- •К.И. Таперо, в.Н. Улимов, а.М. Членов Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения Аннотация
- •Содержание
- •Введение
- •1 Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
- •1.1 Краткое описание радиационных характеристик в окружающем пространстве
- •1.1.1 Радиационные условия в космическом пространстве Внешние воздействующие факторы космического пространства
- •Источники ионизирующих излучений в космическом пространстве
- •1.1.2 Ионизирующие излучения ядерного взрыва
- •1.1.3 Ионизирующие излучения атомных электростанций
- •1.2 Величины, характеризующие ионизирующее излучение и его взаимодействие с веществом
- •1.2.1 Некоторые величины и единицы, характеризующие ионизирующее излучение и его поле
- •1.2.2 Некоторые величины и единицы, характеризующие взаимодействие ионизирующего излучения с веществом
- •1.2.3 Некоторые дозиметрические величины и единицы
- •Определение поглощенной дозы при постоянном значении лпэ ионизирующих частиц
- •Определение поглощенной дозы с учетом изменения лпэ ионизирующих частиц по мере прохождения их через образец
- •1.2.4 Некоторые величины и единицы, характеризующие изотопные источники ионизирующих излучений
- •1.3 Физические процессы при взаимодействии ионизирующих излучений с материалами электронной техники
- •1.3.1 Первичные радиационные эффекты при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы
- •1.3.2 Смещение атомов из узлов решетки при воздействии ионизирующих излучений
- •Смещение атомов при облучении нейтронами
- •Смещение атомов при облучении заряженными частицами
- •Смещение атомов при облучении гамма-квантами
- •1.3.3 Ионизация при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы Ионизация при облучении нейтронами
- •Ионизация при облучении заряженными частицами
- •Ионизация при облучении гамма-квантами
- •Эффект усиления дозы
- •1.3.4 Ядерные превращения при воздействии ионизирующих излучений
- •1.3.5 Термостабильные радиационные центры в полупроводниках
- •1.3.6 Изменение электрофизических параметров полупроводниковых материалов при радиационном облучении
- •2 Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении
- •2.1 Диодные структуры
- •2.2 Транзисторные структуры
- •2.3 Устойчивость радиационных изменений электрических параметров полупроводниковых приборов
- •3 Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем
- •3.1 Особенности строения структуры Si/SiO2
- •3.1.1 Особенности строения диоксида кремния
- •Кристаллические формы SiO2
- •Аморфный диоксид кремния
- •Дефекты в диоксиде кремния, отвечающие за накопление заряда
- •3.1.2 Особенности строения границы раздела Si/SiO2 Структура границы раздела
- •Дефекты на границе раздела Si/SiO2, отвечающие за накопление заряда
- •3.1.3 Влияние водорода и водородсодержащих соединений на свойства структуры Si/SiO2
- •3.2 Электрические методы исследований заряда в оксиде и плотности поверхностных состояний
- •3.2.1 Метод вфх
- •3.2.2 Метод подпороговых вах
- •3.2.3 Методы, основанные на измерении надпороговой вах транзисторов
- •3.2.4 Метод накачки заряда
- •3.3 Накопление и релаксация зарядов в структуре Si/SiO2 при радиационном облучении и отжиге
- •3.3.1 Общее описание процессов накопления заряда в структурах Si/SiO2 при радиационном облучении
- •3.3.2 Выход заряда
- •3.3.3 Перенос дырок через SiO2
- •3.3.4 Накопление и нейтрализация заряда на ловушках в оксиде
- •3.3.5 Механизм нейтрализации заряда в оксиде
- •3.3.6 Особенности накопления поверхностных состояний при радиационном облучении
- •3.3.7 Латентное накопление поверхностных состояний
- •3.3.8 Накопление поверхностных состояний в зависимости от интенсивности излучения
- •3.3.9 Отжиг поверхностных состояний
- •3.3.10 Механизм накопления поверхностных состояний
- •3.3.11 Граничные ловушки
- •3.4 Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе моп-структур
- •3.4.1 Изменение характеристик моп-транзисторов и кмоп-логических элементов при радиационном облучении
- •3.4.2 Влияние конструктивно-технологических характеристик на радиационную стойкость моп-структур
- •3.4.3 Радиационные эффекты в моп-структурах с ультратонкими оксидами
- •3.4.4 Некоторые особенности дозовых радиационных эффектов в мдп-структурах с альтернативными диэлектриками
- •3.4.5 Влияние полевых оксидов на радиационную стойкость ис
- •3.4.6 Особенности проявления дозовых радиационных эффектов в микросхемах, изготовленных по кни-технологии
- •3.5 Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе моп- и кмоп-структур
- •3.5.1 Корреляция между отдельными транзисторами и микросхемами
- •3.5.2 Наихудший электрический режим
- •3.5.3 Влияние на радиационную стойкость высокотемпературной нагрузки (наработки) перед облучением
- •3.5.4 Выбор источников ионизирующих излучений при проведении радиационных испытаний моп и кмоп ис
- •3.5.5 Процедуры радиационных испытаний, учитывающие влияние факторов низкой интенсивности облучения
- •4 Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект eldrs)
- •4.1 Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных транзисторов
- •4.2 Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных интегральных схем
- •4.3 Физические модели эффектов низкоинтенсивного облучения биполярных приборов и микросхем
- •4.4 Проблема экспериментального моделирования воздействия излучений низкой интенсивности на биполярные изделия
- •4.5 Выводы
- •5 Одиночные события в бис при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
- •5.1 Основные виды и классификация одиночных событий
- •5.1.1 Краткое описание основных видов ос Обратимые одиночные сбои (seu)
- •Одиночные события радиационного защелкивания (sel)
- •Одиночный микродозовый эффект (sehe)
- •Одиночный эффект прерывания функционирования (sefi)
- •Эффект выгорания (seb)
- •Эффект пробоя диэлектрика (segr)
- •Одиночный эффект вторичного пробоя в моп-транзисторах (ses)
- •Одиночные события, связанные с импульсной переходной ионизационной реакцией (set)
- •5.1.2 Основные параметры чувствительности полупроводниковых приборов и микросхем к одиночным событиям
- •5.2 Физические процессы, приводящие к возникновению одиночных событий
- •5.2.1 Общее описание процессов возникновения одиночных событий
- •5.2.2 Образование носителей заряда (ионизация)
- •5.2.3 Рекомбинация неравновесных носителей заряда
- •5.2.4 Перенос неравновесных носителей
- •5.2.5 Сбор заряда
- •5.3 Экспериментальные методы исследования чувствительности изделий полупроводниковой электроники к одиночным событиям при воздействии тяжелых заряженных частиц и протонов
- •5.3.1 Эксперименты на ускорителях протонов
- •5.3.2 Эксперименты на ускорителях ионов
- •5.3.3 Эксперименты с изотопными источниками
- •5.3.4 Эксперименты с использованием ионных микропучков
- •5.3.5 Эксперименты с использованием имитаторов
- •Литература
Ионизация при облучении гамма-квантами
Гамма-кванты производят ионизацию во всех твердых телах, что является наиболее важным эффектом этого типа излучения. Гамма-кванты взаимодействуют с материалом посредством трех различных процессов: фотоэлектрического эффекта, эффекта Комптона и образования электронно-позитронных пар [2, 3, 13]. Данные процессы проиллюстрированы на рис. 1.13. Основным результатом для каждого из этих эффектов является образование энергичных вторичных электронов.
а
б
в
Рис. 1.13. Схематическое изображение процессов, через которые осуществляется взаимодействие фотонов с материалом [13]: a — фотоэлектрический эффект; б — эффект Комптона; в —образование пар
Низкоэнергетические фотоны взаимодействуют с материалом преимущественно через фотоэлектрический эффект (см. рис. 1.13, а). В этом процессе падающий фотон возбуждает электрон, находящийся на внутренней оболочке атома мишени, до состояния с энергией, достаточно высокой для того, чтобы он покинул атом. Падающий фотон полностью поглощается. Таким образом, фотоэлектрический эффект создает свободные электроны (фотоэлектроны) и ионизированные атомы. В дополнение к этому, поскольку испускается фотоэлектрон, электрон на внешней орбите атома «падает» на место, освобожденное фотоэлектроном, в результате чего испускается низкоэнергетический фотон. В общем случае низкоэнергетический фотон не обладает энергией, достаточной для образования дополнительной электронно-дырочной пары, но в зависимости от энергии падающего фотона испускаемый электрон может генерировать многочисленные дополнительные электронно-дырочные пары.
Рис. 1.14. Области преобладания фотоэффекта, эффекта Комптона и образования пар в зависимости от энергии фотонов и заряда ядра атома мишени
При облучении материалов высокоэнергетическими фотонами доминируют процессы Комптоновского рассеяния. Эти процессы проиллюстрированы на рис. 1.13, б. Здесь при взаимодействии фотона с атомом часть его энергии передается электрону атома мишени, в результате чего энергия электрона становится достаточной для того, чтобы он покинул атом мишени. В результате Комптоновского рассеяния образуется фотон с меньшей энергией, который может взаимодействовать с другими атомами мишени. Он также может создать свободный электрон и ионизированный атом.
Образование электронно-позитронных пар имеет место только для очень высокоэнергетических фотонов (E > 3 МэВ). Этот процесс показан на рис. 1.13, в. При образовании пар падающий фотон сталкивается с атомом мишени, образуя электронно-позитронную пару. Позитрон имеет те же свойства, что и электрон (заряд и масса), за исключением того, что его заряд положительный. При образовании пары падающий фотон полностью уничтожается (аннигилирует).
Области энергий фотонов, при которых в зависимости от атомного номера мишени преобладает тот или иной процесс из рассмотренных выше, показаны на рис. 1.14 [13]. Здесь сплошные линии соответствуют равной вероятности возникновения различных эффектов. Из рис. 1.14 видно, что для кремния рентгеновские лучи, испускаемые низкоэнергетическим рентгеновским источником (типичное значение энергии кванта составляет 10 кэВ), будут преимущественно взаимодействовать посредством фотоэффекта, в то время как высокоэнергетическое (1,25 МэВ) гамма-излучение от источника 60Co будет главным образом приводить к комптоновскому рассеянию.
