- •1. Вах полупроводникового диода. Электронные процессы в p-n переходе.
- •2. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметра. Статический вах транзистора с об и оэ.
- •3. Принцип действия полевого транзистора. Вах полевого транзистора с указанием
- •4. Статические режимы работы каскадов a,b,c,d. Усилительные каскады с об, оэ, ок.
- •5. Фчх, aчх, передаточная и амплитудная характенристики усилителей.
- •7. Генраторы син-х колебаний
- •Генератор синусоидальных колебаний.
- •Стабилизация амплитуды колебаний
- •8.Усилители мощности синусоидальных сигналов.
- •9. Статические режимы работы транзисторного ключа
- •3. Включение транзисторного ключа
- •4. Выключение транзисторного ключа
- •10. Тип сх на операц усилителях
- •11. Релаксационные генераторы
- •12. Силовые ключи
- •13. Аналоговые и ключевые стабилизаторы напряжения.
12. Силовые ключи
Современные силовые ключидолжны обладать малыми потерями при коммутации, высоким быстродействием, малым потреблением в цепи управления, большой коммутационный ток, высокое рабочее напряжение. Для коммутаций больших токов и напряжений используюттиристоры.
Тиристор-относится к 4-х слойным приборам. Они могут работать как в схеме с одной полярностью, так и разной полярности (симисторы). Тиристоры делятся : диодные: динистр, триодный тиристр: тринистр.
Тиристор: есть управляющий вывод из баз эквивал транзисторов.
Имеет место семейство характ-к, зависит от тока упр-я.
Тиристор- динистр с управляющим напряжением включения. После того как на тиристр перейдет в откр состояние, управляющий электрод теряет свои св-ва и потом выключить тиристор через упр-й электрод нельзя.Комплиментарные КМОП- транзисторные ключи.
В схеме используется 2 полевых транзистора с изолир. затвором но по провод имеют разный знак.
Если входной сигнал=0<Uзо то 1-й транзистор будет закрыт, а 2 будет полностью открыт. Конденсатор зарядится через 2-й транзистор.
Если на входе 1 то 1-й транзистор открывается, а 2-й закрывается, и разряжает емкость. Преимущество: Транзисторные ключи на полевых транзисторах имеют высокое вх сопротивление, управляются не током, а напряжением.Недостаток: Сопротивление канала больше чем у нас биполярных транз-в, след-но потери больше.БТИЗ
Выполнены как сочетание полевого входного транзистора и выходного биполярного. БлагодаряR2 биполярный транзистор закрыт и не оказывает влиянии на полевой.ВАХ:
13. Аналоговые и ключевые стабилизаторы напряжения.
Ксн относятся к электронным силовым устройствам, тк организует напряжение питания цифровой и аналоговой техники. При питании чувствительных устройств требуется высокая стабильность напряжения; пульсация порядка 5% в цифр, 10-100-ни доли % в аналоговой.
Ксн непрерывного типа
Вых напряжение снимается с регулирующего элемента. Т.к. вых сигнал имеет отклонение, то задача стаб-ра заключается в обеспечении наименьшего уровня пульсации. Коэф передачи датчика определяется коэф передачи рез дел-ля.
Кст=Uвх/Uвых –коэф характеризует фильтрующие св-ва
Кст=(1+КдКуКур)/Кпвх
Кпвх – коэф передачи изм-я Uвх напрямую.
Кст тем больше, чем больше Ку усил-ля
Т.к. уровень пульсации на вых ксн меньше чем на вх, то можно сказать, что ксн представляет собой сглаживающий конденсатор большой емк-ти.
Ключевой стаб-р напр-я
Повышение кпд осущ-ся за счет перевода рег-го транз-ра в ключевой режим работы.
Операционный усилитель переведен в режим компаратора (DA1). На вых компаратора либо +/- Еп (нет промежуточных значений).
Вел-на пульсации будет опр-ся вел-й емк-ти, инд-ти и током нагр-ки.
Диод и инд-ть исп-ся для обеспечения непрерывного тока в нагрузке.
Наличие большого уровня радиоизлучения требует экранизации. Если сх.,питаемые от этого ксн, не чувствит. К помехам, то экран не треб-ся. Ксн этого типа применяют в цифр. Устр-х автоматики из-за выс кпд и стаб-ти.
Силовые ключи на тиристорах, бипол и пол транзисторах и БТИЗ.
Тиристоры
низк быстрод. Низк помехоуст. Возм-ти сраб-я из-за высокой скорости нарастания напр-я
+ высокие UиI; низкие потери в акт сост-и; выс Кусил по мощ-ти
Бипол
Большая рассеиваемая мощ-ть в акт сост-и (но меньше, чем пол); ограничение тока до 200 А; быстрод-е выше, чем у тиристоров
Пол
Ток< чем бипол; выс напр-е открытого сост-я; выс частота переключений; Ку по мощ-ти > тир; отсутствие эф-та коммутации тока =>более уст-вы к перегреву.
БТИЗ
Т.к. в основе 2 бипол тр-ра разной проводимости, то удалось снизить напряжение насыщения => снизилась рассеиваемая мощ-ть; Ку по мощ-ти большой(т.к. на вх пол транз-р); част св-ва выше бипол, но ниже пол