- •Конспект лекций
- •«Физика полупроводниковых приборов ч.2» введение
- •1. Полевые транзисторы
- •1.1. Мопт с короткими и узкими каналами
- •1.1.1. Подпороговые токи
- •1.1.2. Уменьшение порогового напряжения
- •1.2. Мопт структуры
- •1.2.1. Мопт как усилитель мощности
- •1.2.2. Мощный мопт как ключевой элемент
- •1.2.3. Влияние температуры на параметры и характеристики мопт
- •1.3. Мощные свч мопт
- •1.3.1. Эквивалентные схемы мощного свч мопт в режиме малого и большого сигналов
- •1.3.2. Общий подход к выбору конструкции и проектированию топологии структуры мощного кремниевого свч моп-транзистора
- •1.4. Полевые транзисторы с затвором Шотки
- •1.4.1.Устройство и принцип действия
- •1.4.2. Пороговое напряжение
- •1.4.3. Сравнительные характеристики пт с управляющим
- •2. Мощные биполярные транзисторы
- •2.1.Свойства полупроводников с высокими концентрациями носителей заряда.
- •2.1.1 Амбиполярные подвижности и коэффициент диффузии
- •2.1.2. Время жизни носителей при высоком уровне инжекции
- •2.1.3. Уменьшение ширины запрещенной зоны в кремнии при высоких концентрациях носителей
- •2.2. Лавинный пробой электронно-дырочного перехода
- •2.2.1. Пробой планарного электронно-дырочного перехода
- •2.2.2. Методы повышения напряжения лавинного пробоя
- •2.2.3. Полевая обкладка и эквипотенциальное кольцо
- •2.2.4. Резистивная полевая обкладка
- •2.2.5. Диффузионное охранное и полевое ограничительное кольца
- •2.3 Мощные биполярные транзисторы
- •2.3.1. Структуры мощных транзисторов
- •2.3.2. Влияние высокого уровня легирования на коэффициент усиления по току
- •2.3.3. Расширение базы при высоких плотностях тока
- •2.3.4. Методы увеличения коэффициента усиления по току
- •2.3.5 Частотные свойства мощных транзисторов
- •2.3.6 Тепловые свойства транзистора
- •3.1. Туннельный и обращенный диоды
- •3.1.1. Принцип действия и вах туннельного диода
- •3.1.2. Зависимости тока туннельного диода от температуры
- •3.1.3. Частотные свойства туннельных диодов
- •3.1.4. Обращенные диоды
- •3.2. Параметрический диод (варикап)
- •3.2.1. Структура и принцип действия
- •3.2.2. Основные параметры
- •3.2.3. Частотные свойства
- •3.3. Приборы на пролетных эффектах
- •3.3.1. Общие сведения
- •3.3.2. Лавинно-пролетный диод
- •3.3.3. Инжекционно-пролетные диоды
- •3.4. Диод Шоттки
- •3.4.1. Общие сведения
- •3.4.2. Вольт-амперная характеристика диода Шоттки
- •3.4.3. Области применения диодов Шоттки
- •3.4.4. Ток неосновных носителей в диоде Шоттки
- •3.4.5. Частотные ограничения диода Шоттки
- •3.4.6. Сравнительный анализ диода Шоттки и диода на p-n-переходе
- •4. Тиристоры
- •4.1. Физика работы тиристоров
- •4.1.1. Диодные тиристоры
- •4.1.2. Структура и принцип действия
- •4.1.3. Закрытое состояние
- •4.1.4. Условие переключения тиристора
- •4.1.5. Открытое состояние
- •4.1.6. Диодный тиристор с зашунтированным эмиттерным переходом
- •4.2. Разновидности тиристоров
- •4.2.1. Триодные тиристоры
- •4.2.2. Тиристоры, проводящие в обратном направлении
- •4.2.3. Симметричные тиристоры
- •4.3. Способы управления тиристорами
- •4.3.1. Включение тиристоров
- •4.3.2. Выключение тиристоров
- •4.4. Параметры и характеристики
- •5. Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния
- •. Успехи освоения карбидкремниевой технологии
- •5.2.1. Вольтамперные характеристики при малых плотностях тока
- •5.2.2. Модуляция базы при высоких уровнях инжекции
- •5.2.3. Время жизни ннз: включение диодов и спад послеинжекционной эдс
- •5.2.4. Время жизни ннз: восстановление блокирующей способности диодов после их переключения из проводящего состояния в блокирующее
- •5.2.5. Моделирование статических и переходных характеристик диодов
- •5.2.6. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой
- •5.2.7. Вах при высоких плотностях прямого тока: влияние электронно-дырочного рассеяния
- •5.3. Биполярные транзисторы (бпт)
- •5.3.1. Коэффициент усиления
- •5.3.2. Динамические характеристики
- •Тиристоры
- •5.4.1 Включение по управляющему электроду
- •5.4.2. Включение импульсами ультрафиолетового лазера
- •5.4.3. О критическом заряде включения SiC-тиристоров
- •5.4.4. Выключение импульсным обратным током управляющего перехода
- •Заключение
4.2. Разновидности тиристоров
4.2.1. Триодные тиристоры
Триодный тиристор (тринистор) – это тиристор, имеющий два основных и один управляющий вывод.
Для переключения триодного тиристора из закрытого состояния в открытое также необходимо накопление неравновесных носителей заряда в базовых областях. В диодном тиристоре при увеличении напряжения на нем до напряжения включения это накопление неравновесных носителей заряда происходит обычно либо из-за увеличения уровня инжекции через эмиттерные переходы, либо из-за ударной ионизации в коллекторном переходе. В триодном тиристоре, имеющем управляющий вывод одной из базовых областей с омическим переходом между управляющим электродом и базой (рисунок 4.5, а), уровень инжекции через прилегающий к этой базе эмиттерный переход можно увеличить путем подачи положительного по отношению к катоду напряжения на управляющий электрод. Поэтому триодный тиристор можно переключить из закрытого состояния в открытое на необходимый момент времени, даже при небольшом анодном напряжении (рисунок 4,6, в).
Рискнок 4.5 - Схематическое изображение структур триодных тиристоров с омическим переходом между управляющим электродом и базой (а), с дополнительнымp-n-переходом под управляющим электродом (б) и ВАХ триодного тиристора при различных токахчерез управляющий электрод (в)
Переключение триодного тиристора с помощью подачи прямого напряжения на управляющий электрод или тока через этот электрод можно представить с другой точки зрения как перевод транзисторной n-p-n-структуры в режим насыщения при большом токе базы. При этом коллекторный переход транзисторной структуры (он же и коллекторный переход тиристора) смещается в прямом направлении.
Баланс токов в триодном тиристоре можно записать по аналогии с (4.1), но с учетом = того, что через левый эмиттерный переход (рисунок 4.5, а) проходит сумма токов основного и управляющего:
(4.6)
Или
(4.7)
Таким образом, уравнение ВАХ триодного тиристора в закрытом состоянии:
(4.8)
где а анодный токзависит от управляющего тока(рисунок 4.5,в).
Условие переключения триодного тиристора из закрытого состояния в открытое можно получить аналогично условию переключения диодного тиристора (см. 4.1). т.е. после дифференцирования и преобразования получим
(4.9)
В условии переключения триодного тиристора (4.9) дифференциальной коэффициент передачи тока эмиттера одномерной теоретической модели первой транзисторной структуры зависит от напряжения на коллекторном переходе, а также от основного и управляющего токов. Аналогичный коэффициент второй транзисторной структурызависит только от напряжения на коллекторе и от основного тока.
Из формулы (4.9) видно, напряжение включения триодного тиристора зависит от управляющего тока. Формула может быть справедлива при меньших напряжениях на аноде тиристора, если через управляющий электрод будут проходить большие значения управляющего тока в прямом направлении. Кроме того, из условия (4.9) можно сделать вывод о целесообразности осуществления управляющего вывода от тонкой базы триодного тиристора, так как управлять коэффициентом передачи тока эмиттера транзисторной структуры с тонкой базой значительно легче, чем с толстой базой.
В открытом состоянии через тиристор проходит большой анодный ток, поэтому управляющий ток практически не оказывает влияния на участок ВАХ, соответствующий открытому состоянию триодного тиристора.
Управляющий электрод может быть сделан не только с омическим переходом между электродом и базовой областью, но и с дополнительным p-n-переходом (рисунок 4.5, б). При определенной полярности напряжения на управляющем электроде относительно катодом дополнительный переход окажется смещенным в прямом направлении, через него будет проходить инжекция неосновных носителей заряда (для прилегающей базы) с последующим накоплением в другой базовой области. Такой процесс может привести к переключению триодного тиристора в открытое состояние.
Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с n-областью, ближайшей к катоду, и который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий электрод отрицательного по отношению к катоду сигнала, называют тиристором с инжектирующим управляющим электродом n-типа.
Триодный тиристор, структура которого представлена на рисунке 4.5, б, можно рассматривать также как два диодных тиристора, имеющих общие анод, одну эмиттерную и обе базовые области. Структура основного тиристора выполнена с зашунтированным эмиттерным переходом. Поэтому напряжение включения основного тиристора больше, чем управляющего. При подаче отрицательного потенциала на управляющий электрод, т.е. на катод управляющего тиристора, можно переключить его из закрытого состояния в открытое. А так как обе структуры имеют общие области, то при переключении управляющего тиристора основной тиристор также окажется в открытом состоянии.