2.8. Сухое травление

Рисунки на резисте, формируемые методами литографии еще не являются элементами готового прибора. Для формирования топологии схемы необходимо перевести рисунки резиста в соответствующие слои полупроводниковой структуры. Один из методов такого перевода заключается в селективном удалении немаскированных резистом участков. Этот процесс называют травлением. Применяемое ранее жидкостное травление не подходит для создания элементов СБИС и УБИС субмикронных размеров, т.к. за исключением специальных случаев, является изотропным. Методы так называемого сухого (плазменного, плазмохимического, ионного, ионно-химического) травления хорошо подходят для технологического процесса изготовления СБИС, так как они характеризуются потенциальной способностью высокоточного перевода рисунков резиста. В основном для сухих методов травления используется плазма инертных или химически активных галов в виде газовых разрядов при низком давлении или ионные пучки. Плазменного травление может проявлять высокую анизотропию травления – т.е. значительное превышение скорости вертикального травления над скоростью бокового травления. Анизотропия является важным фактором, обуславливающим высокое разрешение при переносе рисунка.

Разрешение, достигаемое в результате процесса травления, является критерием качества переноса рисунка и определяется двумя параметрами. Первый из них - смещение, равное разности горизонтальных размеров рисунка травления d_f и рисунка маски d_m (рис. 2.29). Допуск является мерой статического распределения величин смещения, которая характеризует однородность травления в горизонтальной плоскости.

Рис. 2.29. Боковой подтрав пленки под маску на границе маска-пленка.

Процесс травления с нулевым смещением обеспечивает формирование вертикального профиля края элемента, совпадающего с краем маски (рис. 2.30). В этом случае травления в горизонтальном направлении не происходит и рисунок переносится с идеальной точностью, что соответствует ситуации идеально анизотропного травления. Когда скорость травления не зависит от направления, к концу процесса формируется профиль края, имеющий контур четверти окружности (рис. 2.30). В этом случае, т.е. при изотропном травлении, смещение равно удвоенной толщине пленки, подвергавшейся травлению.

Рис. 2.30. Идеальные профили травления для: а - полностью анизотропного (A_f=1) и б - изотропного (A_f=0) травления при отсутствии подтрава маски.

Любой профиль края элемента, который соответствует ситуации, промежуточной между теми, что показаны на рис. 2.30, образуется вследствие анизотропии скорости травления. Степень анизотропии можно определить как A_f=1-v_l/v_v, где v_l и v_v - горизонтальная и вертикальная скорости травления соответственно.

На практике при использовании методов сухого травления подложка и маска также подвергаются воздействию травителя. Чаще всего материалы, контактирующие с травителем, характеризуются конечными значениями скорости травления. Следовательно, важным параметром переноса изображений в технологии СБИС является селективность (избирательность) травления, определяемая как отношение скоростей травления различных материалов. Селективность по отношению к материалу резиста необходимо учитывать при контроле размеров формируемых элементов. Селективность травления данного слоя по отношению к материалу подложки (кремниевой пластины или другого нижележащего слоя) определяет качество и процент выхода годных приборов.