- •Оглавление
- •2.6.1. Механизмы наращивания эпитаксиальных пленок…………… .67
- •2.6.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия………………………………….73
- •2.6.4. Гетероэпитаксия. Технология "Кремний на изоляторе"…………78
- •3.5. Тонкопленочные резисторы…………………………………………115
- •3.6.Тонкопленочные конденсаторы…………………………………… 117
- •4.3. Масштабирование моп-транзисторов…………………………… .140
- •Список сокращений
- •Введение
- •1. Основные тенденции развития микро- и нанотехнологий в полупроводниковой электронике
- •1.1.Эволюция полупроводниковой электроники.
- •1.2. Физические и схемотехнические ограничения на уменьшение размеров активных элементов и рост степени интеграции .
- •1.3.Одноэлектронныt устройства
- •2. Физические основы основных процессов планарной микротехнологии
- •2.1. Подготовка пластин и геттерирование примесей.
- •2.3. Термическое окисление кремния
- •2.3.1. Кинетика окисления
- •2.3.2. Окисление в сухом и влажном кислороде. Зависимость скорости окисления от технологических параметров.
- •Значения констант линейного и параболического роста для сухого о2
- •Значения констант линейного и параболического роста для окисления во влажном кислороде (85·103 Па)
- •2.4. Диффузия
- •2.4.1. Механизмы диффузии
- •2.4.2. Феноменологическая теория диффузии.
- •Диффузия из бесконечного источника
- •Значения функции erfc z
- •Предельная растворимость примесей в Si
- •Диффузия из ограниченного источника
- •Двухстадийная диффузия.
- •Температурная зависимость коэффициента диффузии.
- •Коэффициенты диффузии и энергии активации для некоторых примесей в кремнии.
- •2.5. Ионное легирование.
- •2.5.1. Распределение внедренных ионов
- •Средний проективный пробег и дисперсия проективного пробега легирующих элементов в кремнии, нм
- •2.5.2. Маскирование при ионном легировании
- •2.6. Эпитаксия
- •2.6.1. Механизмы наращивания эпитаксиальных пленок
- •Характеристики эпитаксиального роста кремния в атмосфере водорода для различных источников кремния.
- •2.6.2. Легирование и автолегирование при эпитаксии
- •2.6.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия
- •2.6.4. Гетероэпитаксия. Технология "Кремний на изоляторе"
- •2.7. Фотолитография
- •2.7.1. Методы фотолитографии
- •2.7.2. Литография в вуф-диапазоне
- •2.8. Сухое травление
- •2.8.1. Методы сухого травления.
- •2.8.2. Влияние технологических параметров на процессы сухого травления
- •2.8.3. Механизмы анизотропии реактивного ионоого травления
- •Технология пассивных элементов ис
- •Системы металлизации ис
- •3.2. Интегральные резисторы и конденсаторы
- •3.3. Поверхностное сопротивление
- •3.4. Расчет параметров интегрального резистора
- •3.5. Тонкопленочные резисторы
- •3.6.Тонкопленочные конденсаторы
- •4. Реализация сбис на основе мдп-структур
- •4.1. Структура мдп транзистора
- •Символьные обозначения и передаточные характеристики
- •4.2. Технология производства интегральных схем на моп-транзисторах
- •4.3. Масштабирование моп-транзисторов.
- •Ограничения дальнейшей миниатюризации ldd-моп
- •4.4.2. Эффект короткого канала
- •"Кремний на изоляторе"
- •5. Углеродные наноструктуры в электронике
- •5.1. Основные представления о нанотрубках
- •5.2. Электронная структура, энергетический спектр и проводимость нанотрубок
- •5.3. Методы получения и разделения нанотрубок
- •5.4. Применение углеродных наноструктур в молекулярной электронике
- •5.5. Наноэлектромеханические устройства на основе унт
- •5.6. Графеновая электроника
- •Библиографический список
Библиографический список
Королев М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 1/ М.А.Королев, Т.Ю.Крупкина, М.Г.Путря, В.И.Шевяков — М. БИНОМ, 2009 —-422с.
Борисенко В.Е. Наноэлектроника / В.Е.Борисенко, А.И. Воробьева, Е.А.Уткина. —М.-БИНОМ, 2009— 223с.
Щука А.А. Функциональная электроника : Учебник для вузов/ А.А. Щука. — М. : Изд-во МИРЭА, 1998. — 674 с.
Научные основы нанотехнологий и новые приборы [пер. с англ.]/ ред. Р. Келсалл, И. Хемли, М. Джиогхеган. — М. : Интеллект, 2008. — 800 с.
Рамбиди Н.Г. Нанотехнологии и молекулярные компьютеры/ Н. Г. Рамбиди. — М. :Физматлит, 2007. — 256 с.
Дьячков П.Н. Углеродные нанотрубки. Строение, свойства , применения / П.Н. Дьячков. — М. : Бином, 2006. — 293 с.
Пул-мл. Ч. Нанотехнологии [пер. с англ.] / Ч. Пул-мл., Ф. Оуэнс. — М. : Техносфера, 2007. — 375 с.
Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике./В.В.Денисенко — .: Физматлит, 2010. — 406 с.
Денисенко В.В. Особенности субмикронных МОП-транзисторов // Chip News. 2002. № 7. С. 27–37.