
- •Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального образования
- •Лабораторный практикум по курсу «Молекулярно-лучевая эпитаксия в технологии наноструктур» для студентов специальности 210601.65 Нанотехнология в электронике
- •Введение
- •1.1. Задачи лабораторной работы
- •1.2. Теоретическая часть
- •1.2.1. Фотоэлектрические процессы в инжекционном полупроводниковом лазере
- •1.2.2. Основные характеристики и параметры лазерных диодов
- •1.3. Объект исследования
- •1.6. Внешний вид волоконно-оптического лазерного модуля
- •1.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •1.5. Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •1.7. Контрольные вопросы
- •2.1. Задачи лабораторной работы
- •2.2. Теоретическая часть
- •2.2.1. Фотоэлектрические процессы в p-I-n фотодиоде
- •2.2.2. Основные параметры и характеристики p-I-n фотодиода
- •2.3. Объект исследования
- •2.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •2.5. Порядок выполнения работы
- •2.6. Содержание отчета
- •2.7. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №3 измерение частотной характеристики
- •3.1. Задачи лабораторной работы
- •3.2. Теоретическая часть
- •3.3. Объект исследования
- •3.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •3.5. Порядок выполнения работы
- •3.6. Содержание отчета
- •3.7. Контрольные вопросы
- •4.1. Задачи лабораторной работы
- •4.2. Теоретическая часть
- •4.2.1. Лавинный процесс в р-п переходе
- •4.2.2. Характеристики лфд
- •4.3. Объект исследования
- •4.4. Описание измерительной установки и методов измерения
- •4.5. Порядок выполнения работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №5 получение методом молекулярно-лучевой эпитаксии светодиодов и измерение яркостно-токовой характеристики
- •5.1. Задачи лабораторной работы
- •5.2. Теоретическая часть
- •5.2.1. Физические процессы в р-п переходе светодиода
- •5.2.2. Основные параметры и характеристики фотоприемников
- •5.3. Объект исследования
- •5.4. Описание измерительной установки и методов измерения
- •5.5. Порядок выполнения работы
- •5.6. Содержание отчета
- •5.7. Контрольные вопросы
- •Оценка погрешностей результатов измерений
- •Значение коэффициента Стьюдента t для случайной величины X, имеющей распределение Стьюдента с (n-1) степенями свободы
- •Алгоритм обработки результатов косвенных измерений
- •Расчет погрешностей типовых задач
- •Литература
2.2.2. Основные параметры и характеристики p-I-n фотодиода
В стационарном режиме p-i-n фотодиод полностью описывается вольт- амперной, спектральной и энергетической характеристиками.
Вольт-амперная характеристика определяет зависимость общего тока через фотодиод (фототока и темнового тока) от приложенного напряжения смещения. Рисунок 2.4 показывает типичные вольт-амперные характеристики p-i-n фотодиода при различных мощностях оптического излучения.
Рисунок 2.4. - Вольт-амперные характеристики фотодиода при различных уровнях мощности оптического излучения
Спектральная характеристика отражает зависимость монохроматической чувствительности от длины волны регистрируемого потока излучения. Она может быть абсолютной и относительной.
Энергетическая характеристика отражает зависимость фототока фотодиода от мощности оптического излучения (ампер-ваттная, вольт-ваттная характеристика) (Рисунок 2.5, линия 2). Следует отметить, что при больших уровнях освещенности ватт-амперная характеристика фотоприемника отклоняется от линейной зависимости (Рисунок 2.5).
Рисунок 2.5. - Типичная зависимость фототока от мощности потока
излучения для p-i-n фотодиода
Существуют также температурные характеристики, которые отражают изменения параметров фотоприемников от температуры. Важными свойствами фотоприёмников является способность сохранять фотоэлектрические параметры в определенных пределах заданного времени (стабильность), и способность длительной работы в определенном режиме при условии полного сохранения фотоэлектрических параметров в пределах технических условий (долговечность). Как правило, в качестве критериев оценки стабильности и долговечности выступают темновой ток и чувствительность (для фотодиодов).
Важнейшим параметром фотодиода является чувствительность, которая отражает изменение электрического тока фотодиода при подаче на его вход единичного оптического сигнала. Количественно чувствительность определяется отношением изменения электрического сигнала на выходе фотодиода к величине изменения падающего потока Ф или мощности потока Р (2.1). Обычно на выходе измеряют ток или напряжение, поэтому различают вольтовую SU и токовую чувствительность SI. Для фотодиодов обычно указывается абсолютная или относительная монохроматическая чувствительность по току S - это реакция фотодиода на величину монохроматического потока излучения, измеряемая в А/Вт.
,
(2.1)
Максимально возможная токовая чувствительность определяется по формуле.
,
(2.2)
где длина волны выражается в микрометрах.
Темновой ток - постоянный ток, протекающий через фотодиод в отсутствие светового потока в диапазоне спектральной чувствительности.
Порог чувствительности - минимальная средняя мощность оптического сигнала на входе при заданных характеристиках этого сигнала, при которой обеспечивается заданное отношение сигнал-шум или заданный коэффициент ошибок;
Динамический диапазон линейности - отношение максимальной средней мощности оптического сигнала (критической мощности излучения) Рmах, при котором его характеристики не выходят за допустимые пределы (обычно на уровне 1 дБ), к его порогу чувствительности Pmin выраженное в децибелах:
А = 10 log (Рmах / Pmin); (2.3)
Спектральный диапазон - диапазон длин волн оптического излучения, в котором значение чувствительности фотодиода более 0.1 от его максимальной чувствительности;
Полоса пропускания - интервал частот, в котором модуль коэффициента передачи больше или равен половине его максимального значения. Инерционность фотодиодов характеризуется постоянными фронта нарастания и спада сигнала на его выходе при импульсной засветке.