- •К.И. Таперо, в.Н. Улимов, а.М. Членов Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения Аннотация
- •Содержание
- •Введение
- •1 Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
- •1.1 Краткое описание радиационных характеристик в окружающем пространстве
- •1.1.1 Радиационные условия в космическом пространстве Внешние воздействующие факторы космического пространства
- •Источники ионизирующих излучений в космическом пространстве
- •1.1.2 Ионизирующие излучения ядерного взрыва
- •1.1.3 Ионизирующие излучения атомных электростанций
- •1.2 Величины, характеризующие ионизирующее излучение и его взаимодействие с веществом
- •1.2.1 Некоторые величины и единицы, характеризующие ионизирующее излучение и его поле
- •1.2.2 Некоторые величины и единицы, характеризующие взаимодействие ионизирующего излучения с веществом
- •1.2.3 Некоторые дозиметрические величины и единицы
- •Определение поглощенной дозы при постоянном значении лпэ ионизирующих частиц
- •Определение поглощенной дозы с учетом изменения лпэ ионизирующих частиц по мере прохождения их через образец
- •1.2.4 Некоторые величины и единицы, характеризующие изотопные источники ионизирующих излучений
- •1.3 Физические процессы при взаимодействии ионизирующих излучений с материалами электронной техники
- •1.3.1 Первичные радиационные эффекты при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы
- •1.3.2 Смещение атомов из узлов решетки при воздействии ионизирующих излучений
- •Смещение атомов при облучении нейтронами
- •Смещение атомов при облучении заряженными частицами
- •Смещение атомов при облучении гамма-квантами
- •1.3.3 Ионизация при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы Ионизация при облучении нейтронами
- •Ионизация при облучении заряженными частицами
- •Ионизация при облучении гамма-квантами
- •Эффект усиления дозы
- •1.3.4 Ядерные превращения при воздействии ионизирующих излучений
- •1.3.5 Термостабильные радиационные центры в полупроводниках
- •1.3.6 Изменение электрофизических параметров полупроводниковых материалов при радиационном облучении
- •2 Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении
- •2.1 Диодные структуры
- •2.2 Транзисторные структуры
- •2.3 Устойчивость радиационных изменений электрических параметров полупроводниковых приборов
- •3 Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем
- •3.1 Особенности строения структуры Si/SiO2
- •3.1.1 Особенности строения диоксида кремния
- •Кристаллические формы SiO2
- •Аморфный диоксид кремния
- •Дефекты в диоксиде кремния, отвечающие за накопление заряда
- •3.1.2 Особенности строения границы раздела Si/SiO2 Структура границы раздела
- •Дефекты на границе раздела Si/SiO2, отвечающие за накопление заряда
- •3.1.3 Влияние водорода и водородсодержащих соединений на свойства структуры Si/SiO2
- •3.2 Электрические методы исследований заряда в оксиде и плотности поверхностных состояний
- •3.2.1 Метод вфх
- •3.2.2 Метод подпороговых вах
- •3.2.3 Методы, основанные на измерении надпороговой вах транзисторов
- •3.2.4 Метод накачки заряда
- •3.3 Накопление и релаксация зарядов в структуре Si/SiO2 при радиационном облучении и отжиге
- •3.3.1 Общее описание процессов накопления заряда в структурах Si/SiO2 при радиационном облучении
- •3.3.2 Выход заряда
- •3.3.3 Перенос дырок через SiO2
- •3.3.4 Накопление и нейтрализация заряда на ловушках в оксиде
- •3.3.5 Механизм нейтрализации заряда в оксиде
- •3.3.6 Особенности накопления поверхностных состояний при радиационном облучении
- •3.3.7 Латентное накопление поверхностных состояний
- •3.3.8 Накопление поверхностных состояний в зависимости от интенсивности излучения
- •3.3.9 Отжиг поверхностных состояний
- •3.3.10 Механизм накопления поверхностных состояний
- •3.3.11 Граничные ловушки
- •3.4 Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе моп-структур
- •3.4.1 Изменение характеристик моп-транзисторов и кмоп-логических элементов при радиационном облучении
- •3.4.2 Влияние конструктивно-технологических характеристик на радиационную стойкость моп-структур
- •3.4.3 Радиационные эффекты в моп-структурах с ультратонкими оксидами
- •3.4.4 Некоторые особенности дозовых радиационных эффектов в мдп-структурах с альтернативными диэлектриками
- •3.4.5 Влияние полевых оксидов на радиационную стойкость ис
- •3.4.6 Особенности проявления дозовых радиационных эффектов в микросхемах, изготовленных по кни-технологии
- •3.5 Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе моп- и кмоп-структур
- •3.5.1 Корреляция между отдельными транзисторами и микросхемами
- •3.5.2 Наихудший электрический режим
- •3.5.3 Влияние на радиационную стойкость высокотемпературной нагрузки (наработки) перед облучением
- •3.5.4 Выбор источников ионизирующих излучений при проведении радиационных испытаний моп и кмоп ис
- •3.5.5 Процедуры радиационных испытаний, учитывающие влияние факторов низкой интенсивности облучения
- •4 Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект eldrs)
- •4.1 Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных транзисторов
- •4.2 Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных интегральных схем
- •4.3 Физические модели эффектов низкоинтенсивного облучения биполярных приборов и микросхем
- •4.4 Проблема экспериментального моделирования воздействия излучений низкой интенсивности на биполярные изделия
- •4.5 Выводы
- •5 Одиночные события в бис при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
- •5.1 Основные виды и классификация одиночных событий
- •5.1.1 Краткое описание основных видов ос Обратимые одиночные сбои (seu)
- •Одиночные события радиационного защелкивания (sel)
- •Одиночный микродозовый эффект (sehe)
- •Одиночный эффект прерывания функционирования (sefi)
- •Эффект выгорания (seb)
- •Эффект пробоя диэлектрика (segr)
- •Одиночный эффект вторичного пробоя в моп-транзисторах (ses)
- •Одиночные события, связанные с импульсной переходной ионизационной реакцией (set)
- •5.1.2 Основные параметры чувствительности полупроводниковых приборов и микросхем к одиночным событиям
- •5.2 Физические процессы, приводящие к возникновению одиночных событий
- •5.2.1 Общее описание процессов возникновения одиночных событий
- •5.2.2 Образование носителей заряда (ионизация)
- •5.2.3 Рекомбинация неравновесных носителей заряда
- •5.2.4 Перенос неравновесных носителей
- •5.2.5 Сбор заряда
- •5.3 Экспериментальные методы исследования чувствительности изделий полупроводниковой электроники к одиночным событиям при воздействии тяжелых заряженных частиц и протонов
- •5.3.1 Эксперименты на ускорителях протонов
- •5.3.2 Эксперименты на ускорителях ионов
- •5.3.3 Эксперименты с изотопными источниками
- •5.3.4 Эксперименты с использованием ионных микропучков
- •5.3.5 Эксперименты с использованием имитаторов
- •Литература
5.3.2 Эксперименты на ускорителях ионов
Данные эксперименты являются самыми информативными при определении параметров чувствительности ИС и ПП к ОС, вызванным ТЗЧ, поскольку они позволяют напрямую определить зависимость сечения ОС от ЛПЭ ТЗЧ путем получения значений сечения при различных ЛПЭ ТЗЧ. Основными недостатками таких экспериментов являются, во-первых, короткие пробеги ионов, а во-вторых, уникальность исследовательских установок и как следствие этого высокая стоимость экспериментов. Вследствие того, что ионы, получаемые на ускорителях, которые способны вызвать в ИС возникновение одиночных событий, имеют очень малые пробеги в облучаемых материалах (в кремнии обычно не более 30–40 мкм), проводить испытания ИС в их штатных корпусах не представляется возможным. Поэтому перед началом экспериментов удаляются крышки корпусов исследуемых ИС. Следует отметить, что это практически невозможно сделать в случае ИС в пластмассовых корпусах. Более того, если крышка корпуса ИС все-таки может быть удалена, но кристалл покрыт защитным лаком или компаундом, то такое изделие уже обычно недоступно для исследований (вследствие торможения ионов защитным слоем). Кроме того, зачастую эксперименты на ускорителях ТЗЧ проводятся в условиях вакуума, чтобы исключить торможение ионов слоем воздуха. Это создает дополнительные технические трудности при организации и проведении экспериментов.
При проведении испытаний используются ускорители ТЗЧ (ионов) с ЛПЭ частиц в кремнии от 1 до 100 МэВсм2/мг и с энергией 0,1–40 МэВ/нуклон.
Ускорители ионов должны обеспечивать необходимые интегральные потоки ионов с требуемыми значениями ЛПЭ и энергии. Неоднородность поля излучения ускорителей в пределах площади облучаемого образца не должна превышать 10 %.
В соответствии с имеющимися в настоящее время зарубежными стандартами (аналогичных российских документов в настоящее время пока нет) ускорители ионов должны обеспечивать пробеги частиц в кремнии не менее 30 мкм. В этом случае можно пренебречь изменением ЛПЭ ТЗЧ по мере их прохождения через чувствительный слой ИС. Плотность потока ионов варьируется в диапазоне 102–105 см–2с–1. Общее количество ТЗЧ, падающих на кристалл облучаемых ИС, должно быть таким, чтобы с достаточной степенью уверенности можно было считать, что все чувствительные области были облучены. Это особенно важно при работе вблизи порогового значения ЛПЭ, когда могут наблюдаться отдельные редкие события. Исходя из этих соображений при работе вблизи порога рекомендуется выбирать флюенс ионов порядка 107 ион/см2. При работе в надпороговой области испытания рекомендуется проводить до набора достаточной статистики событий (для микросхем памяти — это обычно порядка 10 % от информационной емкости) или до набора флюенса ионов 107 ион/см2. Кроме того, при выборе флюенса частиц необходимо принимать во внимание возможные дозовые эффекты: для каждого облучаемого образца должна фиксироваться суммарная доза за все циклы облучения, и предварительно должна быть оценена предельная доза, определяющая радиационную стойкость данного изделия к дозовым эффектам.
Изменение ЛПЭ ионов осуществляется путем выбора типа и энергии ионов. Следует отметить, что переход с одного типа ионов на другой представляет собой достаточно сложную задачу, и на такой переход в ряде случаев могут уйти сутки, а иногда и более. Изменение энергии иона — это более простая задача. Очень часто для получения различных эффективных значений ЛПЭ ТЗЧ при неизменных типе и энергии падающих ионов используется облучение при различных углах падения ионов на поверхность образца. Данный метод применим лишь в том случае, когда пробеги ионов в кремнии превышают толщину чувствительной области, ответственной за возникновение ОС. Суть метода поясняется на рис. 5.15.
Рис. 5.15. Использование облучения образцов под различными углами падения ТЗЧ для изменения эффективных значений ЛПЭ ТЗЧ
Здесь h — толщина чувствительной области; hэф — участок ионного трека, лежащий внутри чувствительной области облучаемой ИС; — угол падения ТЗЧ на поверхность кристалла ИС.
Линейные потери энергии иона — это потеря энергии на единице длины пробега, отнесенная к плотности облучаемого материала:
.
Если принять, что ЛПЭ ТЗЧ практически не меняются по мере прохождения чувствительной области, то энергия, поглощенная в чувствительном слое при облучении ионами под углом , равна
. (5.19)
Эффективные линейные потери энергии иона Lэф определяются как отношение энергии, поглощенной в чувствительном слое, к толщине этого слоя и плотности облучаемого материала:
. (5.20)
С учетом (5.19) выражение (5.20) можно переписать в виде
.
Угол обычно меняется в пределах до 60. При этом можно получить эффективное значение ЛПЭ в 2 раза превышающее значение ЛПЭ падающих ионов.
Следует еще раз отметить, что данный метод применим только в том случае, если пробег иона превышает толщину чувствительного слоя. Если же ион полностью тормозится в пределах чувствительной области, то независимо от угла его падения на кристалл ИС в чувствительной области будет выделяться вся его энергия, и изменение угла падения иона не приведет к изменению эффективного значения ЛПЭ.
Данный метод не применяется на ускорителях протонов, несмотря на то, что высокоэнергетические протоны имеют очень большие пробеги (как уже отмечалось выше, в экспериментах на протонных ускорителях реализуется «пролетная» геометрия, и образцы испытываются в своих штатных корпусах). Дело в том, что ОС при воздействии протонов вызываются не прямыми ионизационными потерями первичных частиц (протонов), а ионизационными потерями вторичных частиц, образующихся в кремнии в результате упругих и неупругих взаимодействий протонов с ядрами кремния. Образующиеся вторичные частицы имеют ЛПЭ в кремнии до 10–15 МэВсм2/мг и характеризуются очень короткими пробегами: они полностью тормозятся в пределах чувствительной области. Кроме того, они могут двигаться внутри чувствительной области в любом направлении.
Дозиметрическое сопровождение при проведении испытаний на ускорителях ионов имеет две основные цели. Во-первых, это контроль энергии и состава пучка. Во-вторых, важно контролировать в процессе испытаний плотность потока и пространственную однородность пучка. Для контроля энергии ионов в пучке обычно используются системы на основе кремниевых поверхностно барьерных детекторов, аналогичные тем, которые используются в экспериментах с изотопными источниками ТЗЧ. Разброс энергии ионов в пределах 10 % от требуемого значения считается вполне приемлемым.
