- •2. Режимы работы аэ по углу отсечки. Спектральный состав выходного тока
- •3. Режимы работы активных элементов по напряженности
- •4. Ключевой режим работы активного элемента. Ключевые гвв
- •5. Нагрузочные колебательные системы гвв и цепи согласования
- •6. Цепи питания и смещения активных элементов в гвв
- •16. Параллельные и последовательные схемы сложения мощности
- •. Мостовые схемы сложения мощности
- •10. Умножители частоты на многополюсных активных элементах
- •. Самовозбуждение автогенераторов на многополюсных аэ
- •. Параметрическая стабилизация частоты. Кварцевые автогенераторы
- •. Трехточечные схемы автогенераторов
- •. Автогенераторы с трансформаторной обратной связью
- •. Схемы построения возбудителей передатчика
- •. Синтезаторы частоты на основе системы фап
- •21. Прямые аналоговые методы синтеза частот
- •22. Прямой цифровой синтез частот и сигналов (пцс)
- •. Комбинированные способы амплитудной модуляции
- •. Частотные модуляторы на варикапах
- •. Способы формирования однополосных колебаний
- •. Структурные схемы передатчиков сигналов с одной боковой полосой
- •1) Классическая схема
- •2) C раздельным усилением спектральной составляющей
- •3) С раздельным усилением и умножением составляющей
- •. Балансные модуляторы и метод повторной балансной модуляции
- •. Амплитудная манипуляция и телеграфия
- •. Частотная и фазовая манипуляция и телеграфия
- •. Транзисторные и ламповые генераторы диапазонов овч и свч
- •35. Автогенераторы свч на лавинно-пролетных диодах и диодах ганна
- •36. Генераторы и передатчики свч на пролетных клистронах
- •37. Автогенераторы на отражательных клистронах
- •38. Генераторы и передатчики свч на лампах бегущей и обратной волны
- •39. Генераторы и передатчики свч магнетронного типа
- •40. Квантовые генераторы и передатчики оптических линий связи
- •42. Передатчики импульсных радиолокационных систем
- •44. Радиолокационные передатчики с фазированными и активными фазированными решетками
- •45. Побочные излучения передатчиков
- •46. Надежность устройств генерирования и формирования сигналов
- •47. Устойчивость генераторов с внешним возбуждением
- •48. Структурные схемы тв передатчиков изображения и звука
- •49. Структурные схемы наземных и бортовых (спутниковых) ретрансляторов систем связи и телерадиовещания
- •50. Импульсная модуляция. Схемы импульсных модуляторов
. Самовозбуждение автогенераторов на многополюсных аэ
- условие стационарности
- происходит самовозбуждение
1 - = 90;
2 -
;
3 – уменьшаем EСМ.
A – величина амплитудного сигнала на выходе генератора, характерны для автогенераторов; B – полуустойчивый характер.
Достоинства: МР (мягкого режима) – не требует внешней силы;
ЖР (жесткого режима) – большая амплитуда.
Недостатки: МР – маленькая амплитуда;
ЖР – потенциальный барьер (нужен толчок).
14-2. ДИОДНЫЕ АВТОГЕНЕРАТОРЫ
Пример схемы диодного автогенератора представлен на рис. 4.4.
Н
а
динамической
В
АХ
генераторного диода в режиме установившихся
колебаний формируется участок
отрицательной дифференциальной
проводимости. Участок отрицательной
крутизны генераторных диодов некоторых
типов имеется не только на динамической,
но и на статической ВАХ. Если мгновенные
ток и напряжение АЭ соответствуют
участку отрицательной крутизны
динамической ВАХ, то колебания первых
гармоник ia(t)
и ua(t)
противофазны, поэтому
на частоте генерации диод эквивалентен
отрицательной проводимости— |Ga|.
При учете временной задержки в АЭ и
влияния его реактивных компонентов
(межэлектродной емкости, индуктивности
выводов) фазовый сдвиг фа
между ia(t)
и ua
(t)
отличается от
.
В соответствии с
в этом случае Ва
не равно 0
и генераторный диод может быть заменен
комплексной проводимостью Yа
= Ga
+ jBa.Следовательно,
как в транзисторных, так и в диодных
автогенераторах АЭ на частоте генерации
эквивалентен комплексной выходной
проводимостиYа
=Iа1/Uа1,где
Iа1,
Uа1-комплексные
амплитуды первой
гармоники выходного тока и напряжения
АЭ. Действительная и мнимая части Ya
определяются
соотношениями
и
.
Замена АЭ комплексной проводимостью
дает возможность применить единый метод
анализа автогенераторов обоих типов.
Автогенераторы на туннельных диодах.
Т
уннельный
диод – это маломощный генераторный
диод с узким p-n
переходом, активные свойства которого
проявляются в широком диапазоне частот
- от постоянного тока до СВЧ. Достоинством
диода является сохранение его свойств
как активного элемента в условиях
радиационного излучения. Эквивалентная
схема туннельного диода (рис. 4.23, а)
содержит генератор тока ia(uа),
барьерную емкость p-n-перехода
Сб
(иа),
сопротивление потерь
в полупроводнике и контактах rs
и индуктивность выводов LB.
Штриховой линией на рис. 4.23, б
показана статическая
ВАХ обычного диода с р-n-переходом.
Особенности автогенераторов на туннельных диодах.
1.Туннельный диод - это прибор с ВАХ N-типа, поэтому колебательная система с учетом LB и Сб в точках подключения генератора тока iа(uа) должна на заданной
Рис. 4.23 Эквивалентная схема туннельного диода(а) и
статическая ВАХ генератора тока(б)
ч
астоте
иметь параллельный резонанс.
2.Участок отрицательной крутизны существует при весьма малых напряжениях uа. Чтобы диод проявлял себя как активный элемент автогенератора, напряжение питания U0 должно быть в пределах uпик<U0 <uвп или 0,1<U0<0,6 В.
Рис.4.24 Принципиальная электрическая (а) и эквивалентная(б) схемы питания туннельного диода
Так как напряжение стандартных источников питания Еп >1,5 В, то требуется делитель напряжения (см. рис. 4.24, а).
3.Существование участка отрицательной крутизны не только на динамической ВАХ (как у всех активных элементов), но и на статической характеристике приводит к необходимости обеспечивать устойчивость рабочей точки по постоянному току.
4.Наличие участка отрицательной крутизны на динамической ВАХ диода в широком диапазоне частот может вызвать самовозбуждение паразитных колебаний в неявных колебательных контурах, образованных элементами конструкции автогенератора. Для устранения паразитных колебаний следует особое внимание уделять проектированию и конструированию блокировочных элементов. Часто в автогенераторах на туннельных диодах применяют антипаразитные резисторы.
Режим работы туннельного диода по постоянному току.
У
читывая
особенности туннельных автогенераторов,
посмотрим, как следует выбирать и
рассчитывать режим диода по постоянному
току. В соответствии с рис. 4.24а
постоянное напряжение
на диоде
U0=E’п-I0Rист (4.38), где
E’п= EпR2/(R1+R2); Rист= R1R2/(R1+R2) (4,39)
I0 - постоянный ток диода. Уравнению (4.38) соответствует эквивалентная схема рис. 4.24, б.
Для расчета U0
и I0
имеем систему из двух уравнений: (4.38) и
уравнение, описывающее статическую ВАХ
диода I
(U).
Варианты графического
решения этой системы показаны на рис.
4.25, тангенс угла наклона прямой линии
к оси абсцисс равен -1/Rист.
Из рис. 4.25 видно, что в зависимости от
значения Rист
возможно одно или три решения. Оценим
их устойчивость,Допустим, что в результате
случайной флуктуации напряжение нa
диоде U0
изменилось на величину
U0.
Режим по постоянному току устойчив,
если возникающий переходный процесс
возвращает рабочую точку в исходное
положение. Проведя анализ устойчивости
получим следующее условие
устойчивости режима диода по постоянному
току:
Rист<1/|G0|, (4.40)
где G0 = dl/dU — крутизна статической ВАХ туннельного диода в рабочей точке.
Применяя условие (4.40) к вариантам решений, изображенных! на рис. 4.25, получим, что рабочая точка 1 на рис. 4.25а устойчива, а на рис. 4.25б неустойчива. Практически устойчивость рабочей точки на участке отрицательной крутизны ВАХ обеспечиваетcя применением достаточно малых сопротивлений R2.
Электрическая схема автогенератора на туннельном диоде.
На рис. 4.26 изображена одна из возможных схем такого автогенератора. Здесь R1, R2-делитель напряжения в цепи питания;Сбл, L бл -элементы, блокирующие источник питания от токов высокой частоты; C1, С2, L -элементы резонатора, задающего частоту генерации; Ссв — емкость связи с нагрузкой. Чтобы одновременно обеспечить высокую стабильность частоты и оптимальный энергетический режим, применено неполное подключение резонатора к диоду.
Р
асчет
автогенератора на туннельном диоде
Расчет туннельного автогенератора состоит в основном из тех же этапов, что и расчет транзисторного автогенератора: 1) выборе диода; 2) расчет режима диода; 3)расчет резонатора и цепи питания.
8-1. стабилизация частоты автогенераторов
Стабильность частоты автогенератора
является одним из основных его параметров.
Этот параметр исключительно важен для
электромагнитной совместимости.
Нестабильность частоты характеризуется
ее относительным изменением
.
Различают два вида нестабильности
частоты автогенератора: долговременную
и кратковременную. Под долговременной
нестабильностью частоты понимается
нестабильность, связанная с медленными
изменениями частоты автогенератора
(изменения окружающей температуры,
давления, влажности, напряжения источников
питания и т. д.). Кратковременная
нестабильность определяется быстрыми
флуктуационными изменениями частоты
автогенератора, вызываемыми тепловыми
и дробовыми шумами. Условно принимают,
что нестабильности частоты, проявляющиеся
за время наблюдения, меньшее или равное
1 с, относятся к кратковременным. Быстрые
флуктуации частоты, а следовательно, и
кратковременная нестабильность
определяются, как уже указывалось,
высокочастотной частью спектральной
плотности флуктуации частоты автогенератора
,
которая всегда может быть найдена, если
известны спектры шумовых составляющих
коллекторного и базового токов
транзистора. При этом кратковременная
нестабильность автогенератора уменьшается
с ростом добротности колебательной
системы.
Долговременная нестабильность, проявляющаяся за время наблюдения более 1 с и определяемая низкочастотной частью спектральной плотности , связана с воздействием на параметры автогенератора медленных дестабилизирующих факторов.
Для уменьшения фазового сдвига в автогенераторе необходимо использовать транзисторы с высокой частотой.
Изменение резонансной частоты контура
может происходить за счет изменения
температуры окружающей среды, давления,
влажности и т. д. Если под действием этих
дестабилизирующих факторов параметры
контура L и С получают малые приращения
ΔL и ΔС, то резонансная частота контура
изменяется на величину
.
Для создания высокостабильных автогенераторов необходимо использовать элементы колебательной системы (емкости и индуктивности) с малыми относительными изменениями их параметров. В частности, при изменении температуры окружающей среды необходимо применять емкости и индуктивности с малыми температурными коэффициентами.
Характер и величины изменения реактивных параметров колебательной системы зависят от конструкции этих элементов. При этом весьма эффективно для повышения стабильности автогенератора использовать термокомпенсацию (емкость и индуктивность имеют разные знаки своих температурных коэффициентов) и термостатирование.
Тепловой режим автогенератора определяется не только окружающей средой, но и тепловыми процессами, протекающими непосредственно в транзисторе. Для повышения стабильности частоты автогенератора необходимо для облегчения его теплового режима снижать снимаемую с него мощность. Стабильность частоты автогенератора зависит и от механических воздействий, оказываемых на элементы колебательной системы (например, вибрации). Вибрация меняет емкости между деталями и проводами, что, в свою очередь, изменяет частоту автогенератора. Уменьшение влияния механических воздействии на частоту автогенератора достигается за счет использования интегральной технологии.
На стабильность частоты автогенератора,
кроме того, влияет изменение параметров
транзистора. К контуру автогенератора
подключены комплексные проводимости
транзистора
.
Активные составляющие этих проводимостей
вносят активные потери в контур, снижая,
как указывалось, его добротность.
Реактивные же составляющие этих
проводимостей В11, В22, В12
вносят поправку к частоте автоколебаний;
их изменение приводит к изменению
частоты автоколебаний аналогично
механизму влияния собственной емкости
и индуктивности колебательного контура.
Кроме температуры окружающей среды в качестве дестабилизирующего фактора выступает изменение напряжения источников питания. При изменении этих напряжений (например, Е, ) изменяются, в частности, реактивные параметры транзистора В11, В22, В12. Изменение проводимостей В11, В22, В12 происходит за счет изменения барьерных (зарядных) емкостей транзистора и постоянных времени коллекторного и эмиттерного переходов. Эти параметры транзистора, в свою очередь, зависят от изменения питающих токов и напряжений. Для уменьшения изменения реактивных проводимостей транзистора, вызванного изменением питающих напряжений, необходимо увеличивать рабочие токи и напряжения на переходах транзистора. Однако при этом возрастает мощность, рассеиваемая в транзисторе, что приводит к изменению его температурного режима, а следовательно, и к ухудшению стабильности частоты. Поэтому для каждого типа транзисторов можно указать оптимальные значения напряжения Ек и тока Iк0, при которых стабильность частоты будет наибольшей.
Для уменьшения влияния изменения параметров транзистора на частоту генератора на практике уменьшают связь колебательного контура с транзистором. Для повышения стабильности частоты автогенератора часто питающие напряжения транзистора стабилизируют.
