- •1. Вах полупроводникового диода. Электронные процессы в p-n переходе.
- •2. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметра. Статический вах транзистора с об и оэ.
- •3. Принцип действия полевого транзистора. Вах полевого транзистора с указанием
- •4. Статические режимы работы каскадов a,b,c,d. Усилительные каскады с об, оэ, ок.
- •5. Фчх, aчх, передаточная и амплитудная характенристики усилителей.
- •7. Генраторы син-х колебаний
- •Генератор синусоидальных колебаний.
- •Стабилизация амплитуды колебаний
- •8.Усилители мощности синусоидальных сигналов.
- •9. Статические режимы работы транзисторного ключа
- •3. Включение транзисторного ключа
- •4. Выключение транзисторного ключа
- •10. Тип сх на операц усилителях
- •11. Релаксационные генераторы
- •12. Силовые ключи
- •13. Аналоговые и ключевые стабилизаторы напряжения.
4. Выключение транзисторного ключа
Когда в момент времени t3происходит переключение входного напряжения сUб+наUб-(см. рис. 7.3), начинается процесс выключения транзисторного ключа. При переключении входного напряжения ток базы меняет направление и становится равным
![]()
Стадия рассасывания.В результате изменения направления базового тока начинается процесс рассасывания неосновных носителей. Несмотря на уменьшение заряда, транзистор некоторое время находится в режиме насыщения и коллекторный ток остается равнымIк насВ момент времениt4(см. рис. 7.5) концентрация неосновных носителей около коллекторного перехода уменьшается до нуля и на коллекторном переходе восстанавливается обратное напряжение.
Таким образом, интервал времени tрас=t4–t3определяет задержку среза импульса коллекторного тока. Времяtрас, которое называетсявременем рассасывания,можно определить из уравнения (7.6), положив
![]()

Переходя от изображения к оригиналу, получим
![]()
Этап рассасывания заканчивается, когда транзистор входит в активный режим, и если положить, что в момент времени t4 объемный зарядq(t4) =tнасIк нас/h21э, то получим
(7.12)
Иногда зарядом q(t4) пренебрегают, и формула для расчета времени рассасывания принимает вид

Стадия формирования спада.В дальнейшем начинается уменьшение базового и коллекторного токов, что сопровождается увеличением напряженияuкэи формируется спад вершины импульса коллекторного тока. Процессы, протекающие в транзисторном ключе в этой стадии, довольно сложны, и количественная оценка длительности спада зависит от того, какие факторы превалируют. Принимая во внимание, что в момент окончания стадии спадаq(t5) = 0, получаем
(7.13)
Данная формула получена при довольно
грубом приближении, поскольку в
действительности ток базы не остается
постоянным и нельзя пренебрегать
токами зарядки и емкости нагрузки
транзисторного ключа. Когда определяющим
является процесс зарядки этих
емкостей, то длительность спада
рассчитывается по формуле
![]()
10. Тип сх на операц усилителях
Т
ермин
ОУ появился с разработкой УПТ, котор
имели 2 входа и один выход. Эти усилители
испоьзовались для выполнения различных
операций над аналог-ми сигнаами: алгебр
сложение, вычитание, умножение на постоян
коэф-т, умножение и деление 2-х аналог
сигналов, операции интегрир-я, дефер-я,
сравнения. С появлением интегральных
ОУ открылись большие возм-ти обр-ки
информ-ии. Типовые схемы: инвертирующий
усилитель, неинвертир-й усилитель,
инвертир-й сумматор, интегратор,
дифференцатор, логич-й усилительный
каскад, перемножитель.


Инвертир ус-ль: входной сигнал подается на инвертир-й вход черезR1, в эту же точку инв входа поступает сигнал ООС. При этом γ=R1/R2. Для идеального ОУ: Ку->∞,Rвх->∞,Rвых->0,Kинв= -R2/R1.
Неинвертир усилит-ль:сигнал подается на прямой вход. Действует ООС по напряжению. Кнеинв=1+(R1/R2)
Инвертир сумматор: в основе инвертирующий усилитель с числом параллельных ветвей на входе равный кол-ву суммируемых напряжений. В идеальн ОУ:Ioc=I1+I2. При этомUo=0;
Iвх=0; Ку=-1. ЕслиR1=R2=Rос, тоUвых= -(Uвх1+Uвх2), если не равны, то
Uвых=-![]()
