41. Основы создания сварных соединений

Основы создания сварных соединений

Сварное соединение — неразъёмное соединение, выполненное сваркой.

Сварное соединение включает три характерные зоны, образующиеся во время сварки: зону сварного шва, зону сплавления и зону термического влияния, а также часть металла, прилегающую к зоне термического влияния.

Сварной шов — участок сварного соединения, образовавшийся в результате кристаллизации расплавленного металла или в результате пластической деформации при сварке давлением или сочетания кристаллизации и деформации

Основные типы сварных соединений

• Стыковое — сварное соединение двух элементов, примыкающих друг к другу торцовыми поверхностями.

• Нахлёсточное — сварное соединение, в котором сваренные элементы расположены параллельно и частично перекрывают друг друга.

• Угловое — сварное соединение двух элементов расположенных под углом и сваренных в месте примыкания их краев.

• Тавровое — сварное соединение, в котором торец одного элемента примыкает под углом и приварен к боковой поверхности другого элемента.

• Торцовое — сварное соединение, в котором боковые поверхности сваренных элементов примыкают друг к другу.

42. Понятие о тонкопленочных покрытиях, их классификация и область применения

Тонкопленочными принято называть покрытия с толщиной от долей до единиц микрометров.

Классификация: декоративные, оптические, защитные, проводящие, магнитные и т.д.

Область применения: микроэлектроника, изготовление печатных плат

43. Основные характеристики тонкопленочных покрытий. Адгезия. Схема измерения

Основными характеристикой тонкопленочных покрытий являются: твердость, износостойкость, адгезия и др.

Адгезия – прочность сцепления пленки с поверхностью изделия.

Способ нахождения: А=F(площадь отрыва)/S(приложенное усилие)

44. Понятие об удельном поверхностном сопротивлении пленок

УПСП – величина, определяемая удельным сопротивлением материала и толщиной пленки и численно равна сопротивлению пленки квадратной формы. Ед. измерения – Ом/кв. Формула: p_s=Ro/h

45. Технология химических покрытий. Химическое осаждение пленок меди

Химические методы применяются для получения покрытий как на металлических так и на диэлектрических подложках. Пленки формируются из солей соответствующих металлов в результате химических реакций.

46. Технология гальванических покрытий (схема процесса)

Гальванические методы применяются для формирования как защитных покрытий, так и токопроводящих, для металлизации диэлектрических оснований гальваническим методом сначала необходимо получить тонкую пленку меди химическим осаждением а затем наращивать ее гальваническим методом.

47. Вакуумная технология получения тонких пленок термическим испарением

Для проведения процесса термического испарения применяют испарители. Принцип: испаряемое вещество помещают в испаритель, разогревают, разогретое вещество испаряется и осаждается на подложке. Процесс происходит в вакууме.

48. Вакуумные методы получения пленок ионным распылением (схемы процессов)

Перевод материала плёнки в газообразное состояние осущест­вляют или методом термического испарения, или ионным распылением.

Достичь максимальной чистоты пленки позволяют электрон­нолучевые испарители). В простых устройствах с нагревом электронной бомбардировкой катод расположен вблизи испаряемого материала или тигля. Под действием ускоряющего напряжения между катодом и тиглем поток электронов устрем­ляется на испаряемый материал

Электроны в разряде приобретают достаточно высокую кине­тическую энергию. В результате столкновения с молекулами или атомами рабочего вещества электроны передают им свою энер­гию, при этом могут протекать такие процессы, как возбуждение атомаади молекулы, ионизация, диссоциация молекулы