- •К.И. Таперо, в.Н. Улимов, а.М. Членов Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения Аннотация
- •Содержание
- •Введение
- •1 Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
- •1.1 Краткое описание радиационных характеристик в окружающем пространстве
- •1.1.1 Радиационные условия в космическом пространстве Внешние воздействующие факторы космического пространства
- •Источники ионизирующих излучений в космическом пространстве
- •1.1.2 Ионизирующие излучения ядерного взрыва
- •1.1.3 Ионизирующие излучения атомных электростанций
- •1.2 Величины, характеризующие ионизирующее излучение и его взаимодействие с веществом
- •1.2.1 Некоторые величины и единицы, характеризующие ионизирующее излучение и его поле
- •1.2.2 Некоторые величины и единицы, характеризующие взаимодействие ионизирующего излучения с веществом
- •1.2.3 Некоторые дозиметрические величины и единицы
- •Определение поглощенной дозы при постоянном значении лпэ ионизирующих частиц
- •Определение поглощенной дозы с учетом изменения лпэ ионизирующих частиц по мере прохождения их через образец
- •1.2.4 Некоторые величины и единицы, характеризующие изотопные источники ионизирующих излучений
- •1.3 Физические процессы при взаимодействии ионизирующих излучений с материалами электронной техники
- •1.3.1 Первичные радиационные эффекты при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы
- •1.3.2 Смещение атомов из узлов решетки при воздействии ионизирующих излучений
- •Смещение атомов при облучении нейтронами
- •Смещение атомов при облучении заряженными частицами
- •Смещение атомов при облучении гамма-квантами
- •1.3.3 Ионизация при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы Ионизация при облучении нейтронами
- •Ионизация при облучении заряженными частицами
- •Ионизация при облучении гамма-квантами
- •Эффект усиления дозы
- •1.3.4 Ядерные превращения при воздействии ионизирующих излучений
- •1.3.5 Термостабильные радиационные центры в полупроводниках
- •1.3.6 Изменение электрофизических параметров полупроводниковых материалов при радиационном облучении
- •2 Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении
- •2.1 Диодные структуры
- •2.2 Транзисторные структуры
- •2.3 Устойчивость радиационных изменений электрических параметров полупроводниковых приборов
- •3 Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем
- •3.1 Особенности строения структуры Si/SiO2
- •3.1.1 Особенности строения диоксида кремния
- •Кристаллические формы SiO2
- •Аморфный диоксид кремния
- •Дефекты в диоксиде кремния, отвечающие за накопление заряда
- •3.1.2 Особенности строения границы раздела Si/SiO2 Структура границы раздела
- •Дефекты на границе раздела Si/SiO2, отвечающие за накопление заряда
- •3.1.3 Влияние водорода и водородсодержащих соединений на свойства структуры Si/SiO2
- •3.2 Электрические методы исследований заряда в оксиде и плотности поверхностных состояний
- •3.2.1 Метод вфх
- •3.2.2 Метод подпороговых вах
- •3.2.3 Методы, основанные на измерении надпороговой вах транзисторов
- •3.2.4 Метод накачки заряда
- •3.3 Накопление и релаксация зарядов в структуре Si/SiO2 при радиационном облучении и отжиге
- •3.3.1 Общее описание процессов накопления заряда в структурах Si/SiO2 при радиационном облучении
- •3.3.2 Выход заряда
- •3.3.3 Перенос дырок через SiO2
- •3.3.4 Накопление и нейтрализация заряда на ловушках в оксиде
- •3.3.5 Механизм нейтрализации заряда в оксиде
- •3.3.6 Особенности накопления поверхностных состояний при радиационном облучении
- •3.3.7 Латентное накопление поверхностных состояний
- •3.3.8 Накопление поверхностных состояний в зависимости от интенсивности излучения
- •3.3.9 Отжиг поверхностных состояний
- •3.3.10 Механизм накопления поверхностных состояний
- •3.3.11 Граничные ловушки
- •3.4 Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе моп-структур
- •3.4.1 Изменение характеристик моп-транзисторов и кмоп-логических элементов при радиационном облучении
- •3.4.2 Влияние конструктивно-технологических характеристик на радиационную стойкость моп-структур
- •3.4.3 Радиационные эффекты в моп-структурах с ультратонкими оксидами
- •3.4.4 Некоторые особенности дозовых радиационных эффектов в мдп-структурах с альтернативными диэлектриками
- •3.4.5 Влияние полевых оксидов на радиационную стойкость ис
- •3.4.6 Особенности проявления дозовых радиационных эффектов в микросхемах, изготовленных по кни-технологии
- •3.5 Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе моп- и кмоп-структур
- •3.5.1 Корреляция между отдельными транзисторами и микросхемами
- •3.5.2 Наихудший электрический режим
- •3.5.3 Влияние на радиационную стойкость высокотемпературной нагрузки (наработки) перед облучением
- •3.5.4 Выбор источников ионизирующих излучений при проведении радиационных испытаний моп и кмоп ис
- •3.5.5 Процедуры радиационных испытаний, учитывающие влияние факторов низкой интенсивности облучения
- •4 Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект eldrs)
- •4.1 Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных транзисторов
- •4.2 Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных интегральных схем
- •4.3 Физические модели эффектов низкоинтенсивного облучения биполярных приборов и микросхем
- •4.4 Проблема экспериментального моделирования воздействия излучений низкой интенсивности на биполярные изделия
- •4.5 Выводы
- •5 Одиночные события в бис при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
- •5.1 Основные виды и классификация одиночных событий
- •5.1.1 Краткое описание основных видов ос Обратимые одиночные сбои (seu)
- •Одиночные события радиационного защелкивания (sel)
- •Одиночный микродозовый эффект (sehe)
- •Одиночный эффект прерывания функционирования (sefi)
- •Эффект выгорания (seb)
- •Эффект пробоя диэлектрика (segr)
- •Одиночный эффект вторичного пробоя в моп-транзисторах (ses)
- •Одиночные события, связанные с импульсной переходной ионизационной реакцией (set)
- •5.1.2 Основные параметры чувствительности полупроводниковых приборов и микросхем к одиночным событиям
- •5.2 Физические процессы, приводящие к возникновению одиночных событий
- •5.2.1 Общее описание процессов возникновения одиночных событий
- •5.2.2 Образование носителей заряда (ионизация)
- •5.2.3 Рекомбинация неравновесных носителей заряда
- •5.2.4 Перенос неравновесных носителей
- •5.2.5 Сбор заряда
- •5.3 Экспериментальные методы исследования чувствительности изделий полупроводниковой электроники к одиночным событиям при воздействии тяжелых заряженных частиц и протонов
- •5.3.1 Эксперименты на ускорителях протонов
- •5.3.2 Эксперименты на ускорителях ионов
- •5.3.3 Эксперименты с изотопными источниками
- •5.3.4 Эксперименты с использованием ионных микропучков
- •5.3.5 Эксперименты с использованием имитаторов
- •Литература
1.1.2 Ионизирующие излучения ядерного взрыва
Состав, интенсивность, длительность импульсов излучения и временные интервалы между компонентами излучения ЯВ зависят от типа и мощности боеприпаса, высоты взрыва над Землёй и удалённости точки регистрации излучения от эпицентра.
В современных ядерных и термоядерных боеприпасах выделяют мгновенное гамма-излучение, вторичные гамма-излучения, сверхжёсткое рентгеновское излучение (СЖР) и излучение нейтронов деления и термоядерных нейтронов. После инициации ядерного взрыва излучение боеприпаса взаимодействует с элементами конструкции боеприпаса и с окружающей средой, в результате чего возможны различные спектрально-энергетические и временные сочетания факторов ЯВ. За счёт торможения заряженных частиц в элементах конструкции и атмосфере создаётся мощный электромагнитный импульс (ЭМИ). Например, при взрыве в атмосфере СЖР-излучение, имеющее энергию ~80 кэВ, активно тормозится, генерируя при этом мощный импульс ЭМИ.
Временная форма гамма-излучения высотного и наземного ЯВ приведена на рис. 1.1, форма ЭМИ — на рис. 1.2. Спектр быстрых нейтронов, выходящих с поверхности термоядерного взрывного устройства, приведен в табл. 1.1, а удельный выход мгновенных нейтронов и гамма-излучения из атомного и термоядерного взрывного устройства — в табл. 1.2.
Рис. 1.1. Временная форма гамма-излучения высотного (сплошная линия) и наземного (пунктирная линия) ЯВ: 1 — мгновенная компонента; 2 — гамма-излучение, рождаемое в актах неупругого рассеяния нейтронов; 3 — изомерное излучение; 4 — излучение, рождаемое в актах захвата нейтронов; 5 — осколочное излучение
Рис. 1.2. Временная форма радиального компонента ЭМИ наземного ЯВ
Таблица 1.1
Энергетическое распределение быстрых нейтронов, выходящих с поверхности термоядерного взрывного устройства
En, МэВ |
Доля, % |
En, МэВ |
Доля, % |
0,111 – 1,11 |
38,0 |
6,36 – 8,18 |
3,3 |
1,11 – 2,35 |
18,0 |
8,18 – 10,0 |
2,9 |
2,35 – 4,06 |
11,0 |
10,0 – 12,2 |
5,3 |
4,06 – 6,36 |
6,6 |
12,2 – 14,2 |
14,9 |
Таблица 1.2
Удельный выход мгновенных нейтронов и гамма-излучения
Тип устройства |
Гамма-излучение (E > 0,1 МэВ), квант/кт |
Нейтроны, нейтр./кт |
|
Полный поток |
En > 0,1 МэВ |
||
Атомное |
(2–10)∙1022 |
(1–3)∙1022 |
(0,8–1)∙1023 |
Термоядерное |
~ 6∙1022 |
(1,5–2)∙1023 |
~ 1∙1023 |
Таким образом видно, что излучение ЯВ состоит из импульсов гамма-, СЖР- и нейтронного излучений и сопровождается ЭМИ. Эти излучения приводят к образованию структурных дефектов в полупроводниках, образованию фототоков и переходных эффектов в p-n-переходах, импульсным электрическим перенапряжениям и термомеханическим эффектам (за счёт СЖР). В свою очередь эти эффекты приводят к временному или окончательному выходу из строя радиоэлектронной аппаратуры, систем управления и связи.
В случае проведения ЯВ в космосе кроме прямого воздействия факторов ЯВ на электронику КА воздействует также излучение электронов искусственных радиационных поясов Земли (ИРПЗ). ИРПЗ образуются при захвате электронов ЯВ геомагнитным полем. Величина плотности потока электронов ИРПЗ значительно превышает плотность потока электронов, характерную для естественных радиационных поясов Земли (ЕРПЗ).
