
- •Авторегуляторы, назначение, функциональные схемы.
- •Система регулирования давления.
- •Динамические свойства ор.
- •Классификация автоматических регуляторов.
- •Исполнительный механизм типа пр.
- •П ропорциональный закон регулирования. П – регулятор.
- •Дифференциальный закон регулирования.
- •Интегральный закон регулирования.
- •Дроссельные регулирующие органы.
- •Исполнительные механизмы.
- •Электромагнитные.
- •Многооборотные им.
- •Однооборотные мэо-4/25. Импульсные п-регуляторы с им постоянной скорости.
- •Импульсный пи – регулятор с им постоянной скорости.
- •Пропорциональный регулятор брт-м.
- •Регулятор температуры тэ2пм.
- •Регулирующий приборР25.
- •Методы и средства измерения температур в диапазоне
- •Термоэлектрические преобразователи. Принцип действия. Конструкция.
- •Компенсация температуры холодного спая с помощью полупроводникового датчика температуры.
- •Преобразователь измерительный ш-72.
- •Диодно-функциональный преобразователь.
- •Термометры сопротивления.
- •Полупроводниковые терморезисторы (термисторы).
- •Преобразователь сопротивление – напряжение.
- •Термодиоды, терморезисторы.
- •Преобразователь температура – частота.
- •Тензорезисторы.
- •Конструкция тензорезистора.
- •Измерительные цепи тензорезисторов.
- •Параметры тензорезисторов.
- •Измерительный преобразователь ш –74.
- •Пьезоэлектрические преобразователи. Физические основы. Область применения.
- •Пьезорезонансные преобразователи.
- •Методы управления пьезорезонансными датчиками.
- •Управление комплексным сопротивлением z или проводимостью.
- •Схемы включения пьезорезонаторов в измерительных преобразователях.
- •Гальваномагнитные преобразователи Холла.
- •Магниторезистивные преобразователи.
- •Диск Корбина.
Полупроводниковые терморезисторы (термисторы).
Изготавливаются из окислов меди, кобальта, магния, марганца и т.д. Заготовка размельчается, размалывается и испекается в виде столбика, шайбы или шарика и заливается стеклом.
Термисторы
отличаются от металлических термометров
сопротивления гораздо меньшими габаритами
и гораздо большими значениями ТКС.
Причем, ТКС полупроводниковых
терморезисторов, как правило, отрицателен
и уменьшается обратно пропорционально
квадрату температуры
.
Температурная зависимость сопротивления такого термометра описывается:
Rt=1÷200кОм
=-200÷600°C
А – постоянная, зависящая от материала и технологии, а также от формы термистора.
В – ТКС.
КМТ; СТ3-21; СТ3-14.
Недостатком полупроводниковых термисторов является нелинейная зависимость сопротивления от температуры и значительный разброс от образца к образцу, что практически исключает взаимозаменяемость без подгонки.
Достоинствами термисторов является высокая температурная чувствительность, маленькие размеры и малая тапловая инерционность.
В качестве характеристик термометра можно назвать:
Номинальное сопротивление – сопротивление термометра при t=20°С или t=25°С.
Коэффициент температурной чувствительности (В).
Rt1=A·
Rt2=A·
, тогда
ТКС=
ТКС=
=(0,3÷20)%/°С
Коэффициент рассеяния = электрической мощности, которую надо выделить в термисторе, чтобы его нагреть на 1°С.
Обычно H=(0,01÷36)мВт/°С
Статическая ВАХ
Линейность характеристик при малых тока объясняется тем, что выделяемая в термометре мощность является недостаточной для существенного изменения его температуры. При увеличении измерительного тока происходит разогрев термистора и падение его сопротивления и, следовательно, увеличение тока.
Коэффициент энергетической чувствительности = мощности, которую надо подвести подвести к термистору для уменьшения его сопротивления на 1%.
Постоянная времени (0,1-140)сек.
Преобразователь сопротивление – напряжение.
Для получения линейной зависимости напряжения от сопротивления преобразователя сопротивление – напряжение резистивный датчик запитывается от источника тока. Если резистивный датчик удален от источника тока или усилителя, то для устранения влияния соединительных проводов используются мостовые схемы, в которых частично или полностью устраняется (компенсируется) влияние сопротивления соединительных проводов, а также начальное сопротивление датчика.
Преобразователь, включенный с датчиком в цепь ООС.
U+=
U+=U-
Rx=Ro·(1+α·t)=Ro+ΔR
Rп<<R Ro=R
Преобразователь, включенный с датчиком в цепь ОС с источником тока.
Пренебрегаем:
Rп – последовательно с ИТ
Rп2 – последовательно с Rвх ОУ
Rп4=Rп4/к
Rп3 – перед повторителем
Uвых=Iоп·Rх+Еоп
Еоп=I·Ro
Uвых=-I·Ro·α·t°C
С датчиком, включенным в плечо моста.
,
значит
Т.к. R1=R3=R4=R
R2=R+ΔR
то
С датчиком, включенным в плечо моста, но с ИТ.
R2=R+ΔR
=>
R1=R3=R4=R
ΔR=R·α·t°C => Uвых=Iоп·(R5+Rп4)·α·t°C
Для устранения влияния емкости проводов можно использовать мостовую схему с короткозамкнутой выходной диагональю (так называемый
квазиуравновешенный мост). В этой схеме потенциал т. А поддерживается равным 0 с помощью ОУ1, а потенциал т. Б поддерживается равным 0 за счет ООС ОУ2. Поскольку напряжение в измерительной диагонали примерно равно 0, то и влияние емкостей, подходящих к измерительной диагонали, будет несущественным. Сопротивления Rп2 и Rп5 не оказывают влияния, т.к. они включены последовательно с высокоомным входом ОУ1.
Rпз включено последовательно с выходом ОУ1 и охвачено ООС поэтому не оказывает существенного влияния.
Д) С линеаризованной характеристикой.
R1 = R2 = R3 =R
Rx
= R+
R
Условие
линейности:
Условие
равновесия моста:
Е) Четырехзажимная схема.
Rг >> Rп.
U1 = U2
Ж) Преобразователь сопротивление-частота.
=
R1*C1