+

2. Статические характеристики транзистора 2п302б изображены на рисунке 6.

иип -

Рис. 5. Схема усилительного каскада на полевом транзисторе

Ic, мА Рис. 6. Статические характеристики транзистора 2п302б

На основании второго закона Кирхгофа для цепи на рисунке 5 в режиме покоя можно составить уравнение

^UиП = ^UСи + ¹С (^RС + ^Rи ) = ^UСи + ^IС^RС + |^изи I , ^откуда

^и

1с =

ип ^и си |^и зи|

R_c

Это уравнение нагрузочной прямой.

Построение данной прямой показано на рисунке 6. Для 3того необходимо рассчитать координаты двух точек:

1. Ic = 0, иси = и ип = 10 (В).

^и ип ^и 31

1

= 22 (мА).

0-1.4

2. ^и си = ⁰, ^IС = '

Rc 400

Соединяя полученные точки, строим нагрузочную прямую.

Точка пересечения нагрузочной прямой с характеристикой, соответствующей заданному значению и_зи0 даёт положение рабочей точки О. Эта рабочая точка соответствует току стока в рабочей точке I_g0=11.1 мА и напряжению и_си0=4.9 В.

3. Сопротивление резистора в цепи истока Rи находим следующим образом:

1.4

=

R и =

126 (Ом).

0

^Ic

.011

1

Малосигнальные параметры S, R; и ц определяются как (рис. 6)

крутизна характеристик

и

dI_c

АТ

мА

S=

14.5 -5.2 9.3

= — = 9.3

-

U_ch =const

U_ch =const

1.0 + 2.0 1.0

аи _с

ли _с

- выходное сопротивление R_; =

dI_c

AI_c

и.,_И =const

и зи =const

ли _си

аи _с

7.1

- статический ко3ффициент усиления m =

I =const

12 - 4.9 7.1 , _ , _{л ч}

= = 14.2 (кОм).

11.6 -11.1 0.5

-1.4 +1.45 0.05

12-4.9

= 142.

I =const

Данные параметры связаны между собой соотношением:

m = S • R_; = 9.3-14.2 = 132.

Данное соотношение практически выполняется.

3. При подаче синусоидального входного сигнала с амплитудой и_тзи=0.25 В транзистор переходит в динамический режим (режим усиления) и его состояние описывается нагрузочной характеристикой.

В 3том режиме параметры могут быть вычислены с помощью рисунка 6 и определяются выражениям

и

^ис

аи _с

1.0

0.25

= 4.0.

Ес, R_r=const

ко3ффициент усиления по напряжению K =

^{- выхо}д^{ная мо}щ^ность Рвых = 2 • ^ис_Иm • ^Iсm = ^{1 -10 -} 2.2 = ¹.¹ (^мВт).

Задача № 6

Электронно-лучевая трубка с 3лектростатическим отклонением луча имеет длину отклоняющих пластин L₁=30 мм, расстояние между пластинами а=9 мм, расстояние от 3крана до ближайшего к нему края пластин L₂=180 мм. Напряжение на втором аноде равно и_а2=2.5 кВ, а постоянное напряжение между отклоняющими пластинами равно и_откл=45 В. Необходимо определить:

а) чувствительность ЭЛТ;

б) отклонение 3лектронного луча на 3кране от оси трубки;

в) угол отклонения луча в точке выхода его из поля пластин.

Решение

Конструкция 3лектронно-лучевой трубки (ЭЛТ) с 3лектростатическим отклонением луча показана на рисунке 7

.

а

⁴⁵' ³⁰ +180^1 = 5.85 (мм),

) Полное отклонение пятна на экране определяется выражением

h

' откл j 2 , j t_ga ^Uоткл^L1 | ^L1 + L |

= h₁ + h₂ = ^Uоткл L'l + L₂tga =

0. ² 4U₃2d ¹² 2U₃2l 2 2

где h₁ - отклонение электронов, приобретённое между отклоняющих пластин, h₂ - отклонение электронов, приобретённое на пути между отклоняющими пластинами и экраном.

2'2500'9 I 2

б) Основным параметром электростатической отклоняющей системы является чувствительность к отклонению Б_э, показывающая, на сколько миллиметров отклоняется луч на приёмнике электронов при изменении отклоняющего напряжения на 1 Вольт:

h

5.85

45

мм

В

h⁷ =

= 0.130

в) угол отклонения луча в точке выхода его из поля пластин определяется выражением

U L₁

о

tg a =

ткл 1

2U_a2 d

Тогда значение угла равн

о

= arctgl

>1.72°.

a = arctg

45' 30 2'2500'9