна
.
В области высоких температур основное
значение имеет рассеяние на тепловых
колебаниях решетки (фононах) и
т.е. подвижность с ростом температуры
уменьшается. Но так как концентрация
свободных носителей заряда с ростом
температуры увеличивается значительно
быстрее, чем уменьшается подвижность,
то проводимость растет по закону
,
-
энергия активация примеси (или ширина
запрещенной зоны); k
– постоянная Больцмана;
-коэффициент
температурной чувствительности.
