4.6.Зміна маси міді за рахунок зростання окисного шару.

На рис. 4.13 представлені кінетичні залежності зміни маси плівок міді за рахунок утворення оксиду міді у процесі термічної обробки при 423 K.

Рис.4.13 Залежність маси оксиду міді від часу термічної обробки (423 K): 1) 43; 2) 63; 3) 64; 4) 100 нм.

В процесі термічної обробки спостерігається збільшення маси зразка. Причому, інтенсивність процесу окислення при постійній температурі термічної обробки тим більша, чим менша початкова товщина плівок міді. В міру зменшення початкової товщини плівок міді більш яскраво проявляється точка перегину. При більш високих температурах процес окислення протікає найінтенсивніше, що особливо помітно на початкових ділянках. Зі збільшенням температури термічної обробки збільшується масова частка оксиду міді, що утворився. При зіставленні мас оксиду міді, визначених по кінетичних кривих при різних температурах термічної обробки в умовах повного окислення плівок міді різної товщини й розрахованих по рівнянню реакції окислювання

2Cu+0,5O2=Cu2O, (4.5)

установлено їхній задовільний збіг.

Рис.4.14 Залежність маси оксиду міді від часу термічної обробки (373 K): 1) 16; 2) 31; 3) 40; 4) 44; 5) 50; 6) 62; 7) 88 нм.

Цей факт також є додатковим свідченням того, що в процесі термічної обробки плівок міді утворюється шар оксиду міді.

У процесі термічної обробки спостерігається й збільшення товщини плівок міді. На рис. 4.14 представлені кінетичні криві зміни товщини оксиду міді при 373 К, що утвориться на поверхні плівок міді різної початкової товщини. Товщина оксиду міді у процесі термічної обробки плівок міді збільшується. При термічній обробці плівок міді різної товщини при більш високих температурах установлено, що значний і досить різкий приріст товщини оксиду міді спостерігається вже при невеликих часах термообробки. Причому швидкість приросту оксиду міді тим більша, чим менша товщина плівки міді. Відомо що однією з основних умов, що характеризують здатність утвореного первинного шару продуктів взаємодії інгредієнтів навколишнього середовища з металом гальмувати подальше окислення металу, є суцільність одержуваної окисної плівки. Окисна плівка, що утвориться, буде перешкоджати проникненню агентів, що беруть участь у процесі окислювання й у такий спосіб гальмувати подальший її ріст.

Висновки. Список використаних джерел

1. Д. Вудраф, Т. Делчар. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ. — М.: Мир, 1989. — 564 с.

2. Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. Эмисионная електроника. — М.: Мир, 1966. — 564 с.

3. Арифов У.А. Взаемодействие атомних частиц с поверхностью твердого тела. — М.: Наука, 1968. — 370 с.

4. Робертс М., Макки Ч. Химия поверхности раздела металл-газ. — М.: Мир, 1973. — 656 с.

5. Chemisorption and physisorption. Стаття з сайту Iupac (International Union of Pure and Applied Chemistry) http://old.iupac.org/reports/2001/colloid_2001/manual_of_s_and_t/node16.html

6. Стаття з сайту Неосиб http://www.neosib.ru/items/chemisorption.html

7. Іванків Л.І. Фізико-хімічні процеси на поверхні напівпровідників. Текст лекцій. — Львів: ЛНУ ім.Івана Франка, 1999. — 120с

8. О.М. Браун, В.К. Медведев. Успехи физических наук. — М.: Апрель, 1989 г. Том 157, вып. 4 (Институт физики АН УССР) с. 661

9. Волькенштейн Ф.Ф. Активированная адсорбция на полупроводниках / Журнал физической химии. — 1947. — №21. с.163.

10. Ю.А. Быков, С.Д. Карпухин, Е.И. Газукина. О некоторых особенностях структуры и свойств металлических "тонких" плёнок. (МI ТОМ. 2000. №6. с.45-47)

11. В.А. Соломаха, А.О. Степаненко, А.М.Чорноус. Електрофізичні властивості плівок міді в умовах хімічної взаємодії з газами залишкової атмосфери / Журнал фізики і хімії твердого тіла. Т.5, № 3 (2004) с. 449-454

12. V.G. Bhide , S. Jatar, Y. S. Ho. Kinetics of oxygen chemisorption and its effects on electrical conductivity of thin Cu films. http://www.springerlink.com/content/870v84284w54541/

13. Н.В. Борисова, Э.П. Суровой, И.В. Титов. Закономерности изменения свойств пленок меди в процессе термообработки / Известия Томского политехнического университета. 2006. Т. 309. № 1

14. Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю., Потехина Н.Д. Кинетика окисления тонких пленок титана, выращенных наповерхности вольфрама / ФТТ, 2004, том 46, выпуск 8, с. 1498.

15. А.И.Стогний. С.В.Корякин. В.А.Вирченко. Низкотемпературное окисление пленок CoCu длительным облучением пучков ионов кислорода / Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 6.

16. http://www.shema.ru:80/cgi-bin/rshema.pl?action=img&file=/img/urt_rd13.gif&name=КВАРЦЕВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ.

Додаток 1.БЕЗПЕКА ЖИТТЄДІЯЛЬНОСТІ ТА ОХОРОНА ПРАЦІ.