Источники переменного тока

Источники переменного тока в EWB приведены ниже:

Источник переменного напряжения (от V до kV) с возможностью указания частоты и фазового угла.

Источник переменного тока, у которого пользова- тель может указать любую величину тока (от µА до кА), а также частоту и фазовый угол.

Генератор прямоугольных импульсов с возможно-

_{стью регулировок амплитуды, частоты импульсов.}

Пассивные элементы

Резисторы

Сложно представить любое изделие электронной техники без ре- зисторов. В EWB резисторы представлены тремя вариантами: постоян- ный, подстроечный и набором из восьми резисторов.

На рис. 1.11 показано диалоговое окно установки параметров под-

строечного резистора. В закладке Label устанавливается позиционное обозначение R; в закладке Value – номинальное значение, разбаланс

«плеч» (зона «Setting») и шаг установки изменения значения номинала

(клавишей <R>).

_{Рис. 1.11. Диалоговое окно задания параметров резистора}

Конденсаторы

Аналогично резисторам конденсаторы также широко распростране-

ны в электронной технике. В EWB конденсаторы представлены тремя ти-

_пами:

_{постоянные (охватывают практически все конденсаторы), электро-}

литические, подстроечные. Значение емкости для всех типов может быть установлено от 10^-8 пФ до 10⁸ Ф. Емкость подстроечного конденсатора может меняться нажатием клавиши <С> с заданным шагом (от 1 до 100%). Диалоговое окно задания параметров конденсаторов приведен на рис. 1.12.

Рис. 1.12. Диалоговое окно задания параметров для подстроечного конден-

сатора

Индуктивные элементы

К индуктивным элементам относятся катушка индуктивности,

подстраиваемая катушка индуктивности и трансформатор.

Параметры катушек индуктивности и подстраиваемой индуктивно-

сти задаются с помощью диалоговых окон, аналогичных окнам для рези-

сторов и конденсаторов (используется клавиша <L>). В диалоговом окне установки параметров линейных трансформаторов задаются (рис. 1.13) коэффициент трансформации N, индуктивность рассеивания LE, индук- тивность первичной обмотки LM, сопротивление первичной RP и вто- ричной RS обмоток.

Рис. 1.13. Диалоговое окно редактирования параметров трансформатора

Доступ к окну задания параметров трансформатора становится возможным после нажатия на кнопку Edit диалогового окна Transformer Properies.

При N>1 трансформатор является понижающим, в противном слу-

_{чае – повышающим.}

_{Полупроводниковые диоды}

Комбинация двух полупроводниковых слоев с разным типом про- водимости обладает выпрямляющими свойствами: она гораздо лучше пропускает ток в одном направлении, чем в другом.

Глава 2. Исследование вах полупроводниковых приборов

§1. Исследование вах диодов и стабилитронов

Для снятия вольт-амперных характеристик (ВАХ) нелинейных полупроводниковых элементов, в том числе диодов и стабилитронов, в EWB можно использовать либо источник тока, либо источник ЭДС.

Схема, позволяющая снять ВАХ диода 1N4001 и построенная на основе источника ЭДС, приведена на рис. 1.14.

Рис. 1.14

Изменяя ЭДС источника либо ограничительное сопротивление по данной схеме можно снять ВАХ диода U(I) по показаниям амперметра и вольтметра (табл. 1.1). Приборы настраиваются на измерение постоян- ного тока (DC – direct current – постоянный ток).

Схема, позволяющая снять ВАХ диода 1N4001 и построенная на основе источника тока, приведена на рис. 1.15. Достоинством этой схе-

мы является простота.

Рис. 1.15

ВАХ диода, снятые по схемам, приведённым на рис. 1.1 и 1.2,

идентичны и приведены в табл. 1.1.

_{Таблица 1.1}

U,В	0	0.5863	0.6281	0.6461	0.6746	0.6879	0.706	0.7244
I, мА	0	0.1	0.5	1	3	5	10	20

ВАХ, приведённую в табл. 1.1, можно построить в программе Ex-

cel (рис. 1.16).

Рис. 1.16

Аналогично можно снимать ВАХ стабилитронов и других элек-

_{тронных приборов-двухполюсников.}