
- •Исходные критерии модели Друде; время релаксации.
- •1.2 Статическая электропроводность металлов и ее зависимость от температуры.
- •1.4 Диэлектрическая проводимость металлов и металлооптика.
- •1.5 Модель свободных электронов Зоммерфельда.
- •Квантование основных параметров твердых тел; зависимость свойств металлов от его макро- и микроскопических характеристик.
- •Уравнение Шредингера для твердых тел; приближение Борна-Оппенгеймера; валентная аппроксимация.
- •2.2, 2.3, 2.4 Модель Кронига-Пенни.
- •2.5 Методы изображения энергетических диаграмм твердых тел: металлы, полупроводники, диэлектрики.
- •2.6 Эффективная масса носителей заряда.
- •2.7 Примитивное и квантовомеханическое понятие «дырки» в зонной теории; металл с дырочной проводимостью.
- •2.8 Анизотропия ширины запрещенной зоны, энергия Ферми, концентрация носителей заряда в идеальных твердых телах.
- •2.9. Решение уравнения Шредингера для нестехиометрических, донорных и акцепторных атомов. Спектр энергетических состояний примесных атомов.
- •2.10 Мелкие и глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне
- •Природа проводимости и диссипации энергии в собственных полупроводниках.
- •3.6. Положение уровня Ферми в n- и p-полупроводниках: решение уравнения и его количественный анализ для частных случаев.
- •3.7. Концентрация основных и неосновных носителей заряда в примесных полупроводниках: ее зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •3.8. Частично и полностью компенсированные полупроводники: положение уровня Ферми, концентрация носителей заряда.
- •3.9. Законы действующих масс для собственных и примесных полупроводников.
- •Понятие подвижности носителей заряда: общие положения. Дрейфовая скорость движения электронов и дырок.
- •4.2 Зависимость подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля; критическое поля.
- •4.3 Подвижность, обусловленная рассеянием на ионизированных центрах. Её зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •4.4 Подвижность, обусловленная рассеянием на фотонах кристаллической решетки; её зависимость от температуры и концентрации примеси.
- •4.5 Специфика определения подвижности носителей заряда для полупроводников, содержащих и донорную, и акцепторную примеси одновременно.
Исходные критерии модели Друде; время релаксации.
Рис.1 - Элементарная модель металлов Друде . Исходные критерии модели Друде:
1
.
В модели Друде положительно заряженные
ионы окружены электронным газом.
Объёмную концентрацию электронов в металле можно найти по формуле:
,
где
,
где
-
плотность вещества в
граммах, A
- атомный вес вещества, Z – валентность,
берётся максимальная.
2. Между столкновениями не учитывается взаимодействие электронов как друг с другом, так и с заряженными ионами.
Условие независимых электронов – отсутствие взаимодействия электронов друг с другом.
Условие свободных электронов - отсутствие взаимодействия электронов с заряженными ионами.
3. Процесс столкновений электрона с ионом – это процесс, протекающий практически мгновенно по закону соударения упругих шаров. Он не учитывает зарядового состояния сталкивающихся частиц. Процесса столкновения электронов друг с другом не происходит.
4. Акт столкновения электрона с заряженным ионом сопровождается установлением термодинамического равновесия между электроном и ионом. При этом считается, что состояния ионов описываются статистикой Максвелла-Больцмана и не меняются при столкновениях с электронами. В то же время электроны, столкнувшись с ионами, полностью теряют ранее приобретенные характеристики.
5.
Одним из наиважнейших критериев модели
Друде является время релаксации
.
Оно имеет несколько смысловых нагрузок,
т.к. является элементом теории вероятности.
А)
С одной стороны. Время релаксации
можно интерпретировать как среднее
время между двумя актами соударения
рассматриваемого электрона и ионами.
Б)
С другой стороны, это среднее время
пробега электрона, поэтому электрон,
выбранный наугад в данный момент времени,
будет двигаться в течение времени
до
следующего столкновения или уже двигался
до данного момента времени в течение
этого времени.
При
использовании модели Друде для описания
конкретных свойств металлов
предполагают, что величина времени
релаксации
не
зависит от координат электрона в
металле, т.е. его местоположения.
1.2 Статическая электропроводность металлов и ее зависимость от температуры.
Вывод формулы статической электропроводности металлов.
Величиной,
связывающей внешнее воздействие -
электрическое поле
с
реакцией на это воздействие - электрическим
током
,
является электропроводность металла
:
,
где
-
величина удельной электропроводности
является величиной, обратной удельному
сопротивлению металла
:
.
Через удельные величины можно перейти
всегда к сопротивлению образца:
,
где I
– длина образца, S
– площадь поперечного сечения.
Соотношение выполняется только для небольших плотностей тока, т.е. когда электропроводность не зависит от напряженности электрического тока, т.к. случай больших плотностей тока и соответствующих этому нелинейных эффектов модель Друде не рассматривает.
-
плотность
тока в проводнике, где e
– заряд электрона, n0
- концентрация электронов в единице
объема, ;
-средняя
скорость движения электронов.
При E=0, тогда =0 и =0.
При
,
тогда средняя скорость электронов уже
будет отлична от нуля, т.е. в образце
потечет ток.
Т.к.
,
то можно получить
,
откуда
- суммарная скорость электрона с учетом
его начальной скорости. Усреднённый
результат с учётом, что первый член
уравнения равен нулю вследствие
броуновского движения имеет вид:
Подставив
полученный результат в
,
получим:
,
из которого найдём статическую
электропроводность металлов в
соответствии с моделью Друде в статических
полях:
.
Температурная зависимость удельного сопротивления.
Т.к.
,
тогда
температурно зависит от
и
,
но т.к.
в диапазоне 300-600К незначительно влияет
на линейные размеры металлов (является
функцией плотности вещества), то можно
считать
независимой величиной. Тогда ответ надо
искать в следующем выражении:
,
где
.
Если это выражение подставить в начальное,
то получим зависимость удельного
сопротивления от температуры в явном
виде:
1.3 ВЧ-электропроводность металлов.
Нахождение зависимости электропроводности от частоты:
Для
простоты анализа будем считать E(t)
периодическим синусоидальным, причем
амплитуда поля по времени пусть не
меняется, т.е.
,
где E(ω) -зависящая от частоты амплитуда
электрического поля E(t).
В комплексном виде это выражение примет
вид:
,
где
.
С учётом этих преобразований кинетическое уравнение электрона можно записать в виде:
,
т.к.
,
пусть
,
тогда после дифференцирования
,
подставив в предыдущее уравнение
получим:
,
откуда
.
Используя
,
перейдём к
Так
как коэффициентом, связывающим физические
величины j и E является электропроводность
σ то, вводя понятие комплексной
электропроводности σ∗,
получим
,
где
таким
образом, получена зависимость
электропроводности от частоты.