- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
- •3 Перейти к метке dest, если регистр r5 содержит отрицательное число.
- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
- •3 Подсчитать количество элементов, равных ff, в байтовом массиве внутренней памяти, адрес начала которого содержится в r1.
- •2015/2016 Учебный год
- •3 Подсчитать количество элементов, равных ffff, в массиве двухбайтовых чисел внутренней памяти, адрес начала которого содержится в r0.
- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
- •3 Переслать 5 байт из внешней памяти данных во внутреннюю. Начальный адрес 1-го байта - 0000н, переслать надо в область, начиная с адреса 20н.
- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
- •3 Перейти к метке dest, если разряды 4, 5, 6 порта p2 равны 510 (1012).
- •2015/2016 Учебный год
- •3. Установить разряды 2, 3, 4 порта р0 равными 610 (1102) с сохранением содержимого остальных разрядов. Данные находятся в а.
- •2015/2016 Учебный год
- •3. Увеличить содержимое регистров r4, r5 (16-ти разрядное число) на 3 (с проверкой возможного переполнения младшего разряда 16-ти разрядного числа).
- •2015/2016 Учебный год
- •3. Сравнить поразрядно содержимое а и величины val и установить в 1, несовпадающие разряды прочие оставить без изменения.
- •2015/2016 Учебный год
- •3. Инвертировать разряды 3, 5, 7 аккумулятора.
- •2015/2016 Учебный год
- •3 Сдвинуть вправо 16 - ти разрядное число на 1 разряд.
- •2015/2016 Учебный год
- •3. Заполнить числом, содержащимся в регистре r3 область внешней памяти с начальным адресом addr1 и количеством элементов, содержащихся в r4.
- •2015/2016 Учебный год
- •3. Переписать все байты массива чисел во внешней памяти с начальным адресом addr1 и количеством элементов, содержащихся в r5 в другую область внешней памяти с начальным адресом addr2.
- •2015/2016 Учебный год
- •2015/2016 Учебный год
3 Перейти к метке dest, если разряды 4, 5, 6 порта p2 равны 510 (1012).
Зав. каф. ВТ-10 Сахаров Ю.С.
2015/2016 Учебный год
Минобрнауки РФ Кафедра ВТ-10
ИВТ МГУПИ Дисциплина: Основы микропроцессорной техники
Билет 18
1. Группы команд ОЭВМ семейства MCS-51, их краткая характеристика.
2. Cхемный принцип управления МП.
3. Установить разряды 2, 3, 4 порта р0 равными 610 (1102) с сохранением содержимого остальных разрядов. Данные находятся в а.
Зав. каф. ВТ-10 Сахаров Ю.С.
2015/2016 Учебный год
Минобрнауки РФ Кафедра ВТ-10
ИВТ МГУПИ Дисциплина: Основы микропроцессорной техники
Билет 19
1. Система команд ОЭВМ. Группы команд.
2. Средства диагностики МПС.
3. Увеличить содержимое регистров r4, r5 (16-ти разрядное число) на 3 (с проверкой возможного переполнения младшего разряда 16-ти разрядного числа).
Зав. каф. ВТ-10 Сахаров Ю.С.
2015/2016 Учебный год
Минобрнауки РФ Кафедра ВТ-10
ИВТ МГУПИ Дисциплина: Основы микропроцессорной техники
Билет 20
1. Распределение ресурсов при составлении программы. Оценка времени выполнения программы.
2. . Основные составляющие внутренней структуры ОЭВМ семейства MCS-51.
3. Сравнить поразрядно содержимое а и величины val и установить в 1, несовпадающие разряды прочие оставить без изменения.
Зав. каф. ВТ-10 Сахаров Ю.С.
2015/2016 Учебный год
Минобрнауки РФ Кафедра ВТ-10
ИВТ МГУПИ Дисциплина: Основы микропроцессорной техники
Билет 21
1. Средства диагностики МПС.
2. ОЭВМ семейства MCS-51. Организация ввода / вывода. Назначение портов ОЭВМ в различных конфигурациях системы.
3. Инвертировать разряды 3, 5, 7 аккумулятора.
иЗав. каф. ВТ-10 Сахаров Ю.С.
2015/2016 Учебный год
Минобрнауки РФ Кафедра ВТ-10
ИВТ МГУПИ Дисциплина: Основы микропроцессорной техники
Билет 22
1. Однокристальные микро-ЭВМ (ОЭВМ) - новые изделия МП техники. Особенности, основные характеристики, основные семейства на настоящее время.
2. Языки программирования МПС. Иерархия уровней.
