
- •Исходные критерии модели Друде; время релаксации.
- •1.2 Статическая электропроводность металлов и ее зависимость от температуры.
- •1.4 Диэлектрическая проводимость металлов и металлооптика.
- •1.5 Модель свободных электронов Зоммерфельда.
- •Квантование основных параметров твердых тел; зависимость свойств металлов от его макро- и микроскопических характеристик.
- •Уравнение Шредингера для твердых тел; приближение Борна-Оппенгеймера; валентная аппроксимация.
- •2.2, 2.3, 2.4 Модель Кронига-Пенни.
- •2.5 Методы изображения энергетических диаграмм твердых тел: металлы, полупроводники, диэлектрики.
- •2.6 Эффективная масса носителей заряда.
- •2.7 Примитивное и квантовомеханическое понятие «дырки» в зонной теории; металл с дырочной проводимостью.
- •2.8 Анизотропия ширины запрещенной зоны, энергия Ферми, концентрация носителей заряда в идеальных твердых телах.
- •2.9. Решение уравнения Шредингера для нестехиометрических, донорных и акцепторных атомов. Спектр энергетических состояний примесных атомов.
- •2.10 Мелкие и глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне
- •Природа проводимости и диссипации энергии в собственных полупроводниках.
- •3.6. Положение уровня Ферми в n- и p-полупроводниках: решение уравнения и его количественный анализ для частных случаев.
- •3.7. Концентрация основных и неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках: ее зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •3.8. Частично и полностью компенсированные полупроводники: положение уровня Ферми, концентрация носителей заряда.
- •3.9. Законы действующих масс для собственных и примесных полупроводников.
- •Понятие подвижности носителей заряда: общие положения. Дрейфовая скорость движения электронов и дырок.
- •4.2 Зависимость подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля; критическое поля.
- •4.3 Подвижность, обусловленная рассеянием на ионизированных центрах. Её зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •4.4 Подвижность, обусловленная рассеянием на фотонах кристаллической решетки; её зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •4.5 Специфика определения подвижности носителей заряда для полупроводников, содержащих и донорную, и акцепторную примеси одновременно.
2.2, 2.3, 2.4 Модель Кронига-Пенни.
В модели Кронига-Пенни рассматривая движение электрона в линейной цепочке прямоугольных потенциальных ям.
Уравнение
Шредингера:
Решение
для обл. I
(U=0)
1(x)=Aeiαx+Be-iαx
Решение для обл. II (U=U0) 2(x)=Ceβx+De-βx
;
;
A,
B,
C,
D
– постоянные коэффициенты.
1(x)=U(x)eikx
P=mabU0/ℏ2; P – проницаемость барьера (безразмерная величина).
Для
реальных тв. тел P>>1.
1. P→kn;
P>>1,
по kn.
2. P→∞;
Px→(0÷1).
Надо, чтобы x→0,
тогда
разрешены не все Е, а только определенные.
3. P→0;
cos
;
;
разрешены все значения k.
Рис.2.
Зависимость левой части уравнения (1)
от αa. Движение
по оси αa
приводит к образованию 1-ой, 2-ой…
запрещенной зон.
Наблюдается чередование запрещ.
(незаштрих.) и разрешенных(заштрих)
зон. По мере увелич. номера запр. зоны ширина запр. зоны уменьш, а ширина разреш. зоны увел.
P=∞
получаем вертикальные линии (дискретные
значения Е).
Рисунок 3. Зависимость ε(k) для электрона в одномерной решетке.
Энергия растет с ростом волнового вектора.
На
границе зон производная (dE/dK)гр=0.
E(K)
вблизи границ зон явл. квадратичной
функцией волнового вектора К, отсчитанного
от этих границ: E=E0+AK2,
E0-
энергия на границе зоны.
Рисунок 4. Зависимость E(k) в представлении приведенных зон
2.5 Методы изображения энергетических диаграмм твердых тел: металлы, полупроводники, диэлектрики.
Энергетическая диаграмма вещества показывает преобразования энергии в веществе.
Рис. 1 «Энергетические диаграммы металлов(а), полупроводников(б) и диэлектриков(в) при Т=0 К»
Из рисунка видно, что по характеру заполнения зон электронами все тела можно разделить на две большие группы:
к первой группе относят тела, у которых над целиком заполненными зонами расположена зона, заполненная лишь частично (рис. 1, а). Такая зона возникает в том случае, когда атомный уровень, из которого она образуется, заполнен в атоме не полностью. Наличие зоны, заполненной лишь частично, присуще металлам. У металлов запрещенная зона отсутствует;
ко второй группе относят тела, у которых над целиком заполненными зонами расположены свободные зоны (рис. 1. б, в). Типичным примером таких тел являются химические элементы IV группы таблицы Менделеева: углерод в модификации алмаза, кремний, германий и серое олово, имеющее структуру алмаза. К этой же группе тел относятся многие химические соединения – оксиды металлов, нитриды, карбиды, галогениды щелочных металлов и т.д.
2.6 Эффективная масса носителей заряда.
Поле
действует на электрон с силой F=
.
Скорость движения электрона в кристалле
равна групповой:
За время dt сила F совершает работу по перемещению электрона
Дифференцируя
по времени найдем ускорение
Из этой формулы следует, что под действием внешней силы F электрон в периодическом поле кристалла двигается так, как двигался бы под действием этой силы свободный электрон, если бы он обладал массой.
;
-эффективная
масса носителей заряда.
Эффективная масса не является массой в обычном смысле слова.
Рис. 1. Зависимость от волнового вектора энергии элек трона (а), скорости движения (б) и эффективной массы (в).